【課題】磁気ディスク装置のマイクロ波アシストを行うＳＴＯＡＲ素子が、確実に発振しているか判断する。
【解決手段】電流バイアス時にＳＴＯＡＲ素子が発振すると、素子の抵抗値が高くなる。そこで、電流バイアスを出力しているヘッドＩＣにおいて、ＳＴＯＡＲ素子に印加されている電圧を検知し、電圧が閾値以上に増加した場合は発振していると判断することが可能になる。これは逆に、閾値以下の電圧の場合は、ＳＴＯＡＲ素子は発振していないと判定できる。また一定の閾値以上に電圧が達した後に抵抗値が低下する場合は、発振が弱まっていると判定できるため、電流でブーストすることでＳＴＯＡＲ素子を再び正常に発振させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を持つフリー層を有し、フリー層の磁化を固定し、シールド−フリー層間相互作用を最小化するためのハードバイアス構造を必要としない磁気抵抗効果センサを提供する。
【解決手段】
下部シールド２１の上にシード層２４、フリー層２５、接合層２６、リファレンス層２７および交換ピンニング層２８をこの順に形成する。パターニング後、センサ積層体の側壁３３に沿って、共形の絶縁層２３を形成する。その後、絶縁層２３の上に上部シールド２２ｔを形成する。上部シールド２２ｔは、狭いリードギャップによってフリー層２５から分離されている。ＰＭＡがフリー層２５の自己減磁界よりも大きい場合、センサは、幅５０ｎｍ未満まで拡大可能である。有効バイアス磁界は、センサのアスペクト比に対してあまり反応しないため、ストライプが高く、幅の狭いセンサにより、高いＲＡ値を有するＴＭＲ構造が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入層の強固さを向上させ、より大きな発振磁界を生成可能なＳＴＯ構造を提供する。
【解決手段】 Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］結晶配向構造を有する金属層Ｍ１とを含む複合シード層２１の上に、高い垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を示す多層構造（磁性層Ａ１／磁性層Ａ２）_x を含むスピン注入層２２を形成する。さらに、スピン注入層２２の上に、非磁性スペーサ層２３、高飽和磁束密度層（高Ｂｓ層）を含む磁界発生層（ＦＧＬ）２４およびキャップ層２５を順次形成する。薄いシード層であってもスピン注入層２２の強固さを向上させ得る。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_x と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＳＩＬを用いれば、スピン注入層をより強固にできる。高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_Y と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＦＧＬを用いれば、高Ｂｓ層内部に部分的ＰＭＡを確立でき、容易なＦＧＬ発振が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 スピントロニクス素子や磁気読み取りヘッドの素子性能（特にＭＲ比とＲＡ値）を向上させる。
【解決手段】１つまたは複数の活性層（ＡＰ１層１５０、フリー層１７０、ＳＩＬ層など）の各々のほぼ中間に、磁気抵抗効果増加層（ＭＲＥＬ：Magneto-Resistance Enhancing Layer）を挿入する。ＭＲＥＬは、バンドギャップが小さく電子移動度が高い層であり、例えばＺｎＯなどの半導体やＢｉなどの半金属からなる層が該当する。さらに、ＭＲＥＬと、それが挿入される活性層との間の界面全体にわたってオーミック接触を確保するために、ＭＲＥＬと活性層との間の界面の隙間を、銅などの高導電性金属からなる薄い層によって埋めるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比の低下や再生分解能の劣化を発生させることなく、スピントランスファトルクに起因する磁気ノイズを抑制する。
【解決手段】本発明は、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、第１磁気シールド７２ａと、第２磁気シールド７２ｂと、の間に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１磁化自由層１０３を含む磁気抵抗効果膜７１と、磁気抵抗効果膜７１と、第１磁気シールド７２ａと、の間に設けられ、第１磁気シールド７２ａよりも飽和磁束密度が高い第３磁気シールド７２ｃと、を有する再生ヘッド部７０を備えた磁気ヘッド１１０である。 （もっと読む）

【課題】半選択状態になったデータの誤反転を抑制して信頼性の高い書き込み動作を行うことができる磁気記憶素子およびこれを用いた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁化容易軸９１とそれに交差する磁化困難軸９２とを有する記録層３と、磁化容易軸９１の方向と交差する方向に磁界を形成するライト線ＷＴと、記録層３の配置位置において磁化困難軸９２の方向と交差する方向に磁界を形成するビット線ＢＬとを備え、記録層３は、ライト線ＷＴとビット線ＢＬとの間に挟まれるように配置されており、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬと記録層３とが積層された積層方向からみた記録層３の平面形状は、積層方向からみてライト線ＷＴが延びる方向に沿うライト線ＷＴの仮想の第１の中心線ＡＷに対して一方側に位置する一方の部分と他方側に位置する他方の部分とを有し、積層方向からみた一方の部分の面積Ｓ２が他方の部分の面積Ｓ１の１／３以下である。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサを提供する。
【解決手段】 ピン止めおよび磁気抵抗特性を改善するために、Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサが、提案される。この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。第１のバッファ層は、ピン止め層に隣接して、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特定の組成を有する。第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。第４と第５のバッファ層は、バリアおよびスペーサ層に隣接し、磁気抵抗特性を改善するための特定の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気メモリは、磁化が可変な磁性層１１と、磁化が固定された磁性層１３と、中間層１２と、膜面に対して平行方向の磁化が可変な磁性層１５とを有する磁気抵抗効果素子１と、絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子１の側面上に設けられ、磁性層１５の端部から発生する磁場を収束する磁性層１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小さな駆動電流で効率よく高周波磁界を発生させることができる磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の強磁性層１０ｂと、第２の強磁性層３０と、第１の強磁性層１０ｂと第２の強磁性層３０との間に設けられた中間層２２と、第１の強磁性層１０ｂの中間層２２が設けられた側とは反対側に設けられたＣｏＩｒ合金を含む第３の強磁性層１０aと、第３の強磁性層１０aの第１の強磁性層１０ｂが設けられた側とは反対の側に設けられた主磁極６１（第１の磁極）と、第２の強磁性層３０の中間層２２が設けられた側とは反対の側に設けられたリータンパス６２（第２の磁極）とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド１１０。 （もっと読む）

【課題】 大きなＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 磁化固着層５と、磁化自由層７と、磁化固着層５と磁化自由層７との間に設けられた非磁性層６と、磁化自由層７の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられたＡｕを含む第１の金属層４と、第１の金属層４の磁化自由層７が設けられた側とは反対の側に設けられたＣｕＮｉ合金を含む第２の金属層３と第２の金属層３の第１の金属層４が設けられた側とは反対の側に設けられた第１の電極２と、磁化固着層５の非磁性層６が設けられた側とは反対の側に設けられた第２の電極８とを備え、磁化固着層５及び磁化自由層７の一方がハーフメタルを含み、第１の電極２から第２の電極８に向かって電流が流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
高周波磁界アシスト記録方式において、磁気記録ヘッドや発振器の製造誤差によって生じる記録磁界や高周波磁界のばらつきを補償することで、高記録密度を実現する。
【解決手段】
磁気記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極１２０と、シールド１３０と、前記主磁極１２０と前記シールド１３０との間に配置された高周波磁界を発生する発振器１１０とから構成される高周波アシスト磁気記録ヘッド１００において、前記発振器１１０と前記主磁極１２０との相対位置を調整するための熱膨張素子１５０を備え、主磁極１２０からの記録磁界と発振器１１０からの高周波磁界を独立に調整できるようにする。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシスの影響を受けずに外部磁界を正常に検出しうる高性能な磁気センサを提供する。
【解決手段】 電流制御部４は、コイル磁界Ｈの強度を初期値から一方的に増加、または一方的に減少させるように電流を制御するから、被測定磁界Ｈｏを相殺し、あるいはその一部を打ち消すことができる。そして、電流制御部４は、検出信号Ｓが入力されたとき、コイル磁界Ｈの強度を初期値に戻すように前記電流を制御する。本願発明の特徴的な構成は、初期値が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２に飽和磁化を与える磁界の強度である点である。この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 （もっと読む）

【課題】高感度領域で動作させた場合であっても動作が安定する磁気式スイッチを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式スイッチは、感度軸方向からの外部磁界に対して抵抗値が変化する磁気センサと、磁気センサの抵抗変化に基づいて変化するセンサ出力に基づいて、検出信号を出力する制御手段と、を具備し、磁気センサは、特定の方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子１と、感度軸の方向において磁気抵抗効果素子１を挟むように配置された磁気増幅膜３と、磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３が占める領域よりも広い領域で磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３と重なるように配置された磁気シールド膜４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁界発生部品Ｙからの外乱による影響を少なくすることができる位置検出システム、及び搭載製品の設計の自由度を向上させ、また、搭載製品の小型化を図ることができる多方向入力装置を提供すること。
【解決手段】位置検出システム１は、基板１１上に実装された第１〜第３の磁気検出素子１２Ａ〜１２Ｃと、基板１１に配設され、基板１１に対して移動可能な磁石１３と、第１の磁気検出素子１２Ａ及び第２の磁気検出素子１２Ｂの出力差で第１方向の出力を求め、第２の磁気検出素子１２Ｂ及び第３の磁気検出素子１２Ｃの出力差で第２方向の出力を求める制御手段と、を具備し、第１の磁気検出素子１２Ａ及び第３の磁気検出素子１２Ｃは、磁石１３を中心に対称な位置に配置され、第２の磁気検出素子１２Ｂは、第１の磁気検出素子１２Ａ、第２の磁気検出素子１２Ｂ及び第３の磁気検出素子１２Ｃを結ぶ仮想円弧における中点位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】検波出力や発振出力等の点で、著しい特性向上は困難である。
【解決手段】マイクロ波素子１００は、面内磁化膜の磁化自由層１０３と、面内磁化膜の磁化固定層１０５と、磁化自由層１０３と磁化固定層１０５の間に設けられたトンネルバリア層１０４とを有する磁気抵抗素子を用いたマイクロ波素子において、磁気抵抗素子の膜面直方向の軸から３°以上３０°以下の外部磁界を印加する外部磁界印加機構３０２と、磁化固定層１０５の膜面直方向の反磁界に対する磁化自由層１０３の膜面直方向の反磁界の比が０．５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁化反転のための電流を低減し、動作を高速にする。
【解決手段】 １層の絶縁体層または非磁性層からなる中間層（２４、５１）と、中間層を挟む１対の強磁性層（２３、２５）とを備え、１対の強磁性層の強磁性層の保磁力が互いに異なるスピンバルブ素子またはそのスピンバルブ素子を用いる記憶装置。１対の強磁性層の強磁性層の磁化容易軸（１０、１２）の方向を互いに異なるようにする。また、好適には、磁化容易軸の間の角度を一定の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイス及びスピン注入磁気装置並びに磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】 単層の強磁性固定層２６からなるスピン偏極部９とスピン偏極部９上に形成された第１の非磁性層からなる注入接合部７とを有しているスピン注入部１と、スピン注入部１に接して設けられる強磁性フリー層２７と、強磁性フリー層２７の表面に形成された第２の非磁性層２８と、を備え、第１の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、第２の非磁性層２８がＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈの何れかでなり、外部磁界を印加しないで、且つ、スピン偏極部９と強磁性フリー層２７の表面に形成される第２の非磁性層２８との膜面垂直方向に電流を流して強磁性フリー層２７の磁化を反転させる。 （もっと読む）

【課題】記録密度を高めた高周波磁界アシスト記録を可能とする磁気記録ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】
媒体対向面を有する主磁極６１と、媒体対向面に平行な第１の方向において主磁極６１に隣接して設けられたスピントルク発振子１０と、媒体対向面に平行でかつ第１の方向と直行する第２の方向においてスピントルク発振子１０を挟んで設けられた第１シールド６３と、第１の方向においてスピントルク発振子１０の主磁極６１に隣接する側とは反対の側に設けられた第２シールドと、を備え、第１シールド６３がグラニュラ磁性体を含むことを特徴とする磁気記録ヘッド。 （もっと読む）