【課題】 従来に比べてギャップ依存性を小さくし、安定した検出精度を得ることが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気センサ１２は、外部磁界を生じる磁石（磁界発生手段）１３と非接触に設けられ、前記外部磁界を検知する磁気検出素子を備えている。磁気センサ１２と磁石１３間にはギャップＧが設けられている。磁気センサ１２には、前記磁気検出素子と非接触の位置に、前記磁気検出素子に外部から作用する磁束密度を制御する軟磁性体１４が設けられている。これにより、従来に比べてギャップ依存性を小さくし、安定した検出精度を得ることができる。 （もっと読む）

スピン偏極電流を使用してメモリセルの磁気デバイスにおける磁気領域の磁化方向及び／又はヘリシティを制御してスイッチングする高速かつ低電力の方法。磁気デバイスは、固定の磁気ヘリシティ及び／又は磁化方向を有する基準磁化層と、可変の磁気ヘリシティ及び／又は磁化方向を有する自由磁化層とを含む。固定磁化層及び自由磁化層は、非磁化層により分離されることが好ましい。固定及び自由磁化層は、層法線に対して実質的に非ゼロ角度の磁化方向を有することができる。デバイスに電流を印加してトルクを誘起することができ、これは、デバイスの磁気状態を変更し、そのためにそれは情報を書き込むための磁気メモリとして作用することができる。デバイスの磁気状態に依存する抵抗が測定されてデバイスに格納された情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】参照信号と比較して記憶情報を読み出す際に、誤読み出しを低減する。
【解決手段】半導体記憶装置は、抵抗値の変化によって“０”データ及び“１”データを記憶する可変抵抗素子２１と、可変抵抗素子２１のデータを判定するための参照電流を生成し、かつ“０”データを記憶する可変抵抗素子のアドミッタンスと、“１”データを記憶する可変抵抗素子のアドミッタンスとの中間のアドミッタンスを有する電流生成回路３０と、可変抵抗素子２１に接続された第１の入力端子と、電流生成回路３０に接続された第２の入力端子とを有し、かつ第１及び第２の入力端子の電流を比較するセンスアンプ１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】大きな磁気抵抗変化率を確保しつつ、スピン注入時の電流を抑制し、かつ、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】記憶層１７と、この記憶層１７を挟むように設けられた、絶縁層（第１の中間層）１６及び絶縁層（第２の中間層）１９と、第１の中間層１６の記憶層１７とは反対側に配置された第１の磁化固定層３１と、第２の中間層１９の記憶層１７とは反対側に配置された第２の磁化固定層３２と、第２の中間層１９と記憶層１７との間に設けられた非磁性導体層１８とを含み、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】スピン消極を引き起こすことなく、また、加熱処理を必要とせずに、［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層構造の十分な垂直磁気異方性を確保する。
【解決手段】このスピンバルブ構造は、上部の［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３の垂直磁気異方性を向上させるため、Ｔａ層と、ｆｃｃ［１１１］またはｈｃｐ［００１］構造を有する金属層とを含む複合シード層２２を備える。［Ｃｏ／Ｎｉ］ｘ積層リファレンス層２３は、ＣｏとＮｉとの界面の損傷を防止し、これにより垂直磁気異方性を保つため、低いパワーと高圧のアルゴンガスとを用いたプロセスにより成膜する。その結果、薄いシード層を用いることが可能となる。垂直磁気異方性は２２０℃の温度で１０時間にわたって熱処理を行った後であっても維持される。この構造は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子やＣＰＰ−ＴＭＲ素子に適用できるほか、スピントランスファー発振器やスピントランスファーＭＲＡＭにも適用できる。 （もっと読む）

【課題】 スピントルク・ベースの磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）を含む、スピントルク磁気抵抗構造体及びデバイスを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成する方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、強磁性層と、強磁性層に結合されたフェリ磁性層と、固定層と、非磁性スペーサ層とを含む。磁気抵抗構造体のフリー側は、強磁性層及びフェリ磁性層を含む。非磁性スペーサ層は、少なくとも部分的にフリー側と固定層の間にある。強磁性層の飽和磁化は、フェリ磁性層の飽和磁化と対向する。非磁性スペーサ層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるもののようなトンネル障壁層又は非磁性金属層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小さい書込み電流を用いてフリー磁性層の磁気モーメントの方向を変えるように適合された構造体、デバイス、メモリ及びそれらを形成するための方法を提供することである。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成するための方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、第１の強磁性層と、第１の強磁性層に近接した第１の非磁性スペーサ層と、第１の非磁性スペーサ層に近接した第２の強磁性層と、第２の強磁性層に近接した第１の反強磁性層とを含む。例えば、第１の強磁性層は第１の固定強磁性層を含むことができ、第２の強磁性層はフリー強磁性層を含むことができ、第１の反強磁性層はフリー反強磁性層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線イメージングにおける解像度を改善する技術を提供すること。
【解決手段】Ｘ線撮像装置１は、スピン固定層１１と、非磁性中間層１２と、スピンフリー層１３とが積層されたスピン注入磁化反転素子６を画素として備え、２次元アレイ上に設けられた複数の画素と、上部電極９と、下部電極８とを有して、スピンフリー層１３側から単色円偏光Ｘ線ビームを受光する受光画素部２と、磁化反転させるスピン注入磁化反転素子６を選択すると共に、受光画素部２の受光面に亘って画素を走査する画素選択手段と、上部電極９および下部電極８を介してスピン注入磁化反転素子６に流れる電流の方向とその大きさを制御して、スピンフリー層１３にスピン注入することで、スピンフリー層１３の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段と、選択されたスピン注入磁化反転素子６がＸ線を吸収することによって発生する電流の値を検出する信号電流検出処理部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止しながら、高い磁気シールド効果を有するヘテロ構造磁気シールドを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板２０、半導体基板２０の主面上に形成され、かつ多層配線層１１Ｂを含む半導体素子１２、および半導体素子１２を被覆するヘテロ構造磁気シールド１７０を含む。ヘテロ構造磁気シールド１７０は、第一の磁気シールド積層構造１６Ａと磁気シールド積層構造１６Ａを覆う第二の磁気シールド積層構造１６Ｂを含む。第一および第二の磁気シールド積層構造１６Ａおよび１６Ｂは、いずれも、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜および半導体素子１２と磁気シールド膜との間に介在し磁性体の拡散を防止するバッファ膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁界の検出感度の高い磁気センサ及び磁界測定装置を提供する。
【解決手段】半導体（シリコン）基板上にＴａ層を形成し、その上にＣｏＦｅＢ層である磁化自由層５０、Ｃｕ層である導電金属層４０、ＣｏＦｅ層である磁化固定層３０、ＭｎＩｒ層である反強磁性層２０及びアルミニウム層１０、をこの順で積層した多層膜をリソグラフィで線幅３０［μｍ］、長さ２００［μｍ］のセンサ部７０を形成する。さらに、センサ部７０の、磁化自由層５０の磁化容易軸の方向と直角方向の両端に、幅６００［μｍ］、長さ６００［μｍ］の電極部６０，６１とを形成する。この磁気センサ５をブリッジ回路９０の１辺に配置し、発振器８０からブリッジ回路９０に交番電流を印加し、磁化自由層の磁壁を振動的に移動させ、外部磁界に対する抵抗変化をしやすくすることにより、磁気センサ５の感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】フリー層の磁化をより安定させることが可能な、高い保磁力を有するハードバイアス構造の形成方法を提供する。
【解決手段】このハードバイアス構造の形成方法は、（ａ）第１のギャップ層２の上に、所定形状を有するセンサ構造体Ｓ１を形成する工程と、（ｂ）マグネトロンスパッタリングまたはＩＢＤ法を用いて、センサ構造体Ｓ１の側壁９ａ，９ｂと第１のギャップ層２の露出面とを連続して覆うようにシード層１０を形成する工程と、（ｃ）シード層１０に対しマイルドプラズマエッチングを行うことにより、シード層１０の表面１０ｓに複数の核形成部位を形成する工程と、（ｄ）複数の核形成部位が形成されたシード層１０の上に、ハードバイアス層１１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保することができる磁気結合型アイソレータを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気結合型アイソレータは、入力信号により外部磁界を発生させるためのコイル２と、コイル２と電気的に絶縁されるとともに磁気的結合が可能な位置であって、平面視においてコイル２と重なるように配置されており、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と、平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と重なるように配置された上部シールド膜４１及び下部シールド膜４２と、を具備し、磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と下部シールド膜４２との間の距離が８μｍ〜１００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的操作でＸ線ビームの２次元空間における微細な強度変調が可能なＸ線空間変調装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線空間変調装置１は、スピン注入により磁化方向が反転されるスピン注入型磁化反転素子（以下、素子）５を２次元に配列したＸ線変調手段１０と、２次元に配列した素子５の中から、磁化方向を反転させる素子５を選択する素子選択手段１１と、素子選択手段１１によって選択した素子５に磁化反転のための電流である磁化反転電流を注入して、当該素子５の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段１２とを備える。Ｘ線空間変調装置１は、素子選択手段１１によって個々の素子５の磁化方向を制御して単色円偏光Ｘ線ビームＢ２に対する素子５の吸収率を変化させることによって、素子５に入射し、当該素子５を透過する単色円偏光Ｘ線ビームＢ２の２次元空間における強度分布を変調する。 （もっと読む）

【課題】外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保することができる磁気結合型アイソレータを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気結合型アイソレータは、入力信号により外部磁界を発生させるためのコイル２と、コイル２と電気的に絶縁されるとともに磁気的結合が可能な位置であって、平面視においてコイル２と重なるように配置されており、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と、平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と重なるように配置された上部シールド膜４１と、磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４を囲繞するように配置されたミドルシールド膜４３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保することができる磁気結合型アイソレータを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気結合型アイソレータは、入力信号により外部磁界を発生させるためのコイル２と、コイル２と電気的に絶縁されるとともに磁気的結合が可能な位置であって、平面視においてコイル２と重なるように配置されており、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と、平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と重なるように配置された上部シールド膜４１及び下部シールド膜４２と、磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４を囲繞するように配置されたミドルシールド膜４３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサは、表面に酸化膜が形成された基板と、前記基板上に形成された楔型溝と、前記楔型溝および前記酸化膜表面の一部に形成された下地膜と、前記酸化膜、前記下地膜の表面上に形成された磁気抵抗効果素子と、を備え、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記酸化膜の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記酸化膜の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保することができる磁気結合型アイソレータを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気結合型アイソレータは、入力信号により外部磁界を発生させるためのコイル２と、コイル２と電気的に絶縁されるとともに磁気的結合が可能な位置であって、平面視においてコイル２と重なるように配置されており、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と、平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と重なるように配置された上部シールド膜４１及び下部シールド膜４２と、磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４を囲繞するように配置されたミドルシールド膜４３と、を具備し、上部シールド膜４１及び／又は下部シールド膜４２は、０．５μｍ〜１５μｍの厚さを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子を用いることでＳｉ系ＭＭＩＣにもＧａＡｓ系ＭＭＩＣにも対応可能な周波数変換素子を提供する。
【解決手段】本素子は、磁化自由層、中間層、および磁化固定層を備えた磁気抵抗素子からなる周波数変換素子と前記周波数変換素子に磁場を印加するための磁場印加機構と前記周波数変換素子に局部発振信号を印加するための局部発振器と前記周波数変換素子と電気的に接続され、かつ外部入力信号を入力するための入力端子とを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁界書き込み方式の磁気抵抗記憶装置において、記憶情報の熱的安定性を確保しながら、書き込み電流を低減すること。
【解決手段】磁気抵抗記憶装置は、磁気抵抗素子と、第１電流端子及び第２電流端子に接続された配線層と、を備える。データ書き込み時、配線層を通って第１電流端子と第２電流端子との間に書き込み電流が流れる。磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。配線層は、磁気抵抗素子と少なくともオーバーラップする配線中央部と、配線中央部よりも外側に位置し、配線中央部よりも抵抗値が高い配線側部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶素子の機能低下を抑制することのできる磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、磁化状態に基づいたデータを保持可能な磁気記憶素子ＭＭと、発生する磁界により磁気記憶素子の磁化状態を変化させることが可能なディジット線ＤＬおよびビット線ＢＬとを備えている。磁気記憶素子ＭＭは、ディジット線ＤＬとビット線ＢＬとの交差部分において、ディジット線ＤＬの上であってビット線ＢＬの下に配置されている。ディジット線ＤＬはこの交差部分において幅ＷＤＬを有しており、かつビット線ＢＬはこの交差部分において幅ＷＢＬを有している。幅ＷＤＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ１よりも大きく、かつ幅ＷＢＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ２よりも小さい。 （もっと読む）