【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層との間に配された非磁性体による中間層とを含む層構造を有する記憶素子を構成する。そして上記磁化固定層が、少なくとも２つの強磁性層が結合層を介して積層され、上記２つの強磁性層が上記結合層を介して磁気的に結合し、上記２つの強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。このような構成により、上記記憶層及び上記磁化固定層のそれぞれの磁化の向きがほぼ平行又は反平行とされてしまうことによる磁化反転時間の発散を効果的に抑えることができ、書き込みエラーを低減し、より短い時間で書き込みができる。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１４と、磁化の向きが固定された磁化固定層１２と、上記記憶層１４と上記磁化固定層１２との間に配された非磁性体による中間層１３と、垂直磁気異方性誘起層１５とを含む層構造を有する記憶素子３を構成する。そして、上記記憶層１４が、第１の強磁性層１４ａと第１の結合層１４ｂと第２の強磁性層１４ｃと第２の結合層１４ｄと第３の強磁性層１４ｅとが同順に積層されて、上記第１の強磁性層１４ａが上記中間層１３に接し、上記第３の強磁性層１４ｅが上記垂直磁気異方性誘起層１５に接し、上記結合層１４ｂ，１４ｄを介して隣接する上記強磁性層１４ａ，１４ｃ，１４ｅの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 （もっと読む）

【課題】センス電流を流すことなく、記録媒体からの漏洩磁界を検出でき、高記録密度の媒体に対応することのできる磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁化が固定された磁化固定部５１と、磁化固定部に接合され外部磁界によって磁化が変化する磁化自由部５２と、磁化固定部と磁化自由部にそれぞれ接続された一対の出力端子５６，５７を備える。磁化固定部と磁化自由部の接合部５３は磁壁トラップを構成する。磁化自由部中の磁壁の移動に伴うスピン起電力を用いて外部磁界の変化を検出する。 （もっと読む）

【課題】 効率良くスピン波を伝えることが可能なスピン波素子を提供すること。
【解決手段】 絶縁性磁性体から成る第一の磁性層と、前記第一の磁性層上に設けられた入力部と、前記第一の磁性層と接する非磁性の導体閉路と、前記導体閉路と接し、絶縁性磁性体から成る第二の磁性層とを有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第１磁性層１０と、反転可能な磁化方向を有する第２磁性層３０と、第１磁性層１０と第２磁性層３０との間に形成される非磁性層２０と、第２磁性層３０との磁性結合により第２磁性層３０の磁化方向を第２磁性層３０の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第３磁性層４０と、第２磁性層３０と第３磁性層４０との間に形成され、第２磁性層３０と第３磁性層４０が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】２端子で書き込みおよび読み出しができ、多値動作させることで単位面積あたりの集積度を向上できるＭＲＡＭおよびその書き込み方法を提供する。
【解決手段】磁化の向きを一方向に固定した第１の磁性層ＰＭ、トンネルバリアとして働く第１の非磁性層ＴＢ１、スピン注入による磁化反転を生じる第２の磁性層ＦＭ１、トンネルバリアとして働く第２の非磁性層ＴＢ２および第２の磁性層と異なる電流密度でスピン注入による磁化反転を生じる第３の磁性層ＦＭ２を含む積層構造を有し、前記第１の磁性層、前記第１の非磁性層および前記第２の磁性層で第１の磁気抵抗効果を生成し、前記第２の磁性層、前記第２の非磁性層および前記第３の磁性層で第２の磁気抵抗効果を生成し、前記第１，第２の磁気抵抗効果による合成抵抗値に基づいて少なくとも３値を記録して読み出す磁気抵抗効果素子を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲインを大きくすると共に、測定誤差を低減することが可能な磁界測定方法及び磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化自由層３、非磁性層５、及び磁化固定層７を積層した積層体２を有し、長手方向を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁界を発生する磁界印加手段２２とを備え、磁化固定層７の磁化方向７Ｍは、磁化自由層３の長手方向と４５度以下の角度を成す方向に固定され、磁界印加手段２２が発生する磁界は、磁化自由層３の長手方向と４５度以下の角度を成す磁気センサ５０を準備する工程と、磁界印加手段２２によって磁化自由層３の磁化を飽和させ、磁化自由層３をその長手方向に沿った一方の方向に磁化する磁界印加工程と、磁化自由層３に対して、その長手方向に沿った他方の方向に外部磁界を印加することによってその強度を測定する磁界測定工程とを有することを特徴とする磁界測定方法。 （もっと読む）

【課題】検出対象物質を高精度に検出することができる磁気センサ素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区が一方向に連なり、且つ隣り合う該磁区同士が互いに反対方向の磁化容易軸を有する多磁区構造体を備えている磁気センサ素子であって、前記多磁区構造体は表面領域を有し、該表面領域の内、前記多磁区構造体の一方の端から数えて２ｎ−１番目（ｎは自然数）の磁区と２ｎ番目の磁区との境界に位置する第１の表面部と、２ｎ番目の磁区と２ｎ＋１番目の磁区との境界に位置する第２の表面部とは、磁性粒子あるいは該磁性粒子に固定可能な物質に対する親和性が互いに異なることを特徴とする磁気センサ素子。 （もっと読む）

【課題】情報の記録を少ない電流量で安定して行うことができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層３と、この記憶層３に対してトンネル絶縁層１５を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層２とを有し、積層方向に電流Ｉｚを流すことにより、記憶層３の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層３に対して情報の記録が行われ、磁化固定層２が非磁性層１３を介して積層された複数層の強磁性層１２，１４から成り、記憶層３及び磁化固定層２の磁化Ｍ１，Ｍ１１，Ｍ１２の向きが積層方向であり、磁化固定層２の少なくとも最も記憶層３側に配置された強磁性層１４において、両端部にそれぞれ、強磁性層の膜面方向の磁化成分を有し、かつ向きが互いに異なる磁化Ｍ１２ａ，Ｍ１２ｂを有する、磁化領域が形成されている記憶素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】情報の記録を少ない電流量で安定して行うことができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１６と、この記憶層１６に対してトンネル絶縁層１５を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層２とを有し、積層方向に電流Ｉｚを流すことにより、記憶層１６の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１６に対して情報の記録が行われ、磁化固定層２が非磁性層１３を介して積層された複数層の強磁性層１２，１４から成り、この磁化固定層２のうち少なくとも最も記憶層１６側に配置された強磁性層１４において、強磁性層１４の両端部に、それぞれ積層方向の磁化成分を有し、かつ向きが互いに異なる磁化Ｍ１２ａ，Ｍ１２ｂを有する、磁化領域が形成されている記憶素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 誤書き込み耐性が高く、書き込み電流の小さな磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、半導体基板１の表面の上方に設けられ、方向を固定された磁化を有する、磁化固定層１１を含む。第１磁化可変層１３は、磁化固定層の上方に設けられ、方向が可変の磁化を有し、半導体基板の表面と角度を有する平面上で半導体基板の表面に対して平行でなく且つ直交しない方向に沿った磁化容易軸を有する。
第２磁化可変層１５は、第１磁化可変層の上方に設けられ、外磁場が印加されていない状態で第１磁化可変層と反強磁性結合する磁化を有する。第１書き込み線３は、第２磁化可変層の上方において第２磁化可変層と電気的に接続され、平面を貫く方向に延びる。第２書き込み線４は、第１磁化可変層および第２磁化可変層の少なくとも一方に面し、半導体基板の表面と平面に沿い且つ第１書き込み線と直交する方向に延びる。 （もっと読む）

【課題】強い磁界が加わった場合におけるオフセットの動きを抑制することができ、その結果、耐強磁界特性を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサ１は、石英基板２上に、磁気抵抗効果素子３１と磁気抵抗効果素子３１の両端に接続される永久磁石膜３２、３２とからなるＧＭＲ素子１１〜１４、２１〜２４を形成し、これら磁気抵抗効果素子３１、３１，…により２軸方向の磁界の大きさを検出するもので、磁気抵抗効果素子３１のピンド層のピン止めされた磁化の向きと、磁気抵抗効果素子３１の長手方向とは、４５°の角度をなすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強い磁界が加わった場合におけるオフセットの動きを抑制することができ、その結果、耐強磁界特性を向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサ１は、石英基板２上に、磁気抵抗効果素子３１と磁気抵抗効果素子３１の両端に接続される永久磁石膜３２、３２とからなるＧＭＲ素子１１〜１４、２１〜２４を形成し、これら磁気抵抗効果素子３１、３１，…により２軸方向の磁界の大きさを検出するもので、磁気抵抗効果素子３１のピンド層のピン止めされた磁化の向きと、磁気抵抗効果素子３１の長手方向とは、４５°の角度をなすとともに、ピンド層のピン止めされた磁化の向きは、永久磁石膜３２、３２の着磁後の磁化の向きと同じであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転現象の低減を図った磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，磁気再生装置，および磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化自由層１３４０，磁化固着層１３４２，これらの間に配置される中間層１３４１，を有する磁気抵抗効果膜１２００と，磁気結合層１３４３と，強磁性層１３４４と，反強磁性層１３２０と，磁化自由層１３４０に対して，磁気抵抗効果膜１２００の膜面に略平行かつ前記磁化固着層１３４２の磁化方向に略垂直な方向のバイアス磁界を加えるバイアス機構部と，磁気抵抗効果膜１２００に，磁化固着層１３４２から前記磁化自由層１３４０に向かう方向の電流を通電するための一対の電極１１１０，１１４０と，を具備し，バイアスポイントが５０％より大きい。 （もっと読む）

【課題】素子破壊が発生しない低電流密度でスピン反転し、低電流で書き込みを行うことを可能にする。
【解決手段】磁化の向きが固着された磁化固着層４と、磁化の向きが可変の磁気記録層６と、磁化固着層と磁気記録層との間に設けられた非磁性層５とを備え、磁化固着層の磁化の向きと磁気記録層の磁化の向きが０度より大きく、１８０度よりも小さい角度をなしており、磁気記録層にスピン偏極した電子を注入することにより磁気記録層の向きを反転させる。 （もっと読む）

【課題】１つの部品で複数の方向の磁場強度をそれぞれ独立して同時に検出することが可能な磁気センサおよびこれを用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、１枚の基板１１と、この基板１１上に設けられた４つの磁気インピーダンス素子１２とを有する。磁気インピーダンス素子１２は、短冊形状に形成された磁性体からなる。こうした４つの磁気インピーダンス素子１２のうち、２つの磁気インピーダンス素子１２ａ，１２ｂは、短冊形状の長手方向Ｌが第１の方向、例えば図１中のＸ軸方向を向いて配置される。また、他の２つの磁気インピーダンス素子１２ｃ，１２ｄは、短冊形状の長手方向Ｌが第１の方向と直交する第２の方向、例えば図１中のＹ軸方向を向いて配置される。 （もっと読む）

本発明は、磁性多層膜、その製造方法及び磁性メモリにおける応用に関するものであり、当該磁性多層膜の各層が閉鎖の円環形または楕円環形であり、その磁性セルには、強磁性を有する薄膜層の磁気モーメントまたは磁束が、時計方向または反時計方向の閉鎖状態に形成される。本発明は、また前記の閉鎖形状磁性多層膜の幾何中心位置に1つの金属芯が設けられる磁性多層膜に関するものであり、当該金属芯の横断面が対応的に円形または楕円形状である。本発明は、さらに前記閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）磁性多層膜により製造される磁性メモリ。本発明は、微細加工方法によって前記閉鎖形状磁性多層膜を製造する。本発明に係る閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）形状の磁性多層膜は、磁気ランダムアクセスメモリ、コンピュータ磁気読み出しヘッド、磁気センサー、磁気論理デバイス、スピントランジスタなどのような磁性多層膜を核とする各種のデバイスに広く用いられる。
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【課題】自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。
【解決手段】強磁性自由層７２２は、自由層の蒸着平面およびＡＢＳ平面の交点として画定される長手方向軸に対して角度θ_ｆｂの第１の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。強磁性の基準層７１６は、前記第１の方向に直交しない前記長手方向に対して角度θ_ｒｂの第２の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。 （もっと読む）