【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつ書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。記録層１７を構成する磁性層のうち中間層１６と接する磁性層１７Ａ−１は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）を含む合金からなり、かつその膜厚が中間層１６と接していない磁性層の膜厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温域において従来のものよりも良好に動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】ＧａＮからなり室温での電子濃度が１×１０¹⁶／ｃｍ³以下である第１層２ａと、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．３）からなる第２層２ｂとを積層することで、ヘテロ接合界面を有する動作層２を形成する。これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。その結果、室温においては定電流駆動および定電圧駆動の双方で高い測定感度を有するとともに、高温でも定電流駆動によって室温と同程度の測定感度で使用できるホール素子が実現される。 （もっと読む）

【課題】低い磁化および低いダンピング定数を合わせ持つ磁性材料を提供する。
【解決手段】Co-Fe-B合金に元素X（CrまたはV）を添加した(Co-Fe)_aX_bB_c (CoとFeの組成比は任意でa=45-80％、b=5-25％、c=15-30％)の組成を持つ磁性材料である。 （もっと読む）

【課題】線記録密度方向の高い再生分解能及び安定した応答特性を有する差動動作型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】第一の磁気抵抗効果膜（固定層／中間層／自由層）１００／導電性ギャップ層１１０／第二の磁気抵抗効果膜（自由層／中間層／固定層）１２０からなる差動動作型の磁気抵抗効果膜において、導電性ギャップ層を、第一の自由層及び第二の自由層に対して、トラック方向に縦バイアス磁界を印加する為の、バイアス磁界付与層で構成する。バイアス磁界付与層は、２層の非磁性層に挟まれた、トラック幅方向に磁化が固定された強磁性層からなる。 （もっと読む）

【課題】磁界検出素子において、スピントルク効果を抑えると共に、高い磁気抵抗効果の実現とシールド間ギャップの低減を図る。
【解決手段】磁界検出素子は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第１、第２、第３の磁性層６，８，１０であって、第２の磁性層８が第１の磁性層６と第３の磁性層１０との中間に位置する第１、第２、第３の磁性層と、第１及び第２の磁性層の間に挟まれ、第１及び第２の磁性層の間で磁気抵抗効果を生じさせる第１の非磁性中間層７と、第２及び第３の磁性層の間に挟まれ、無磁場中で第２の磁性層と第３の磁性層とを磁化方向が互いに反平行の向きとなるように交換結合させる第２の非磁性中間層９と、を有し、センス電流が膜面直交方向に流れるようにされた積層体２と、積層体の記録媒体対向面の反対面に設けられ、積層体に記録媒体対向面Ｓと直交する方向のバイアス磁界を印加するバイアス磁性層１４と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ソース電極とドレイン電極の磁気抵抗変化率が十分大きなスピントランジスタ及びこのようなスピントランジスタを使用した半導体メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係るスピントランジスタ１は、強磁性体からなるソース電極層Ｓと、強磁性体からなるドレイン電極層Ｄと、ソース電極層Ｓ及びドレイン電極層Ｄが設けられ、ソース電極層Ｓにショットキー接触した半導体ＳＵＢと、半導体ＳＵＢ上に直接又はゲート絶縁層ＧＩを介して設けられたゲート電極層ＧＥと、半導体ＳＵＢ上にソース電極層Ｓを介して設けられ、ソース電極層Ｓを構成する強磁性体の磁化方向ＳＭと同方向にスピン偏極した電子ｅｍを注入するスピンフィルタ層Ｆとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。
【解決手段】スピントランジスタ１０は、基板上に設けられ、かつ磁化方向が固定された第１の強磁性層１４と、基板上に第１の強磁性層１４から第１の方向に離間して設けられ、かつ磁化方向が可変の第２の強磁性層１５と、第１の方向に延在するように基板上に設けられ、かつ第１の強磁性層１４及び第２の強磁性層１５に挟まれた複数のフィン１２と、複数のフィン１２にそれぞれ設けられた複数のチャネル領域１３と、複数のチャネル領域１３上に設けられたゲート電極１９とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板３１の表面領域には不純物拡散層３２が形成され、不純物拡散層３２上には、（００１）配向したＭｇＯ層３３が形成されている。さらに、ＭｇＯ層３３上には、エピタキシャル成長したホイスラー合金３４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズの抑制とスピントルクの影響の抑制とを可能とする抵抗値を有し、且つ大きなＭＲ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子を実現する。
【解決手段】ＭＲ素子は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。第２の領域４２は、第１の領域４１と第３の領域４３に挟まれている。第１の領域４１および第３の領域４３は酸化物半導体によって構成され、第２の領域４２は、非磁性導体相と酸化物半導体相のうち少なくとも非磁性導体相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高出力で高感度な磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置を提供する
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、固定磁化層と、自由磁化層と、前記固定磁化層と自由磁化層の間に挿入される非磁性層とを備え、前記自由磁化層と前記固定磁化層の少なくとも一方は、Ｃｏ及び／又はＦｅを構成成分として含みＭｇをさらに含むＣｏＦｅＭｇ合金膜で構成され、当該ＣｏＦｅＭｇ合金膜は、（Ｃｏ_ｘＦｅ_100-ｘ）Ｍｇ_ｙ（ここで０≦ｘ≦１００，０<ｙ<３０ａｔ％）の組成範囲の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、この基板１上に設けられた第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）２と、この第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２の上に設けられた電子走行層としてのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）３と、このＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層３の上に設けられた第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）４とを備えている。第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ読取りセンサのサイズが低減されるにつれ、固定磁性層における磁化の安定化が犠牲になる。したがって、固定磁性層の磁化の安定化を向上させる必要がある。
【解決手段】センサ１１０の中央のセンサスタック１３０は、第１の磁気シールド層３４の上に形成され、キャップ層６２、自由磁性層５４およびトンネル障壁層５０の後壁６６を有して形成される。それに加えて、固定磁性層１２４およびＡＦＭ層１２０の後壁１３２も形成される。センサ１１０の側壁７０の間の距離がセンサの読取り幅Ｗを規定する。次に、絶縁層７４が側壁７０上に堆積される。その後、Ｃｏ−Ｐｔ合金などの材料から成る磁気ハードバイアス素子７６が、側壁７０に近接した絶縁層７４上またはその上方に形成される。続いて、第２の磁気シールド層８６が、キャップ層６２およびハードバイアス素子７６の上またはそれらの上方に形成される。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができるメモリを提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、中間層１６が絶縁体から成り、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７の周囲にある、記憶層１７よりも熱膨張係数が小さい絶縁層から、記憶層１７に歪が印加されている記憶素子３と、記憶素子３の積層方向に流す電流を供給する配線とを備えたメモリを構成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくともそれぞれ２つの磁性層から成る少なくとも２つの磁気抵抗素子と、少なくとも２つの信号端子に対する少なくとも１つの導体とを備えた再構築可能な磁気論理回路配列体に関し、該磁性層はそれぞれ中間層によって相互に分離されており、該磁性層のうち１つは基準層として、外部磁界に影響されても磁化を実質的に変化せず、他方の磁性層は自由層として、外部磁界に影響されると磁化を検出可能に変化し、該導体が通電されている状態では該導体によって、該磁気抵抗素子に作用して該自由層の磁化を切り換える第１の磁界が生成され、当該磁気論理回路配列体はさらに、該磁気抵抗素子に影響する第２の可変の磁界を必要に応じて生成するための第２磁界生成装置も備えている。このような回路配列体では、前記のような２つの磁気抵抗素子が相互に隣接して配置され、前記２つの基準層の磁化は、予め設定された一軸異方性によって相互に逆方向に配向され、前記第１の磁界および前記第２の磁界が前記磁気抵抗素子に作用して前記自由層の磁化の配向が変化し、ひいては該磁気抵抗素子の抵抗が変化することによって論理回路配列体においてすべての基本的な論理関数の切換動作が行われるように該磁気抵抗素子は相互に接続されており、とりわけＡＮＤ関数、ＯＲ関数、ＮＡＮＤ関数、ＮＯＲ関数、ＸＯＲ関数またはＸＮＯＲ関数の切換動作が行われるように該磁気抵抗素子は相互に接続されている構成によって発展される。
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【課題】応力によるＧＭＲ素子のヒステリシス特性の悪化を防いだ上で、その上に形成される再配線の自由度を向上させることができる磁気センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、基板１１の厚さ方向に直交する平坦面と該平坦面に対して傾斜する斜面１５ａ，１５ｂとが形成され、平坦面上及び斜面１５ａ，１５ｂ上に、フリー層、スペーサ層及びピン層を積層してなるＧＭＲ素子を備えた磁気センサにおいて、ＧＭＲ素子上には、平坦面上及び斜面１５ａ，１５ｂ上に亘って配され、ＧＭＲ素子を覆うとともに、平坦面と平行をなす平坦化面１１ｚを有するポリイミド膜１１ｐが形成され、ポリイミド膜１１ｐ上にはモールド樹脂層１１ｓが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性に優れた磁気センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１の上にフリー層、スペーサ層及びピン層を積層してなるＧＭＲ素子とを備えた磁気センサにおいて、ＧＭＲバー１２ａ−２の上にはＧＭＲバー１２ａ−２を被覆するＣＶＤ酸化膜１１ｏが形成され、ＧＭＲバー１２ａ−２とＣＶＤ酸化膜１１ｏとの間には金属酸化膜１１ｒが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって分離されている高感度層である第２のフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは磁気脱共役のために第２分離層（４４０）によって前記高感度層から分離された第２の磁化が固定された磁気層（４５０）を更に備え、前記第１および第２の分離層は前記高感度層の両側に位置し、外部磁場がない場合、前記第１の磁化が固定された磁気層および前記高感度層の各磁化は実質的に垂直である。前記第２ピン層の磁化配向は選択される。 （もっと読む）