【課題】小さい径の磁気微小接合点を高純度で形成し、高い磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性層上に金属層を形成し、前記金属層を酸化して、未酸化の金属が残存した酸化物層と、前記酸化物層の膜厚方向に侵入した前記第１の強磁性層の構成元素の少なくとも一部を含む磁性導電カラムとを形成し、前記酸化物層を形成するときの温度よりも高い温度で加熱して、前記磁性導電カラムの外周の少なくとも一部を変換して、前記酸化物層の構成元素の少なくとも一部と前記磁性導電カラムの構成元素の少なくとも一部を含む磁性酸化物を形成し、第２の強磁性層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低電圧のスピン注入電流により高抵抗状態から低抵抗状態へ書き換えることができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐウエル２にはソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。ソース領域３上には強磁性体層６が形成され、ドレイン領域４上には強磁性体層９が形成されている。強磁性体層９上には、非磁性体層１０、第３強磁性体層１１が形成されている。ｐウエル２上にはオーミック電極１３が形成されている。強磁性体層６と強磁性体層１１は磁化が不変とされ、強磁性体層９は磁化が可変とされる。さらに、強磁性体層１１とオーミック電極１３との間には、強磁性体層９を介して電流が流される。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪、低ＲＡ値および高ＴＭＲ比と維持し、ノイズを低減する。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から硼素を含まないＮＢＣ層と、硼素を含有するＢＣ層とが交互に積層された複合構造を有する。ＮＢＣ層は、ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＭ，またはＣｏＦｅＬＭなどからなり、トンネルバリア層と接している。ＢＣ層は、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＢＭ，ＣｏＢ，ＣｏＢＭ，またはＣｏＢＬＭなどからなり、ＮＢＣ層よりも大きな厚みを有する。ＭおよびＬは、Ｎｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＴｂおよびＮｂのうちのいずれか１種の元素を表す。ＭとＬとは互いに異なる元素である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易な構造の磁気抵抗効果膜２を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果膜２は、ハーフメタリック反強磁性体からなるハーフメタリック反強磁性層21と、非磁性スペーサ層22と、磁化の方向が変化する磁化自由層23とを積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＴＭＲ素子は、下部シールド層１０の上に、シード層１４，ＡＦＭ層１５，ピンド層１６，トンネルバリア層１７，フリー層１８，キャップ層１９が順に積層された積層体１を有する。フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の層、第２の層および第３の層が順に積層された複合構造を有する。第１の層は、Ｆｅ_100-X Ｃｏ_X （但し０≦Ｘ≦１００）で表される化合物または鉄コバルト含有合金からなる。第２の層は、（Ｃｏ_100-V Ｆｅ_V ）_100-Y Ｂ_Y （但し１０≦Ｖ≦７０，５≦Ｙ≦４０）で表わされる化合物またはコバルト鉄ボロン含有合金からなる。第３の層は、Ｃｏ_100-Z Ｂ_Z （但し１０≦Ｚ≦４０）で表わされる化合物、またはコバルトボロン含有合金（ＣｏＢＱ；Ｑは、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，またはＳｉである）からなる。 （もっと読む）

補償素子を有するスピン転移トルクメモリが開示される。スピン転移トルクメモリユニットは、合成反強磁性リファレンス素子と、合成反強磁性補償素子と、合成反強磁性リファレンス素子と合成反強磁性補償素子との間の自由磁化層と、自由磁化層を合成反強磁性リファレンス素子から分離する電気的絶縁および非磁性トンネリングバリア層とを含む。自由磁化層は、１１００ｅｍｕ／ｃｃよりも大きな飽和モーメント値を有する。
（もっと読む）

【課題】磁性細線の磁壁移動に要する電流を低減し、且つ磁壁保持時の状態を安定にする。
【解決手段】磁性細線の材料として、遷移温度を境に磁化容易軸が面内方向と垂直方向とで遷移する材料を用いる。この場合、磁性細線１２の磁化容易軸が面内方向である第１の状態にあるときには、磁壁４８を移動させるための電流供給が行われず、磁壁の移動に要する電流が小さい磁化容易軸が垂直方向である第２の状態にあるときにのみ、磁壁を移動させるための電流供給が行われるようなシーケンスを実行することにより、磁壁移動時に必要とする電流を低減することが可能である。また磁壁４８を移動しない状態は第１の状態であり、磁壁の保持を安定化させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】加熱処理温度をできるだけ抑えてL1₀型の規則相を有するFePtからなる磁性膜を製造する方法、及びこの磁性膜を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】Feを主成分とする層３ａと、Ptを主成分とする層３ｂとを交互に積層し、（110）配向させて成膜する成膜工程と、前記Feを主成分とする層３ａと前記Ptを主成分とする層３ｂを加熱し、前記Feを主成分とする層と前記Ptを主成分とする層との界面においてFeとPtとを拡散させ、L1₀型に規則化させる加熱工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】更なる高記録密度化が実現可能な磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、内部の磁化の向きが固定されているリファレンス層１４３ｃと、リファレンス層１４３ｃ上に非磁性材料で形成された非磁性層１４４と、この非磁性層１４４上に、ＣｏＦｅＡｌにＳｉ又はＧｅが添加された磁性材料で形成され、磁化の向きが、外部の磁界の向きに応じた向きに変化する自由磁化層１４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来不可能とされていた電気抵抗×面積が０．３Ω・μｍ^２、かつ磁気抵抗変化率が５％以上となる磁性薄膜素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 （もっと読む）

ＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、本質的に、強磁性参照層、ＭｇＯトンネル障壁層、および強磁性自由層を含む。金属Ｍｇの成膜とその後に続く酸化プロセスまたは反応性スパッタリング法により形成される、ＭｇＯトンネル障壁層の微細構造は、僅かながら（００１）面直方向組織を有する非晶質または微結晶質である。本発明では、少なくとも強磁性参照層のみが、または強磁性参照および自由層の両方が、トンネル障壁に隣接する結晶質優先グレイン成長（ＰＧＧＰ）シード層を有する２層構造であることが提案されている。この結晶質ＰＧＧＰシード層は、成膜後アニールの後、ＭｇＯトンネル障壁層の結晶化および優先グレイン成長を誘起する。
（もっと読む）

【課題】CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、ピニング層とピン止めされる強磁性層の交換結合特性を劣化させることなく、磁気抵抗効果センサ膜の発熱を抑制し、放熱を向上させ、さらに高いSNRを達成する。
【解決手段】下部シールド層11と上部シールド層21との間に、少なくともピニング層13を有する磁気抵抗効果センサ膜20が配置されているCPP構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効果センサ膜20を構成する少なくともピニング層13の側壁に、ピニング層13を構成する材料の電気抵抗率よりも小さい電気抵抗率を有する材料から構成される側面金属層30を設け、さらに側面金属層30が磁気抵抗効果センサ膜側壁に沿って下部シールド層11と接するように配置する。 （もっと読む）

【課題】電子移動度の低下を最小限に抑えつつ、抵抗の温度依存性を低減させ、さらに薄膜製作の再現性や制御性に優れた、ｎ型ドーパントとしてＳｎを含むＩｎＳｂ薄膜を用いた半導体薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に直接的にまたは有機物接着層もしくはバッファ層を介して間接的に積層されたＩｎＳｂを含む化合物半導体薄膜層からなる動作層中もしくは該動作層に隣接したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をＭＢＥ法により形成する際に、ドーパントとしてＳｎを、基板温度３８０℃〜４００℃の範囲、ＳｎのＫセル温度５００℃以上かつ１０００℃以下の範囲でドーピングする。 （もっと読む）

【課題】コバルト基ホイスラー合金はハーフメタル材料（Ｐ＝１）の候補として期待されているが、点接触アンドレーフ反射法（ＰＣＡＲ法）により測定されたスピン偏極率はいずれもハーフメタルの値（Ｐ＝１）よりずっと低いＰ＝０．６程度である。従来にはない高いスピン偏極率を有するＣｏ基ホイスラー合金を提供する。
【解決手段】組成式Ｃｏ２ＭｎＷ１−ＸＧａＸ（ただし、0＜Ｘ＜1、Ｗ：Ｓｉ，Ｇｅ又はＳｎのいずれかの元素）であるＣｏ基ホイスラー合金とすることにより、ＰＣＡＲ法により測定されたスピン偏極率を従来にはない高いものとする。 （もっと読む）

【課題】飽和磁化Msを低く抑えながら高Kuを提供することが可能な磁性薄膜とその成膜方法、ならびにこの磁性薄膜を適用した各種デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁性薄膜は、L1₁型の原子の規則構造を有するCo-M-Pt合金（前記Mは単一若しくは複数のCo,Pt以外の金属元素を示す。）を含むものとし、例えば、前記Co-M-Pt合金は、Co-Ni-Pt合金であり、組成は、Coが１０〜３５（ａｔ％）、Niが２０〜５５（ａｔ％）、残部はPtとする。また、前記磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体、トンネル磁気抵抗素子（ＴＭＲ）、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、ＭＥＭＳデバイス等において使用される磁性膜に適用する。 （もっと読む）

【課題】リード特性を損なうことなく磁気抵抗効果膜の薄膜化を可能とし、これによってリードギャップを狭くし、記録媒体の高記録密度化を可能にする。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果膜は、反強磁性層１２と、該反強磁性層１２に積層された固定磁化層１３ａとを備え、前記反強磁性層１２が、多結晶構造を備えるL1₂型規則合金であるMn₃Irからなる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率を低下させつつ磁気抵抗変化率を増大させることができる電磁変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４２は、所定の方向に磁化を固定する固定磁化層５５と、固定磁化層５５上に積層されて、Ｂ（ボロン）を含む絶縁材料から形成される絶縁層５９と、絶縁層５９上に積層されて強磁性材料から形成され、外部磁化の作用に応じて磁化方向の変化を許容する自由磁化層６１とを備える。こうした磁気抵抗効果素子４２では絶縁層５９にＢが含まれる。Ｂの働きで絶縁層５９では伝導パスが増大する。その結果、従来の磁気抵抗効果素子に比べて電気抵抗率（ＲＡ）は低下する。同時に、磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は増大する。その結果、磁気抵抗効果素子の感度は高められる。こういった磁気抵抗効果素子は記録密度の向上に大いに貢献することができる。 （もっと読む）

【課題】微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を保ち、大容量化を実現する。
【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子は、垂直磁化を有する記録層１１と固定層１２との間に非磁性層１３を有し、非磁性層１３と固定層１２との間に磁性金属層１８を有し、非磁性層１３と記録層１１との間に磁性金属層１９を有する。非磁性層１３は、（００１）面が配向したＭｇＯを備え、磁性金属層１８，１９は、（００１）面が配向した、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金から選ばれる磁性材料を備え、記録層１１と固定層１２の少なくとも一方は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも１つを含む層と、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ａｕ、Ｃｕの少なくとも１つを含む層とが交互に積層され、磁性金属層１９のダンピング定数は、記録層１１のダンピング定数より小さい。 （もっと読む）

【課題】 ハーフメタルと同じ機能を室温で実現するスピンＦＥＴを提供する。
【解決手段】 半導体基板１は（１００）Ｓｉ、トンネル障壁層４，６は（１００）ＭｇＯ、ソース電極５及びドレイン電極７はそれぞれ（１００）Ｃｏ_ＸＦｅ_１−Ｘ（０≦Ｘ≦１）から構成する。ソース電極５の磁化の向きＭＳは固定されており、ドレイン電極７の磁化の向きＭＤは外部から変更することができる。この素子は、ハーフメタルを用いてないにも拘らず、室温でスピンＦＥＴを実現することができる。 （もっと読む）