【課題】 特に、ＤＣ耐圧性やＥＳＤ耐性、磁気抵抗変化率の電圧依存特性に優れた１００％以上の高い磁気抵抗変化率を有する磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 外部磁界に対して電気抵抗値が変動するＴＭＲ素子３を備える磁気センサ１であって、前記ＴＭＲ素子３は、反強磁性層１１、固定磁性層２３、絶縁障壁層１６、及びフリー磁性層２４を順に積層して成り、前記絶縁障壁層１６は、膜厚が１６Å〜４０ÅのＭｇ−Ｏで形成されていることを特徴とするものである。また、ＴＭＲ素子を構成する各層の界面と平行な面は、略円形状であり、直径が５μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。またＴＭＲ素子３は、８個以上、直列接続されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつ書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。記録層１７を構成する磁性層のうち中間層１６と接する磁性層１７Ａ−１は、コバルト（Ｃｏ）及び鉄（Ｆｅ）を含む合金からなり、かつその膜厚が中間層１６と接していない磁性層の膜厚より大きい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部磁気シールド層４、上部磁気シールド層２、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３、磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段とを含む磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は、固定層５１、非磁性層５２、酸化物層からなる絶縁障壁層５３、自由層５４がこの順番で成膜され、酸化物層にチタンとニッケルの少なくとも一方を含有する。 （もっと読む）

【課題】 差動型再生ヘッドにおいて、２つの磁気抵抗効果素子の最大抵抗変化量が異なっていてもベースラインシフトが生じずに、良好なビットエラーレートが得られる再生ヘッドを提供する。
【解決手段】 差動型再生ヘッド２０は、第１の自由層２１０を有する第１の磁気抵抗効果素子２００と、差動ギャップ層１００と、第２の自由層３１０を有する第２の磁気抵抗効果素子３００が積層された積層構造４００を有す。ここで第１の磁気抵抗効果素子２００と第２の磁気抵抗効果素子３００の最大抵抗変化量がそれぞれＤＲ１とＤＲ２とし、第１の自由層に印加する磁区制御磁界をＨＢ１、第２の自由層に印加する磁区制御磁界をＨＢ２とするとき、以下の関係を満たすようにする。ＤＲ１＞ＤＲ２のとき、ＨＢ１＞ＨＢ２ＤＲ２＞ＤＲ１のとき、ＨＢ２＞ＨＢ１。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を維持しつつ、より低抵抗であるグラニュラ膜を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直にセンス電流を流すための一対の電極とを有し、前記磁化固着層および前記磁化自由層の少なくともいずれか一方は、Ｃｏ，ＦｅまたはＮｉを含む磁性層と、Ｍｎを含有する金属材料および酸素を含有する機能層とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】角型性にすぐれ、ノイズの改善が図られ、安定した磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の一方により構成される磁化自由層が、非晶質もしくは微結晶構造を有する材料の単層、あるいは主な部分が非晶質もしくは微結晶構造を有する材料層からなり、磁化自由層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分と、含有量が１０原子％〜３０原子％のＢ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上とを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。
【解決手段】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。強磁性体自由層（１４）は、回転可能な磁気モーメントを有し、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層（１８）は固定した磁気モーメントを有し、ＰｔＭｎＸピンニング層（２０）に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層（１６）は、自由層（１４）とピン化層（１８）との間に設けられている。 （もっと読む）

磁場又は熱アシストスピン移動による書き込み用の磁性素子が、スタックを備え、該スタックが：・自由磁性層であって、スイッチ可能な磁化層（５１）又は記憶層とも呼ばれ、その磁化方向が、２つの非−書き込み安定状態の間をスイッチ可能であり、いずれも、面外及び前記層の平面に実質的に垂直に向けられ、書き込みの間の温度上昇の影響下において、その磁化が、平面に実施的に垂直な方向から、実質的に面内に、自発的に再配向される自由磁性層；・少なくとも１つの参照磁性層（５０，５５）であって、ピン止め層とも呼ばれ、その磁化が、前記層の平面と実質的に垂直に配向された参照磁性層；・前記２つの層の間に挿入された非磁性スペーサ（５２）；・前記層の平面に垂直に電流を流すための手段；を備える。
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【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】高分解能および高信号対雑音比を実現可能な磁気再生ヘッドを提供する
【解決手段】再生ヘッド１は、下部シールド層２と上部シールド層１８の間にＭＴＪ素子１６を配置したＴＭＲセンサである。ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。これにより、ＭＴＪ素子１６の結晶構造が、平滑性や均質性に優れたものとなる。複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。これにより、実効シールド間距離がより低減される。 （もっと読む）

【課題】 スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 強磁性体層１１上には絶縁体層１２が形成されている。絶縁体層１２上にはフルホイスラー合金層１３が形成され、フルホイスラー合金層１３上には、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４が形成されている。さらに、強磁性体層１４上には非磁性層１５が形成され、非磁性層１５上には強磁性体層１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】微小な磁場の印加でも、高い磁気抵抗変化率を得ることができる、強磁性セラミック組成物を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１の磁気抵抗素体２として有利に用いられるものであって、Ｓｒ_２Ｃａ_ｘＦｅ_ｙＭｏＯ_６で示される強磁性セラミック組成物。低温（たとえば液体窒素温度）で用いられる場合には、０．０３≦ｘ≦０．２、０．８≦ｙ≦０．９９、およびｘ＋１．４ｙ≧１．２２の各条件を満たし、常温で用いられる場合には、０．０５≦ｘ≦０．２、０．９５≦ｙ≦０．９９、およびｘ−２．５ｙ≧−２．２２５の各条件を満たすようにされる。この強磁性セラミック組成物は、Ｓｒ_２ＦｅＭｏＯ_６のダブルペロブスカイト構造の基本組成に対して、ＢサイトのＦｅを理論組成値よりも所定の範囲減らしながら、Ｃａを添加することにより、このＣａをＢサイトに導入しながら、Ｃａの一部を結晶粒界に析出させたものである。 （もっと読む）

【課題】高密度に集積化が可能な、高感度でかつ高信頼性の小型３軸磁気センシング装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】３軸磁気センシング装置において、基板の表面上の平坦部にあるＸ軸に感磁軸を有するように形成されたＸ軸薄膜磁気センサーと、Ｘ軸に対して９０°のＹ軸に感磁軸を有するように形成されたＹ軸薄膜磁気センサーと、基板の上面に平坦部と所定の角度をなすように設けられた傾斜面を有した凹部と、基板の表面に対して垂直方向に伸びるＺ軸に感磁軸を有するように形成されたＺ軸薄膜磁気センサーと、を具備し、Ｚ軸薄膜磁気センサーが、磁気検知素子と磁気誘導部材からなり、磁気検知素子は基板表面の平坦部に形成され、磁気誘導部材は傾斜面に形成されると共に、磁気検知素子と磁気誘導部材とが磁気的に結合されている構成となっている。 （もっと読む）

【課題】製造における薄膜構造制御が容易であり、かつ、磁化が２５００Ｇ以上、好ましくは３０００Ｇ以上の磁化を有する強磁性Ｆｅ酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｌ_{１００−ｘ−ｙ}Ｆｅ_ｘＯ_ｙ（但し、９０≦ｘ＋ｙ＜１００，２７≦ｘ≦６７，３７≦ｙ≦６７，Ｌ：Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｒおよびＭｇの一種または二種以上の元素、各数字は原子比率を示す）で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗効果が発現する磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、第一の磁性膜１１と、第一の磁性膜１１上のトンネルバリア膜１４と、トンネルバリア膜１４上の第二の磁性膜１６とを備える。第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。トンネルバリア膜１４は、第一の磁性膜１１とトンネルバリア膜１４との界面における第一の磁性膜１１の膜面に対してその法線方向に(001)配向するNaCl型結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリアの絶縁破壊寿命と磁気抵抗比を向上させる。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、基板の上方に形成された第１の強磁性層１０２と、前記第１の強磁性層の上方に形成された第２の強磁性層１０４と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、金属酸化物で形成された絶縁層２０７と、前記絶縁層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、前記絶縁層の前記第２の強磁性層側の面に接し、前記金属酸化物を構成する金属元素と同じ金属元素を含有する非磁性金属層２０８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】線記録密度が向上しても高い再生出力、分解能ならびにＳＮＲが得られる磁気記録再生ヘッドを提供する。また、十分なビットエラーレートが得られる磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録再生ヘッド１０は、差動型再生ヘッド２０と記録ヘッド２５を有する。差動型再生ヘッド２０は、第１の自由層２１０を有する第１の磁気抵抗効果素子２００と、差動ギャップ層１００と、第２の自由層３１０を有する第２の磁気抵抗効果素子３００が積層された積層構造４００を有し、積層構造４００の外側に一対の電極５０，５１と、一対の磁気シールド３０，３１を有する。ここで、第１の自由層２１０と第２の自由層３１０の内側の距離(G1)とビット長(b1)の比(G1/B1)を、０．６以上１．６以下に設定する。 （もっと読む）