【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、改良されたＱ値を有する無線周波数発振器を提供する。
【解決手段】この無線周波数発振器は、ＲＫＫＹ（Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida）結合により互いに結合された、少なくとも３つの強磁性またはフェリ磁性層を積層してなる自由層１０および／または参照層を有し、少なくとも２つの副層間は、反強磁性ＲＫＫＹ結合により、磁気的に互いに結合されている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗型積層構造体に対し少なくとも部分的に内部磁界を加える集積された磁性層によって、磁気抵抗型積層構造体のΔＲ／Ｒ−Ｂ特性における動作点をシフトさせる。
【解決手段】強磁性材料から成る軟磁性層である磁性層１２，１２′を有する積層列１６が設けられており、磁性層１２，１２′の磁化方向は積層構造体５外部からの外部磁界により可変である。磁性層１２，１２′の間に非磁性かつ導電性の中間層１３が配置されている。硬磁性層１５が磁気抵抗型積層構造体５に少なくとも部分的に組み込まれており、この硬磁性層は２つの磁性層と非磁性かつ導電性の中間層１３との界面の領域に磁界を印加し、硬磁性層１５の磁界により、磁気抵抗型積層構造体５の特性曲線における動作点がシフトされ、磁気抵抗型積層構造体５の電気抵抗は外部磁界に依存して可変である。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第１接合磁性層、第１接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第１垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第２接合磁性層、第２接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第２垂直磁性層、及び第１接合磁性層と第１垂直磁性層との間の非磁性層を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲセンサの面積抵抗ＲＡが1.0Ωμm²以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないＴＭＲヘッドを得る。
【解決手段】第２の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する工程から絶縁障壁層ＭｇＯを成膜する工程にかけて、基板の温度を氷点下１００℃に保つことにより、Ｂ濃度10at%以下でもアモルファス状態のCo-Fe-B合金膜を得ることができる。アモルファスCo-Fe-B合金層上に結晶性の良いＭｇＯを形成することができる。また、MgO上の第３の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下１００℃に保持しながら形成することにより、Ｂ濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。得られたＴＭＲセンサ膜は低濃度のＢを含むアモルファス状のCo-Fe-B合金膜を含むために、比較的低温(200℃)の熱処理でも大きなＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用を増大させること。
【解決手段】本発明は、第１半導体層１２と、前記第１半導体層１２上に設けられ、前記第１半導体層１２よりバンドギャップの小さい第２半導体層１４と、前記第１半導体層１２と前記第２半導体層１４との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第１界面３２と、を具備し、前記第１半導体層１２および前記第２半導体層１４の少なくとも一方は４元以上の化合物半導体層であり、前記第１界面の伝導帯の不連続エネルギΔＥｃは前記第１界面の価電子帯の不連続エネルギΔＥｖより小さい半導体積層構造である。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用を増大させること。
【解決手段】本発明は、第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられ、第１半導体層１２よりバンドギャップの小さい第２半導体層１４と、第２半導体層１４上に設けられ、第２半導体層１４より大きなバンドギャップを有する第３半導体層１６と、第１半導体層１２と第２半導体層１４との間に形成され、スピン軌道相互作用に起因した有効磁場が生じる第１界面３２と、第２半導体層１４と第３半導体層１６との間に形成されたす第２界面３２と、を具備し、第１界面３２の伝導帯の不連続エネルギは第１界面３２の価電子帯の不連続エネルギより小さい半導体積層構造である。 （もっと読む）

【課題】 臨界反転電流密度Ｊ_COを最小限に抑えつつ、熱安定性、書き込み電圧、読み出し電圧、および保磁力Ｈｃが６４ＭｂのＳＴＴ-ＲＡＭの設計要求を満たすＭＴＪナノピラー構造を得る。
【解決手段】 自然酸化法を用いて、酸素界面活性層を含むＭｇＯトンネルバリア層を形成する。フリー層４０は、ＦＬ１層５０／ＮＣＣ層５１／ＦＬ２層５２なる構造を有する。ＮＣＣ層５１は、ＳｉＯマトリクス５１ｂ中に形成されたＲＭ粒子（ＲはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭはＳｉ、Ａｌ等の金属）からなるナノ導電チャネル５１ａを含む。ＮＣＣ層５１の厚さは、ＲＭ粒子の最小粒径前後の厚さに保たれ、ＦＬ１層５０とＦＬ２層５２との間の距離を埋めるのに十分な直径を有する。 （もっと読む）

【課題】高い巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）値と中程度に低い抵抗面積積（ＲＡ）とを有する磁気抵抗装置を提供する。
【解決手段】この装置は、第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に位置する電流狭窄（ＣＣＰ）スペーサ層とを含む。スペーサ層は、第１の磁性層と第２の磁性層との間に延在する銅電流狭窄を酸化マグネシウムの母材中に含む。スペーサ層は、銅と酸化マグネシウムとの混合物によって形成され、この混合物は、銅電流狭窄を酸化マグネシウム母材内に形成するために熱処理される。 （もっと読む）

【課題】高感度で消費電力が低く、かつ、温度特性にも優れたホール素子の提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ａｓ_Ｙ１Ｓｂ_１−Ｙ１（０≦Ｘ１≦１、０≦Ｙ１≦１）からなる活性層の上下に、この活性層より大きな禁制帯幅を有する化合物半導体層を配置した半導体薄膜と、金属電極層を形成する領域の上部の化合物半導体層をエッチングして活性層が露出された半導体薄膜をすべて覆うように設けられた第一保護層と、パターンニングした第一保護層をマスクとして用いて半導体薄膜の感磁部及び電極接触部以外をエッチングして露出した基板と半導体薄膜の側面及び第一保護層を被覆した第二保護層と、この第二保護層と第一保護層とをエッチングして露出された活性層のみに接触する金属電極層とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フリー層の磁化をより安定させることが可能な、高い保磁力を有するハードバイアス構造の形成方法を提供する。
【解決手段】このハードバイアス構造の形成方法は、（ａ）第１のギャップ層２の上に、所定形状を有するセンサ構造体Ｓ１を形成する工程と、（ｂ）マグネトロンスパッタリングまたはＩＢＤ法を用いて、センサ構造体Ｓ１の側壁９ａ，９ｂと第１のギャップ層２の露出面とを連続して覆うようにシード層１０を形成する工程と、（ｃ）シード層１０に対しマイルドプラズマエッチングを行うことにより、シード層１０の表面１０ｓに複数の核形成部位を形成する工程と、（ｄ）複数の核形成部位が形成されたシード層１０の上に、ハードバイアス層１１を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサは、表面に酸化膜が形成された基板と、前記基板上に形成された楔型溝と、前記楔型溝および前記酸化膜表面の一部に形成された下地膜と、前記酸化膜、前記下地膜の表面上に形成された磁気抵抗効果素子と、を備え、前記楔型溝に形成された下地膜は、前記基板表面に形成された前記酸化膜の表面にまで延在し、前記磁気抵抗効果素子は、前記酸化膜の表面と前記下地膜の表面とに形成され、それぞれの感度方向が直交する２方向を形成する第１および第２の磁気抵抗効果素子と、前記斜面に形成された前記下地膜上に形成され、感度方向が前記第１の磁気抵抗効果素子と交差する第３の磁気抵抗効果素子とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気センサとして感度が高く、測定レンジの大きなＭＩセンサを提供する。
【解決手段】本発明のマグネトインピーダンスセンサは、零磁歪となる軟磁性合金のアモルファスからなる感磁ワイヤと前記感磁ワイヤの周囲に絶縁物を介して検出コイルを有し、前記感磁ワイヤに高周波電流を印加することで、外部磁場に応じて検出コイルより発生する電圧を検出するマグネトインピーダンス素子と、前記マグネトインピーダンス素子に高周波電流を供給する電流供給装置と、検出コイルからの出力を信号処理する信号処理回路を有するマグネトインピーダンスセンサにおいて、前記感磁ワイヤは少なくともワイヤの円周方向にスピン配列した表面層を有し、前記高周波電流は０．３以上、１．０ＧＨｚ以下の周波数を有する。 （もっと読む）

【課題】電気的操作でＸ線ビームの２次元空間における微細な強度変調が可能なＸ線空間変調装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線空間変調装置１は、スピン注入により磁化方向が反転されるスピン注入型磁化反転素子（以下、素子）５を２次元に配列したＸ線変調手段１０と、２次元に配列した素子５の中から、磁化方向を反転させる素子５を選択する素子選択手段１１と、素子選択手段１１によって選択した素子５に磁化反転のための電流である磁化反転電流を注入して、当該素子５の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段１２とを備える。Ｘ線空間変調装置１は、素子選択手段１１によって個々の素子５の磁化方向を制御して単色円偏光Ｘ線ビームＢ２に対する素子５の吸収率を変化させることによって、素子５に入射し、当該素子５を透過する単色円偏光Ｘ線ビームＢ２の２次元空間における強度分布を変調する。 （もっと読む）

【課題】高スピン分極率かつ低磁気異方性を有することで、高磁界感度な磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能なホイスラー合金材料、そのホイスラー合金材料を用いた磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。
【解決手段】ホイスラー合金材料は、Co₂(Fe_xMn_1-x)Si合金（x=0.1〜0.9）の組成比を有している。酸化マグネシウムまたはクロムから成る下地層を介して形成された後、熱処理プロセスを施して形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層１２と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１の磁性層１３と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層１５と、第１の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第２の磁性層１７と、を備え、第１の磁性層は、ＤＯ_２２構造またはＬ１_０構造を有しｃ軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第１の磁性層と第１の非磁性層と第２の磁性層とを貫く双方向電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板６１上に設けられた磁化の向きが膜面に略垂直でかつ不変な第１強磁性層７２と、第１強磁性層上に設けられたチャネルとなる半導体層７４と、半導体層上に設けられた、磁化の向きが膜面に略垂直でかつ可変な第２強磁性層７８と、第２強磁性層上に設けられた第１トンネルバリア８０と、第１トンネルバリア８０上に設けられた、非磁性膜をはさんで反強磁性結合する２層の強磁性膜からなる積層構造を有する第３強磁性層８２と、半導体層の側面に設けられたゲート絶縁膜９０ａと、ゲート絶縁膜に対して半導体層と反対側に設けられたゲート電極７６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 特に、高速応答性を向上させることが可能な磁気結合型アイソレータを提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４は、平面視にて、Ｘ１−Ｘ２方向への長さ寸法Ｌ１がＹ１−Ｙ２方向への幅寸法Ｔ１よりも長い細長部５９がＹ１−Ｙ２方向に間隔を空けて複数配置され、各細長部５９の両側端部間が互い違いに連結されたミアンダ形状で形成されている。磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を構成する固定磁性層の磁化方向（Ｐ方向）は、平面コイルから作用する外部磁界の平面視方向Ｃを向いている。外部磁界の平面視方向Ｃからの傾き角度をθとしたとき、細長部５９の長手方向の傾き角度θは、７２°〜１０８°の範囲内に規定される。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）