【課題】バリア層の下面として平滑な界面を有するＴＭＲデバイスを提供する。
【解決手段】シード層１１上に、反強磁性層１２、外側ピンド層２０、ＡＦＭ 結合層１４、内側ピンド層１５、バリア層１６、フリー層１７およびキャップ層１８をこの順で備えている。外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。デバイスのロバスト性が改善される。 （もっと読む）

【課題】磁化方向が膜面垂直方向に安定であり、磁気抵抗変化率が制御された磁気抵抗効果素子及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 （もっと読む）

【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板１１と、基板１１上に設けられたライト線ＷＴと、ライト線ＷＴに対して基板１１の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線ＷＴの延在方向と交差する方向に延びるビット線ＢＬと、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬの間に位置する磁気記憶素子ＭＭとを備え、磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固定層１と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含み、記録層３は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は２１ａｔ％より高い。 （もっと読む）

【課題】 熱電変換素子及び熱電変換装置に関し、温度勾配から電力を取り出す際の設計自由度を高める。
【解決手段】 磁性誘電体からなる熱スピン波スピン流発生部材に逆スピンホール効果部材を設け、前記熱スピン波スピン流発生部材の厚さ方向に温度勾配を設けるとともに、磁場印加手段により前記逆スピンホール効果部材の長手方向と直交する方向且つ前記温度勾配と直交する方向に磁場を印加して前記逆スピンホール効果部材において熱スピン波スピン流を電圧に変換して取り出す。 （もっと読む）

【課題】 磁気デバイスにおける垂直磁気異方性と保持力とを向上させる。
【解決手段】 ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。複合シード層２２とＰＭＡ多層膜２３との間の界面、および、ＰＭＡ多層膜２３の積層構造内の各一対の隣接層間における１以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。超高圧アルゴンガスを用いたＰＭＡ多層膜２３の成膜により、各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。保磁力は、１８０〜４００°Ｃ程度の熱処理によっても増加する。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたトンネル絶縁スペーサ層と、前記磁化固着層中、前記磁化固着層と前記トンネル絶縁スペーサ層との間、前記トンネル絶縁スペーサ層と前記磁化自由層との間、前記磁化自由層中、及び前記磁化自由層と前記キャップ層との間の何れかに設けられ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも１つの元素、並びにＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層と、を備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】 小さな駆動電流で効率よく高周波磁界を発生させることができる磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の強磁性層１０ｂと、第２の強磁性層３０と、第１の強磁性層１０ｂと第２の強磁性層３０との間に設けられた中間層２２と、第１の強磁性層１０ｂの中間層２２が設けられた側とは反対側に設けられたＣｏＩｒ合金を含む第３の強磁性層１０aと、第３の強磁性層１０aの第１の強磁性層１０ｂが設けられた側とは反対の側に設けられた主磁極６１（第１の磁極）と、第２の強磁性層３０の中間層２２が設けられた側とは反対の側に設けられたリータンパス６２（第２の磁極）とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド１１０。 （もっと読む）

【課題】検波出力や発振出力等の点で、著しい特性向上は困難である。
【解決手段】マイクロ波素子１００は、面内磁化膜の磁化自由層１０３と、面内磁化膜の磁化固定層１０５と、磁化自由層１０３と磁化固定層１０５の間に設けられたトンネルバリア層１０４とを有する磁気抵抗素子を用いたマイクロ波素子において、磁気抵抗素子の膜面直方向の軸から３°以上３０°以下の外部磁界を印加する外部磁界印加機構３０２と、磁化固定層１０５の膜面直方向の反磁界に対する磁化自由層１０３の膜面直方向の反磁界の比が０．５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が充分大きいことと、ピン層の保磁力が充分大きく、フリー層の保磁力を小さくすることとが両立された磁気センサを提供すること。
【解決手段】基板１上に下地層２と、シード層３と、ピン層４と、トンネル障壁層５と、フリー層６と、キャップ層７と、がこの順に設けられてなり、前記フリー層６及び前記ピン層４は、一部または全部がアモルファス磁性材料からなる磁化固定層を有し、前記フリー層６及び／または前記ピン層４が有する磁化固定層は、前記トンネル障壁層５側から順に、アモルファス磁性材料層Ｂと、アモルファス磁性材料層Ａとを少なくとも備え、前記アモルファス磁性材料層Ｂが含有するアモルファス磁性材料ｂは、前記アモルファス磁性材料層Ａが含有するアモルファス磁性材料ａよりも、結晶化温度あるいは微細結晶化温度が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも角度誤差が低減された磁気抵抗センサ素子を提供し、このような磁気抵抗センサ素子を、自動車の精確な角度センサとして使用することができるようにすることにある。
【解決手段】第１の固着薄膜（３５）は、第１の強磁性材料製とりわけＣｏＦｅ合金製であり、前記第２の固着薄膜（３３）は、第２の強磁性材料製とりわけＣｏＦｅ合金製であり、前記中間薄膜（３４）は、非磁性材料製とりわけルテニウム製である磁気抵抗センサ素子において、前記第１の固着薄膜（３５）の厚みは、第２の固着薄膜（３３）の厚みよりも０．２ｎｍ〜０．８ｎｍだけ小さい。 （もっと読む）

【課題】より良好な磁化特性を発現し、高記録密度化や高集積化に対応可能であると共に高い信頼性を有する磁気トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】本発明のＭＴＪ素子は、ＮｉＦｅからなり、かつ、平坦化された上面を有する基体としての下部磁気シールド層１１０と、Ｔａからなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層１２５と、シード層１４０と、ピンニング層５０と、ピンド層６０と、Ａｌ膜が酸化処理されてなるトンネルバリア層７０と、磁化フリー層８０と、キャップ層９０と、ＮｉＦｅからなり、下部磁気シールド層１１０と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる上部磁気シールド層１００とを順に備えたものである。 （もっと読む）

【課題】巨大な垂直磁気異方性定数を持つ材料を用いた垂直磁化膜を利用することなく、レファレンス層と高周波磁気発振層の磁化方向を反平行にする必要がなく、高周波磁気発振層に注入する偏極電子として反射電子を用いる必要がない磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】負の磁気異方性定数を持つ磁性材料を主成分とする高周波磁界発振層１８と、スピンが偏極した電子を高周波磁界発振層１８に供給するレファレンス層１４と、高周波磁界発振層１８とレファレンス層１４間に配置された非磁性層１６と、を有する高周波磁界発振素子１１と、主磁極１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】
面積抵抗ＲＡが１．０Ωμｍ²以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないトンネル型磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】
下地層と、下地層上に形成された反強磁性層と、反強磁性層と交換結合した第１の強磁性層と、反平行結合層と、反平行結合層を介して第１の強磁性層の磁気モーメントと反平行に結合した磁気モーメントを有する第２の強磁性層と、絶縁障壁層と、第３の強磁性層が積層されたトンネル接合型磁気抵抗効果素子において、第２の強磁性層及び第３の強磁性層の絶縁障壁層側の一部または全部は結晶質であり、かつ絶縁障壁層は、MgOと、単独で立方晶の結晶構造を持ちMgOと全率固溶する特定の酸化物材料により構成する。好ましくは、MgOと、該特定の酸化物材料としてＮｉＯ、ＣｏＯ、ＦｅＯの少なくともいずれか１の合金酸化物により絶縁障壁層を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるＭＲ比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されている磁化固定層２３０と、磁化方向が変化する磁化自由層２５０と、磁化固定層と磁化自由層との間に配置された絶縁体を用いて形成されているバリア層２４０と、を備え、磁化固定層または磁化自由層の少なくとも一方は、バリア層側から順に、結晶層２３３ａ，２３３ｃとアモルファス磁性層２３３ｂとの積層構造として、バリア層の反対側にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比のＴＭＲリード・ヘッドを実現する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、ＴＭＲリード・ヘッドにおいて、固定層の第１強磁性層は反平行結合層と絶縁障壁層との間に形成されている。第１強磁性における反平行結合層との界面を形成する層を、ＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）で形成する。これにより、薄い反平行結合層を使用しても高温でのアニール処理における固定層の不安定化を抑えることができ、第１強磁性層と第２強磁性層との強い結合を維持することができる。第１強磁性層において、主強磁性層とＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）界面層との間に、Ｃｏ系アモルファス金属層を形成する。これにより、高温アニール処理における第１強磁性層の適切な結晶化を促進することができ、高いＭＲ比を実現する。 （もっと読む）