【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶を成長させる際のドーパント濃度のバラツキを抑制する。
【解決手段】ＳｉＣ原料粉末３とドーパント元素４の配置場所を異ならせると共に、ＳｉＣ原料粉末３に対してドーパント元素４が種結晶２から離れた位置に配置されるようにする。そして、ドーパント元素４の配置場所をＳｉＣ原料粉末３の配置場所よりも低温にできる構成とする。これにより、ＳｉＣ原料粉末３が昇華し始めるよりも前にドーパント元素４が気化し切ってしまうことを防止することができ、成長させたＳｉＣ単結晶のインゴットが成長初期にのみドーパントが偏析したものとなることを抑制できる。したがって、ドーパント濃度のバラツキを抑制できるＳｉＣ単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、連続成膜設備において、化学量論的組成勾配を有する形で基板に成膜するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明では、それぞれ一つの蒸発器チューブを有する少なくとも二つの蒸発機器が配備され、両方の蒸発器チューブは、互いに独立して傾斜可能な形に構成されており、そうすることによって、両方の蒸気ビームの移行領域を勾配形態の要件に適合させることができる。 更に、基板に対する蒸発器チューブの間隔及び蒸発器チューブの互いの間隔を調整することができる。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

【課題】容易かつ確実に単結晶インゴットにオリエンテーション・フラットを付与できる単結晶成長装置及び単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】単結晶を種結晶として、種結晶を基に成長する単結晶の成長に用いられる昇華用原料を収容する坩堝と、坩堝の内部に配設され、単結晶の成長範囲をガイドする開口部６１Ａが形成されたガイド部材６０とを備える単結晶成長装置であって、ガイド部材６０には、単結晶が成長した単結晶インゴットの外周面と当接し、単結晶インゴットに所定の形状による目印（オリエンテーション・フラット）を付与する目印付与部６２Ａ，６２Ｂが形成され、目印付与部６２Ａ，６２Ｂが、開口部６１Ａに沿って形成され、単結晶インゴットの結晶方位の基準位置に所定の形状を付与する。 （もっと読む）

【課題】環境への負荷が小さく、安価な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極１の表面に、絶縁膜２及びＡＺＯ半導体よりなるチャネル層３がこの順に形成されており、該チャネル層３の表面に、間隔をあけてソース電極４及びドレイン電極５が形成された構成となっている。チャネル層がＡＺＯ半導体よりなるため、安価であると共に環境への負荷が小さく、低温プロセスで製造することができる。ソース電極４及びドレイン電極５がＡＺＯ半導体よりなるため、チャネル層６と同一の成膜装置で製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】基板温度を高精度に計測可能な基板温度計測装置及び基板温度計測方法を提供する。
【解決手段】基板１００を加熱する加熱源１０と、基板１００を透過できない波長領域の赤外線を透過させる透過窓３０と、基板１００を透過できない波長領域を感度範囲に含み、加熱源１０により加熱された基板１００から放射され、透過窓３０を透過した赤外線を分析して基板１００の基板温度を計測する温度計測器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒素フラックスの調整が可能な、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法と、量子井戸構造を作製する方法と、窒素源装置とを提供すること。
【解決手段】アパーチャ２６ａ等のうち開口されたアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を基板上に堆積する第１の工程と、開口されるアパーチャの数を変更する第２の工程と、第２の工程後に開口されているアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に堆積する第３の工程とを備え、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成は第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】品質を保ちつつ長尺な単結晶を得ることができる単結晶の成長方法および成長装置を提供する。
【解決手段】成長用容器（１，２）内において流れている原料ガスが筒状のガス流制御部材６を使って集められ、種結晶５に向かう。ガス通路１０により、ガス流制御部材６における、成長させる単結晶１１と対向する内壁面を迂回する原料ガスの流れが作られる。ガス流制御部材６の内方においてガス流制御部材６の内壁面との間の隙間９を通して原料ガスが通過し、種結晶５から単結晶１１が成長する。種結晶５からの成長初期においてはそれ以降よりも成長方向に口径拡大させずに単結晶１１が成長する。 （もっと読む）

物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバにおける使用のための処理キットを、非接触型処理キットを有するＰＶＤチャンバと共に提供する。一実施形態において、処理キットは、実質的に平坦な円筒形本体部と、本体部から下方向に延びる少なくとも１つの細長い円筒形リングと、本体部の上面から上方向に延びる取付部とを有する、概して円筒形であるシールドを含む。他の実施形態において、処理キットは、概して円筒形である堆積リングを含む。堆積リングは、実質的に平坦な円筒形本体部と、本体部の外方部に連結された少なくとも１つの下方向に延びるＵチャネルと、本体部の内方領域の上面から上方向に延びる内壁部と、内壁部から半径方向内側に向かって延びる基板支持棚部とを含む。
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【課題】 本発明は、高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する半導体薄膜製造装置および方法を提供する。
【解決手段】 希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^−７Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）