【課題】基板に対する均一な薄膜の形成と蒸着材料の利用効率の向上とを容易に図ることができる蒸着技術を提供する。
【解決手段】蒸着用坩堝１０であって、底部１１と、側壁部１２３と、該底部１１および該側壁部１２３の内面によって囲まれ且つ所定軸に沿って形成された孔部Ｃｖとを備え、孔部Ｃｖが、底部１１とは反対側に位置する開口部ＯＰと、該孔部Ｃｖの所定軸（例えば軸Ｐ）に対して垂直な面における断面積が底部１１側から開口部ＯＰ側にかけて略一定である第１の領域（例えば下部孔領域１２ａ）と、該孔部Ｃｖの所定軸（例えば軸Ｐ）に対して垂直な面における断面積が底部１１側から開口部ＯＰ側に近づくにつれて増大する第２の領域（例えば上部孔領域１３ａ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法および制御システムを提供する。
【解決手段】層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。層を堆積させている間、同じく陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される異なる動作パラメータが実質的に一定に保持された状態で、時間に対する動作パラメータの第２の依存関係が測定される。層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて、層の堆積時間が動的に決定される。 （もっと読む）

本発明は真空蒸着装置及びこれに関連する蒸着方法に関する。基板が設置される蒸着領域を局部的にポンピングするために１つまたはそれ以上のクライオパネルを使用する真空蒸着装置が提供される。本発明は、特に、分子線エピタキシーにおいて高蒸気圧蒸着材料をポンピングしその再蒸発を最小限に抑えるために応用可能である。
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【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の交換が容易で寿命が長い蒸着源を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着源３では、棒状電極４０と蒸着材料３５が接触する面に、それぞれ雄ねじ４１と雌ねじ４２が形成され、棒状電極４０を取り付けた状態では、棒状電極４０と蒸着材料３５が螺合されている。棒状電極４０と蒸着材料３５は螺合することで互いに強く密着しているので、アーク放電を繰り返すことで蒸着材料３５が変形したときには、蒸着材料３５がキャップ３６から離間することはあっても、棒状電極４０に密着した状態が維持されるので、アーク放電の停止が起こらない。 （もっと読む）

【課題】トリガ放電を安定化させ、アーク放電の不具合の発生を抑制可能な同軸型真空アーク蒸着源及びこれを用いた蒸着装置を提供する。
【解決手段】筒状のアノード電極６と、中心軸線をアノード電極６の中心軸線と略一致させアノード電極６内部に配置された柱状の蒸着材料７と、蒸着材料７の周囲に密着配置された筒状の絶縁部材８と、絶縁部材８の周囲に密着配置された筒状のトリガ電極９を有する。トリガ電極９と蒸着材料７の間でトリガ放電を行いアノード電極６と蒸着材料７との間にアーク放電を誘起させ、蒸着材料７側面から放出された微小粒子をアノード電極６の開放口から放出させる。絶縁部材８に、その軸線方向に延び当該絶縁部材８を部分的に切断するスリット部２０を設け、トリガ電極９に、その軸線方向に延び当該トリガ電極９を部分的に切断するスリット部３０を設ける。締付機構４０によりトリガ電極９を締め付ける。 （もっと読む）

【課題】複数段の有機層を持つ有機半導体を効率的に、かつ、一部の故障が発生しても、ライン停止することなく生産を継続でき、かつ、任意の段数の有機半導体を製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数段の有機層を持つ有機ＥＬパネルを製造する方法であって、電荷発生層蒸着室１、正孔注入層蒸着室２、正孔輸送層蒸着室３、発光層蒸着室４、電子注入層蒸着室５及びＡＬ蒸着室６よりなる蒸着処理ラインを並列に配置し、そのうちの一の蒸着処理ラインの入口からその出口へ基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第１段目の有機層ユニットを成膜した後、該基板を前記一の蒸着処理ラインの出口からバイパスライン８，９により搬出して並列に配置された蒸着処理ラインのうちの他の前記蒸着処理ラインの入口へ搬入し、更に、当該他の蒸着処理ラインの入口からその出口へ前記基板を搬送しつつ該基板上に複数層よりなる第２段目の有機層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 酸化物、窒化物、塩化物、フッ化物などの化合物の薄膜を分子線エピタキシー装置で作製する場合、気体材料がチャンバ内に雰囲気ガスとして残留し、他方の材料の分子線セルのるつぼに進入し、気体材料との化合物を作る。化合物になった分は材料の損失となる。材料損失が大きいと、原料の補填のためにたびたび超高真空チャンバを大気圧に戻さなければならず作業能率が悪くなる。
【解決手段】 るつぼ底部または上部に到るようにパージガス導入管を設け、パージガス導入管を通して、不活性ガスをるつぼ内へ吹き込み雰囲気ガスがるつぼ内の材料と接触しないように遮断する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスを簡単化することができ、ＴＡＴの短縮や製造コストの低減に寄与し得る薄膜成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜成膜装置は、基板上に多結晶シリコン膜を成膜する第１の成膜室３３と、前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する第２の成膜室３４と、前記絶縁膜上に導電膜を成膜する第３の成膜室３５とを有して構成され、これら３つの成膜室が基板搬送室３２を介して大気に対して気密保持可能に連設される。 （もっと読む）

【課題】特別な材質や特異な形状の電極、ホルダーを使用しなくとも、シリコンロッドのクラック発生を十分に低減させることができる多結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】逆Ｕ字型のシリコン芯線の各端部を一対の電極上にそれぞれ通電可能に取り付けた多結晶シリコンの製造装置において、該シリコン芯線の端部が、これを保持する導電性のホルダーを介して電極と電気的に接続され、かつ、少なくとも一方のホルダーが、電極面上を少なくとも逆Ｕ字型のシリコン芯線の両端を結ぶ直線方向の左右方向何れの方向にも摺動可能であるたことを特徴とする多結晶シリコンの製造装置である。 （もっと読む）