【課題】酸化物半導体で形成したチャネル層と、塗布による容易に形成することができ高い耐電圧を示す有機ゲート絶縁膜とを組み合わせた高性能な薄膜トランジスタを、生産性や半導体性能の問題を生じることなく実現することを目的とする。
【解決手段】ソース電極５、ドレイン電極６、ゲート電極２、チャネル層４、及びゲート絶縁層３を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層４が酸化物半導体で形成されていると共に、前記ゲート絶縁層３が有機絶縁膜からなり、かつ該チャネル層４とゲート絶縁層３との間に、前記チャネル層４と同一材料からなり、かつ該チャネル層４よりもキャリヤ密度が低い酸化物半導体層７を成形したことを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）系酸化物半導体材料の適正なＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成が０．６〜０．８である亜鉛錫複合酸化物焼結体をターゲットとする。また、ターゲット自体の抵抗率を１Ωｃｍ以上の高抵抗とする。更に、不純物の合計濃度を１００ｐｐｍ以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１のターゲット材料をスパッタリングして基板上に成膜する第１のスパッタ工程と、前記第１のターゲット材料とは異なる第２のターゲット材料をスパッタリングして前記基板上に成膜する第２のスパッタ工程と、前記第１のスパッタ工程と前記第２のスパッタ工程との間で、前記基板を前記複数のターゲット材料から遮蔽しつつ、前記第１および第２のターゲット材料をそれぞれ成膜レートが変化するようにスパッタリングするプリスパッタ工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】複数のノズルに供給される複数の坩堝から蒸発した材料の量を正確に制御する堆積供給源を提供する。
【解決手段】堆積供給源１００であって、ａ）堆積材料を収容する複数の坩堝１０２と、ｂ）複数のコンダクタンスチャネルを備える本体１１２と、ｃ）坩堝とコンダクタンスチャネルと熱的な連通をするように配置されたヒータと、ｄ）複数の坩堝のうちの少なくとも１つに、部分的な熱分離を提供する熱シールドと、ｅ）複数のノズルからなり、該ノズルの各々の入力は該複数のコンダクタンスチャネルの出力に連結され、蒸発した堆積材料は、該複数の坩堝から、該コンダクタンスチャネルを通って該ノズルまで移送され、該蒸発した堆積材料は該ノズルから排出され堆積フラックスを形成する。 （もっと読む）

本発明のシリコーン薄膜の製造方法は、基板を提供する段階と；前記基板上にシリコーンソースを供給する段階と；前記シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成するとともに、電子ビームとイオンビームを照射したり、シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成した後後処理として前記基板上に電子ビームとイオンビームを照射する段階とを含む。本発明によって、前記供給されたシリコーンソースによって前記基板上にシリコーン薄膜が蒸着されながら前記照射された電子ビームが前記蒸着中のシリコーン薄膜にエネルギーを供給してこのシリコーン薄膜を蒸着工程中に（ｉｎ−ｓｉｔｕ）結晶化させたり、非晶質シリコーン薄膜が形成された後後処理として電子ビームとイオンビームを照射することによって結晶化させることができる。また、電子ビームを照射するとともに、イオンビームをともに照射することによって、基板表面に蓄積される電子ビームの電荷がイオンビームの電荷によって中和されるようにして、電子ビームの電荷が基板表面に蓄積されて不必要な表面電流を形成することを防止し、效率的に非晶質シリコーン薄膜を結晶化させることができる。
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【課題】サセプタに付着する膜の密着性を上げることで、発塵を防ぐ表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理方法は、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＣを用いて、ＳｉＯ₂を主成分とするサセプタの表面をブラスト処理する工程（Ｈ）と、そのサセプタ表面をエッチングする工程（Ｉ）とを備える。サセプタは、サセプタ本体と、サセプタ本体の上に設けられ、基板よりも一回り小さいサイズで形成され、サセプタの一部分として、基板を下から支える段差部とを備え、マスキングする工程において、段差部がマスキングされ、基板の端部とサセプタ本体との間の導通が防止され得ることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る化合物半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく、高い発光効率で、色味を高精度に調整可能とする。
【解決手段】Ｓｉ基板４の一部領域にトレンチ１１を形成し、そのトレンチ１１内にさらにナノコラム２の化合物種結晶膜であるＡｌＮ層１２を形成した後にナノコラム２を成長させることで、前記ＡｌＮ層１２の有る領域は、それが無い壁１３上の領域に比べて、成長が速く、所定の時間成長させると、前記トレンチ１１と壁１３との段差を吸収して、ｐ型層１４の表面が略同じ高さとなる。これによって、同一基板でかつ単一の成長工程で簡単に、したがって低コストに、白色光などの所望の色味を実現できる。また、蛍光体を用いずに所望の色味を実現できるので、高い信頼性および長寿命化を図ることができるとともに、トレンチ１１の面積を任意に調整し、色味を細かく高精度に調整できる。 （もっと読む）

基板ウェブ上に半導体材料吸収層の薄膜層を形成するための改善された方法および装置を提供する。本発明の教示に従って、半導体層をマルチゾーンプロセスで形成することができ、これにより、さまざまな層が移動する基板ウェブ上に順次蒸着される。
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【課題】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、（Ｇａ,Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される酸化物結晶相を含む酸化物を提供する。この酸化物をスパッタリングターゲットとして利用する。 （もっと読む）

【課題】 頂面で基板を支持する複数の凸部が表面に形成された誘電体板と、誘電体板に内に設けられた電極と、電極に電圧を付与する外部電源とを備えた静電チャックについて、十分な静電吸着力と、基板の迅速な取り外し性とが、簡単な構造にて得られるようにする。
【解決手段】 スパッタリング装置の静電チャックは、頂面で基板を支持する複数の凸部と、該凸部の周囲の凹部とが表面に形成された誘電体板と、該誘電体板の内部に設けられ、外部電源から電圧が付与される電極とを備え、誘電体板は、少なくとも前記凸部の頂面に設けられている導体被膜を備え、導体被膜を備えた凸部の頂面は、Ｒｙ（最大表面粗さ）が２．５μｍ以下、Ｒａ（中心線平均粗さ）が０．２５μｍ以下の凹凸を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ナノ線に基づく光センサ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。上記２つの電極の金属触媒層上に成長された両側の半導体ナノ線が上記２つの電極の間で上記基板と離隔され互いが空中で接触する構造で連結されている。 （もっと読む）

【課題】大型で高品質のＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶の成長方法は、結晶径Ｄｍｍと厚さＴｍｍとがＴ＜０．００３Ｄ＋０．１５の関係を満たすＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｙ≦１）種結晶４を準備する工程と、昇華法によりＡｌ_yＧａ_1-yＮ種結晶４の主表面４ｍ上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）単結晶５を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバーに設けられている圧力計を交換する際に、真空チャンバー内やロードロック室等を大気開放することなく交換できるロードロック室を有する真空チャンバー装置を提供することである。
【解決手段】ロードロック室と圧力計がそれぞれ配管により連接されているチャンバーと、ロードロック用ポンプと、高真空ポンプと、荒引きポンプと、を備えたロードロック室を有する真空チャンバー装置であって、前記配管により連接されている圧力計とチャンバー間に第一の開閉バルブを備え、第一の開閉バルブと圧力計の間に、その間の配管内を大気圧にする第二の開閉バルブを備え、さらに、第一の開閉バルブと圧力計の間に、第三の開閉バルブを介して配管内を減圧する配管用荒引きポンプを具備していることを特徴とするロードロック室を有する真空チャンバー装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶を、スパッタ法を用いて高い成膜速度で効率良く形成することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板及びＧａ元素を含有するターゲットを配置し、少なくとも、基板上にドナー不純物が添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法であり、基板の温度を温度Ｔ１としてＩＩＩ族窒化物半導体を成膜する第１スパッタ工程と、基板の温度を温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ２に降温してＩＩＩ族窒化物半導体の成膜を続ける第２スパッタ工程とが備えられた方法である。 （もっと読む）

【課題】極めて安価な部材を追加するだけで低コストに、基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させることができ、しかも有機材料の蒸着のためだけでなく高温工程が必要な無機材料の蒸着のためにも使用できる分子線源セルを提供する。
【解決手段】被蒸着基板に対向する開口部１ａを有する坩堝１と、坩堝１内に充填される分子線材料を加熱し蒸発させて開口部１ａから分子線を放出させるためのヒータとを備えており、坩堝１の開口部１ａにはキャップ２が配置されており、キャップ２は、その全体が開口部１ａの中心軸Ａ方向に約６ｍｍ以上の厚みを有するように形成されており、且つ、その内部には、キャップの底部２ｃの略中心から坩堝１の開口部１ａの外周又はその近傍へ延びる複数の絞り穴２ａであって、開口部１ａの中心軸Ａに対して約１５〜６０度の範囲内で傾斜する複数の絞り穴２ａが、略放射状に形成されている。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法である。
【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。パルス洗浄プラズマを発生させるために、パルスエネルギーを供給する。本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。異なるエッチング法を組み合わせても、連続的に実行してもよい。 （もっと読む）