【課題】ＴＦＴのオフ電流を低減させる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】平坦化絶縁膜上に形成された半導体層と、平坦化絶縁膜及び半導体層上に酸化窒化珪素膜を用いて形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に銅又は銅元素を主成分とする合金を用いて形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜及びゲート電極上に酸化窒化珪素膜を用いて形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されコンタクト部を介して半導体層に接続する画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】高精細な表示性能を有するアクティブマトリクス型の表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に画素電極１０５，１０６を形成し、画素電極上に絶縁層１１０を形成し、平坦化工程により画素電極の各境界部が絶縁層１１１，１１２で埋め込まれた状態とする。平坦化工程の際、画素電極表面をＤＬＣ膜１０９で保護することにより画素電極の過剰な薄膜化を防ぐことができる。また、絶縁層により電極表面には段差がなくなり、液晶材料の配向不良や光の乱反射等によるコントラストの低下等を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い膜パターンを実現する。
【解決手段】 基板Ｐ上に隔壁Ｂを形成する工程と、隔壁Ｂで区画された開口部２に第１膜パターン４ａを成膜する工程と、第１膜パターン４ａの側部と対向する隔壁Ｂを除去する工程と、第１膜パターン４ａの側部及び上部を被覆する第２膜パターン５をメッキにより成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位が一定でない結晶性半導体膜表面に機械的化学的研磨を行った際、結晶性半導体膜を平坦化し、半導体装置の特性を向上させることを可能とする、半導体装置の製造方法、そしてこの製造方法により得られた集積回路、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】面方位が２以上有る結晶性半導体膜２０の表面を化学的機械的研磨により平坦化、及び薄膜化した後、平坦化結晶性半導体膜２１を用いて半導体素子を形成する半導体装置の製造方法である。化学的機械的研磨における研磨液として、水素イオン濃度がＰＨ９．０以下のアルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体の表面粗さを制御した高性能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体膜を含む有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体膜は、一般式（Ｉ）


によって示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とする有機半導体材料からなるとともに、その表面粗さが２．４ｎｍよりも小さく、Ａｒ^１は、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ^２およびＡｒ^３の各々は、置換もしくは無置換の単環式芳香族炭化水素基の２価基、置換もしくは無置換の非縮合多環式芳香族炭化水素基の２価基、および置換もしくは無置換の単環式芳香族炭化水素基の２価基、置換もしくは無置換の縮合多環式芳香族炭化水素基の２価基のいずれかであり、Ａｒ^４は、ベンゼン、チオフェン、ビフェニル、およびアントラセンの２価基のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べ格段に粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成して、性能の向上した電子回路装置を構成できる薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板０１、０９上に非晶質シリコン薄膜０４ａ、１１ａを所望の膜厚以上に形成し、連続波レーザ光０６、１３を照射し走査を行なうことによって多結晶シリコン薄膜０４ｂ、１１ｂを形成し、その後、所望の膜厚まで薄くし、多結晶シリコン薄膜０４ｂ’、１１ｂ’を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶化されたポリシリコンの結晶粒が突出して荒れた表面を平坦化して半導体層の電気的特性を向上させることができるポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれによって製造された薄膜トランジスタ基板を含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界で突出している結晶粒を化学的機械的研磨によって除去して研磨された基板を形成する段階と、研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、洗浄された基板をアンローディングする段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、ゲート絶縁膜としてポリパラキシリレン誘導体膜を用い、その膜厚を最適化して、トランジスタ形状に依存せずに、高いＩ_DSを得て、オンオフ比の向上を図る有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 この発明の有機薄膜トランジスタは、基板１、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース電極６、ドレイン電極５及び有機半導体層４を備え、ゲート絶縁膜３が膜厚４１０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパターン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留まり高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性を有する基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極によって構成された有機薄膜トランジスタにおいて、十分な移動度とｏｎ電流が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート絶縁層３の表面の２乗平均粗さＲｍｓをゲート絶縁層３とゲート電極２との界面のＲｍｓよりも小さくし、かつ、０．１〜２ｎｍの範囲になるようにゲート電極形成部を陽極酸化することによって、ゲート電極２の表面近傍部のみにゲート絶縁層３が形成された構造にする。 （もっと読む）

【課題】 高移動度で、さらに閾値の変動が小さい電界効果型有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 第一の基板１上にソース電極２、ドレイン電極３および有機半導体層４を形成する工程、前記有機半導体層４上に第二の基板５を形成した後、有機半導体層４から前記第一の基板１を剥離する工程、前記有機半導体層４の剥離面にゲート絶縁層６及びゲート電極７を形成する工程を有する電界効果型有機トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数のＳＯＩ−Ｓｉ層厚さを有する半導体素子を集積する半導体装置において、その素子分離領域１３の半導体基板表面からの高さが実質的に揃っている。また、半導体基板に一様な高さの素子分離領域１３を形成してから複数の適宜に高さの異なるＳＯＩ−Ｓｉ層１４、１５を形成する。半導体基板１１からの高さが実質的に一様な素子分離領域１３が得られると共にＳＯＩ−Ｓｉ層厚さの異なる所望の素子領域が形成される。また、第１のＳＯＩ−Ｓｉ層に形成されたゲート電極の半導体基板からの表面の高さと第２のＳＯＩ−Ｓｉ層に形成されたゲート電極の半導体基板からの表面の高さは等しくしている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン表面を酸化してゲート絶縁膜を形成する酸化工程に先だって、ガスクラスタイオンビームを多結晶シリコン表面に照射し、表面凹凸を平坦化するとともに、多結晶シリコン表層部の結晶を破壊してアモルファスシリコン化する工程を加えることにより、酸化工程において、平坦なゲート絶縁膜を形成でき、耐電圧の向上が図られ、かつ、シリコンの酸化速度が速められ、プロセス時間の短縮が図られる薄膜半導体の製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２をアニールして多結晶シリコン層３を形成する工程と、多結晶シリコン層３の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、ガスクラスタイオンビームが照射された多結晶シリコン層３の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体膜が略平坦に形成されることよって電気特性が改善された半導体素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板１０と、基板１０上に島状に形成された複数の遮光膜１２と、複数の遮光膜１２の間に形成された第１の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜１４及び複数の遮光膜１２の上に形成された第２の絶縁膜１６と、半導体膜を含む複数の半導体素子１と、を備え、第１の遮光膜１４及び第２の遮光膜１６の界面１４ａと、複数の遮光膜１２と第２の絶縁膜１６の界面１２ａとには略段差が無く、複数の遮光膜１２の各々が、複数の半導体膜と各々と基板１０との間に配置されていることを特徴とする、半導体装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性の結晶性膜を得る。
【解決手段】 結晶化したい薄膜の作製時に、下地の絶縁膜に予め所望のパターンで膜の熱伝導率を変化させる不純物元素を導入しておく。この薄膜中で結晶化が起こる際に、この薄膜内で温度分布が形成される。エネルギービームを照射したときに下地の絶縁膜の熱伝導が高い領域から先に固化し始め、熱伝導が低い領域が最後に固化される。その結果、リッジ位置を積極的に制御することが可能となり、所望の領域に平滑な表面を有する結晶性薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体膜が略平坦に形成されることよって電気特性が改善された半導体素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第１の主面（１０ａ）と第２の主面（１０ｂ）とを備えた基板と、第１の主面（１０ａ）に形成された溝に配置された遮光膜（１２）と、半導体膜を含む半導体素子（１）と、を備え、遮光膜（１２）は前記第２の主面（１０ｂ）と半導体膜との間に配置されていること、を特徴とする半導体装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 微細な電極パターンを容易に実現し、かつ基材表面と電極パターン表面とが同一平面となるように形成することにより、電極の上部に積層する絶縁膜を薄膜化することができ、その結果トランジスタの駆動電圧を下げることが出来る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基材表面に電極のパターンと同一形状の溝である凹部を形成する工程と、該凹部に対して電極材料を埋め込み、基板表面と同一の高さの埋め込み電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 液相プロセスを用いてデバイスを製造する際に好適なアライメント方法を提供する。
【解決手段】 液相法を用いて基板１０上に機能膜１２を形成する工程を含むデバイスの製造過程において、前記機能膜１２が形成される基板１０に、前記機能膜１２以降に形成される膜１３に対して形状が現れるようなアライメントマークＡＭ１を形成し、該アライメントマークＡＭ１を用いて前記機能膜１２以降の膜１３のアライメントを行なう。 （もっと読む）

【課題】正孔または電子の移動度を高めるとともに、ＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域との表面の段差を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ＮＭＯＳ領域ＡとＰＭＯＳ領域Ｂとを同一の基板１１に備えた半導体装置であって、ＮＭＯＳ領域Ａの基板１１上に設けられるとともに、基板１１の表面と異なる面方位を有する歪みＳｉ層２１と、ＰＭＯＳ領域Ｂの基板１１上に設けられるとともに、基板１１の表面と同じ面方位を有する歪み層からなる歪みＳｉＧｅ層３１とを備えたことを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン形成時に、微細パターンと他のパターンとの各々の高さを同じくすることにより、パターンを含む領域の上面に平坦領域を形成するバンク構造体、パターン形成方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】機能液により形成するパターンに対応した凸部３５が設けられた隔壁構造体であって、第１パターンに対応して設けられた第１凹部５５と、第１パターンに接続され、かつ、第１パターンよりも幅が狭い第２パターンに対応して設けられた第２凹部５６と、第１凹部５５に少なくとも１以上設けられた凸部３５と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）