【課題】 酸化亜鉛の配向を変化させることで、酸化物半導体薄膜層は、耐熱性、表面平滑性に優れたものとし、リーク電流の抑制、電流駆動能力の向上を図る。一方、画素電極は微細加工性に優れたものとし、画素の高精細化を可能とする。
【解決手段】 基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、酸化亜鉛を主成分とする画素電極を少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層の酸化亜鉛の配向と該画素電極の酸化亜鉛の配向が異なることを特徴とする薄膜トランジスタアレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化に際し、当該半導体膜表面の平坦性および結晶性の双方を良好に実現させ、高性能な結晶性半導体を形成する形成方法および形成装置、並びに当該形成方法を用いた半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、ステージ２ａと、レーザー照射手段３と、酸素供給手段４とを備えた形成装置１を用いて、雰囲気中の酸素濃度が４×１０^２ｐｐｍから１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、雰囲気中に露出した非晶質ケイ素膜１２表面に直接酸素を供給するか、非晶質ケイ素膜１２上に酸化膜１４が形成されている場合は、雰囲気中の酸素濃度を、０を超えて、１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、非晶質ケイ素膜表面に直接酸素を供給する。 （もっと読む）

【課題】光に曝される環境下で用いられる薄膜トランジスタの信頼性を向上させる。
【解決手段】基板１０上に遮光層１１が形成され、さらに遮光層１１を覆うバッファ膜１２が形成される。バッファ膜１２上には、アモルファスシリコン層が形成される。そのアモルファスシリコン層に対してレーザーアニールが行われ、ポリシリコン層１３が形成される。次に、ポリシリコン層１３を所定のパターンにパターニングする。ここで、所定のパターンは、遮光層１１と同一の形状であるが、僅かに遮光層１１より広く、遮光層１１の段差が反映されたバッファ膜１２の第１の傾斜面１２Ｓを覆うことができるパターンである。ここで、ポリシリコン層１３の端部には、ポリシリコンの結晶成長の進行による突起１３Ｃが形成されていない。さらに、ポリシリコン層１３を覆うゲート絶縁膜１４、ゲート電極１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導体装置である。第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。このため、第３の導電層の凹凸を低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することを防止する。
【解決手段】複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素を構成するスイッチン
グ素子が設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子の下層に遮
光膜を形成する工程（Ｓ１２，Ｓ２１）と、前記遮光膜の直上に絶縁膜を形成する工程（
Ｓ１３，Ｓ２２）と、前記絶縁膜を化学機械研磨処理によって平坦化する工程（Ｓ１４，
Ｓ２３）と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成可能とする。
【解決手段】基板Ｐに配線形成材料を含む液状体を塗布する工程と、塗布した液状体を焼成する工程とを有する。配線形成材料に対して不活性な雰囲気下で前記焼成を行う。 （もっと読む）

【課題】基板全体に渡って高性能な薄膜トランジスタを安定的に得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に第一半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記第一半導体膜側から上記基板の一方面に向けて平坦化処理を行う第３工程と、上記基板の一方面側に第二半導体膜(130b)を形成する第４工程と、上記第二半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒(131)を形成する第５工程と、上記第二半導体膜を用いて半導体素子を形成する第６工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいて、ＴＦＴの下側に遮光層を設ける構成を利用して、効率良く画素部を平坦化する。
【解決手段】液晶パネル（１００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）とを備える。遮光層（３）は、ＴＦＴ（３０）及び容量線（３ｂ）を下側からみて重なるように配置する。遮光層（１１ａ）が形成されている領域においては遮光層上に、且つ遮光層が形成されていない領域においてはＴＦＴアレイ基板上に設けられた第１層間絶縁層（１２、１３）は、ＴＦＴ、容量線等に対向する部分が対向基板の側から見て凹状に窪んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画質を向上させると共に、ストレージキャパシタの格納容量を増加できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板４２上に形成された画素電極１８に接続された薄膜トランジスタ６において、ゲート電極８と活性層１４間のゲート絶縁膜を、平坦化が得られるコーティング工程による有機物質のメインゲート絶縁膜４５と強誘電性物質を含むサブゲート絶縁パターン５２とで構成しゲートドレイン間容量Ｃｇｄとストレージキャパシタ２０を増加させる。 （もっと読む）

【課題】工程を簡略化することができ、層間絶縁膜を容易に平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板５が準備される。第１半導体層１０ａとＢＯＸ層３０ａとがエッチングされて、トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａが形成される。トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａは、素子分離のためのトレンチである。トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａにより露出された第２半導体層２０の露出部分Ａ１，Ａ２，Ａ３にイオンが注入される。イオン注入工程の後に、トレンチ５１ａ，５２ａ，５３ａに素子分離用酸化膜群が埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】液相法を用いて形成され、さらに拡散による不都合を解消するとともに、平坦性をも有した金属配線とその製造方法、さらには拡散や平坦性の低下に起因する特性の低下を防止した薄膜トランジスタと、これを備えた電気光学装置、電子機器を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上に液相法で形成された金属材料からなる主導電層６６、６７、８１と、主導電層６６、６７、８１上に液相法で形成されたキャップ層６８ａ、８２とを備えた金属配線３４、３５、８０ａである。キャップ層６８ａ、８２は、有機金属又は無機金属塩の溶液が主導電層６６、６７、８１上に配され、焼成されたことによって形成されている。金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成可能とする。
【解決手段】基板Ｐ上に積層構造の配線４１、４２を形成する。基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１の上に液状体の液滴を吐出して配線本体Ｆ２を形成する工程とを有する。液状体は、銀を含む第１微粒子と、第１微粒子に添加され銀とは異なる第２微粒子とを含む。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高いパターンを形成する。
【解決手段】基板Ｐ上に配線パターン４１を形成する工程と、配線パターン４１の少なくとも一部上にスイッチング素子を形成する工程とを有し、配線パターン４１をメッキ処理により成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材の表面の凹凸の低減により有機半導体素子の特性ばらつきの低減を可能にする有機半導体素子モジュールを提供する事を目的とするものである。
【解決手段】表面に凹凸がある基材１０の上に凹凸緩衝保護層２０を設け、その凹凸緩衝保護層２０の上に有機半導体素子３８構成部分を設置する。有機半導体素子３８構成部分を、凹凸緩衝保護層２０および基材１０とで挟みこむように、第２保護層２２を設置するものである。 （もっと読む）

【課題】表面の平滑化が可能な導電層の形成方法を提供する。また、表面が平滑化された導電層を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電性粒子を含む組成物を塗布し、酸素雰囲気において組成物に第１のレーザ光を照射して表面が平滑な導電層を形成し、当該導電層に、窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において第２のレーザ光を照射して導電層を緻密化して、抵抗が低減される導電層を形成する。本発明により、平滑性を有し且つ抵抗値の低い導電層を形成することが可能である。また、ゲートリーク電流が低減された薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】大きな移動度、例えば０．３ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上の移動度が得られる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁性を有する基板１と、この基板１の表面上の所定範囲に形成されたゲート電極２と、このゲート電極２を覆って基板１の表面上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート電極２の近傍におけるゲート絶縁膜３上に互いに離隔して形成されたソース電極７及びドレイン電極８と、このソース電極７及びドレイン電極８の各表面の一部と接してゲート絶縁膜３上に形成された有機半導体膜１０とを有し、ソース電極７及びドレイン電極８の少なくとも各表面の一部における自乗平均面粗さを０．１〜２ｎｍの範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低コスト、高耐熱、高光透過率、厚膜、高平坦の層間絶縁膜を用いることによって、低消費電力かつ低コストで、画像視認性が高い液晶表示装置を得る。
【解決手段】有機シロキサン系絶縁膜を液晶表示装置の層間絶縁膜とし、層間絶縁膜中のシリコン量に対する窒素量（Ｎ量/Ｓｉ量）を元素比で０．０４以上になるように制御して、層間絶縁膜の厚膜化によるクラック発生を抑制可能な限界膜厚を１．５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】正スタガ構造において、ソース・ドレイン電極間に位置するチャネル領域の不純物濃度の低減を図りトランジスタ特性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の上部に、少なくともその表面部に不純物（不純物層１３ａ、１３ｂ）を含有するソース・ドレイン電極１２ａ、１２ｂをレジスト膜１４ａ、１４ｂをマスクにエッチングした後、レジスト膜を残存させた状態で、例えば絶縁性の液体材料を塗布し、ソース・ドレイン電極１２ａ、１２ｂおよびその上部の不純物層１３ａ、１３ｂの側壁を覆うように絶縁膜１５を形成し、その後、レジスト膜１４ａ、１４ｂを除去し、半導体膜１６ａ、ゲート絶縁膜１７およびゲート電極Ｇを順次形成する。 （もっと読む）

【目的】ＳＯＳ基板上への集積回路の製造プロセスにおいて、基板加熱中に発生する基板の反りを抑制する、あるいは反ってしまった基板をいち早く修復する。
【解決手段】ＳＯＳ基板１４、ポリシリコン膜１５及びシリコン窒化膜１７からなる構造体１８の、上側表面の外周から、直径方向に距離を空けた位置に最外側の素子分離領域１９ａを形成することで、放熱領域２１と素子領域２３とを区画する。更に、放熱領域上に良熱伝導性を有するゲートポリシリコン膜２５及び、タングステンシリサイド膜２７を順次形成する。 （もっと読む）