【課題】 基板への接着性が良好で、且つ、良好に駆動可能な有機薄膜トランジスタ、該有機薄膜トランジスタを設けた有機薄膜トランジスタシート及びこれらの製造方法の提供。
【解決手段】 支持体と金属箔とをラミネートする接着層を支持体上に有し、前記支持体と前記金属箔とが前記接着層によりラミネートされ、前記支持体上にラミネートされた前記金属箔表面が研磨されたものであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高品位な光学材料や表示装置材料に求められる耐熱性、透明性、平坦性、高硬度、耐クラック性といった性能が得られ、スピン塗布と減圧乾燥を用いる膜形成工程に適したコーティング用組成物の提供。
【解決手段】（ａ）一般式（１）で表されるポリシロキサン化合物、および／または一般式（２）で表されるシラン化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を加水分解および縮合させることによって得られるシロキサンポリマーと、（ｂ）２０℃での蒸気圧が１００Ｐａ以下の有機溶媒であって異なる蒸気圧値を示す該有機溶媒を２種類以上含有するコーティング用組成物の、（ｂ）成分の含有量が有機溶媒全量に対して８０重量％以上１００重量％以下であることを特徴とする。


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【課題】 表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁物質を使用してゲート絶縁膜を形成し、スイッチング素子としての薄膜トランジスタの特性低下のないフレキシブルな液晶表示装置用有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、第１の厚さのゲート電極と、前記ゲート電極及び基板上に形成される有機絶縁層として、前記基板上の有機絶縁層は、第２の厚さを有して、前記ゲート絶縁膜上の有機絶縁層は、２０００Åないし５０００Åの第３の厚さの有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上部に形成される半導体層と、前記有機絶縁層の上部に形成されて、前記半導体層と接触するソース電極及びドレイン電極とを含む有機薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜全面に対して均一にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】第１のレーザ発振器より出射された第１のレーザビームは、スリットを通し、さらに集光レンズを通した後に照射面に入射させる。同時に、照射面において第２のレーザ発振器より出射された第２のレーザビームを第１のレーザビームに重ねて照射する。さらに、照射面に対して相対的に走査することによって、照射面を等しくアニールする。 （もっと読む）

【課題】 導体層の表面の平坦性を向上させることを可能としつつ、絶縁層および半導体層の双方の膜厚がそれぞれ異なるようにする。
【解決手段】 溝Ｍ２を介してエッチングガスまたはエッチング液を第１単結晶半導体層１２ａ〜１２ｃに接触させることにより、第１単結晶半導体層１２ａ〜１２ｃをエッチング除去し、第２単結晶半導体層１３ａ、１３ｂが消失するまで、半導体基板１１、第２単結晶半導体層１３ａ〜１３ｃおよび支持体１６の熱酸化を行うことにより、第２単結晶半導体層１３ｃ下に絶縁層１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 塗布対象物との密着性が、従来よりも改善された導電性インキ組成物を提供する。また、金属の粒成長を抑制し、表面平滑性に優れた膜を形成することができる導電性インキ組成物を提供する。
【解決手段】 少なくとも貴金属を含む合金からなる金属微粒子の表面を、少なくとも二種の有機化合物からなる保護コロイドで被覆されてなる固形物を有機溶媒に分散させて導電性インキ組成物とする。上記保護コロイドには、例えば、（Ａ）アミン類と、（Ｂ）カルボン酸とを含む原料から得られる保護コロイドを使用する。上記導電性インキ組成物を塗布、焼成することで、粒成長が抑制され、表面平滑性に優れ、塗布対象物との密着性が従来よりも改善された金属膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】被エッチング層の所望の領域の表面を平坦化し得るエッチング方法を提供する。
【解決手段】対となった電界形成用電極１３Ａ，１３Ｂ、及び、対となった電界形成用電極１３Ａ，１３Ｂ間に被エッチング層２０が形成され、且つ、エッチングすべき部分に開口部２２が設けられたレジスト層２１が該被エッチング層２０の表面に形成された基体１０における被エッチング層２０のエッチング方法であって、対となった電界形成用電極１３Ａ，１３Ｂへの異なる電圧の印加によって被エッチング層２０の表面近傍に基体１０の表面と略平行な電界（Ｅ）を生成させることで、エッチング種に基体１０の表面と平行な速度成分を付与した状態で、該エッチング種によって被エッチング層２０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性のバラツキを減少させた薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、半導体装置の製造方法および表示装置を得ること。
【解決手段】 基板１上に少なくともソース領域１４とチャネル領域１６およびドレイン領域１５を有する多結晶もしくは結晶化された結晶化半導体薄膜５が設けられ、この結晶化半導体薄膜５上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１３が設けられた薄膜トランジスタの製造方法であって、ゲート絶縁膜１１は、結晶化半導体薄膜５と略同一平面を形成するように基板１上に樹脂層１０を形成したのち、この樹脂層１０上および結晶化半導体薄膜５上に形成した膜である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加（混入）して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第１の絶縁層と、無機材料を含む第２の絶縁層とを積層して形成する。 （もっと読む）

場合により式（Ｉ）［式中、ｎは１より大きくそしてＲ^１およびＲ^２のぞれぞれは独立して水素または場合により置換されていてもよいＣ_１−４アルキル基を表わすか或いは一緒になって場合により置換されていてもよいＣ_１−４アルキレン基または場合により置換されていてもよいシクロアルキレン基、好ましくはエチレン基、場合によりアルキル−置換されていてもよいメチレン基、場合によりＣ_１−１２アルキル−もしくはフェニル−置換されていてもよいエチレン基、１，３−プロピレン基もしくは１，２−シクロヘキシレン基を表わす］により示される構造単位を含有してもよい真性伝導性重合体を例えば含有する真性伝導性重合体およびその中に不均一に分布した伝導性金属を含んでなりそしてそれ自体で伝導体を形成する支持体上の実質的に透明な伝導層；透明な伝導層の製造方法；並びに上記の伝導層を含んでなる発光ダイオード、光電池装置、トランジスターおよびエレクトロルミネセント装置。
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有機層の作成の前に、沈殿剤を有機電子デバイスの下側電極層に堆積させる。沈殿剤が堆積した後に、有機材料を前記沈殿剤上に堆積させる。前記有機材料を処理された表面上で乾燥して膜にする場合に、前記沈殿剤がより均一でかつより平坦なプロフィールを生じさせる。
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チャネル上にたい積されるゲート材料層（３２０）をプレーナ化するステップを含む、ＭＯＳＦＥＴ型の半導体デバイスを製造する方法である。このプレーナ化は、第１の”荒い”プレーナ化と、その後の”緻密な”プレーナ化を含んだ複数のステッププロセスで実行される。より緻密なプレーナ化で使用されるスラリーは、ゲート材料の低い領域に付着し易い付加材料を含んでいてもよい。
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ＦｉｎＦＥＴタイプの半導体デバイスは、フィン構造（２１０）を含んでいる。この上には、比較的薄いアモルファスシリコン層（４２０）を形成し、それから非ドープポリシリコン層（４２５）を形成する。この半導体デバイスは、アモルファスシリコン層（４２０）がフィン構造の損傷を防ぐ停止層として働く化学機械研磨（ＣＭＰ）を使用してプレーナ化することができる。
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【課題】　本発明の目的は、液晶配向の不良を減少させ、開口率を高めることにある。
【解決手段】　第１絶縁基板と、第１絶縁基板上部に形成されており、ゲート電極を有するゲート線と、ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、半導体層上部に形成されているソース電極及びドレイン電極とソース電極に連結されており、ゲート線と交差するデータ線と、有機絶縁膜からなっており、ドレイン電極を露出する第１接触孔を有する保護膜と、第１接触孔を通じてドレイン電極と連結されている画素電極と、第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、ゲート線またはデータ線と重なるブラックマトリックスと、第１絶縁基板と第２絶縁基板の間でブラックマトリックスと重なって位置し、写真エッチング工程で形成された基板スペーサとを含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ソース／ドレイン電極材料に銅を用いた場合の加工時のバリアメタル層のアンダーカットに起因する特性不良を防止し、低抵抗配線が充分に実現できるＴＦＴの構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＴＦＴの構造は、ガラス基板２上のゲート電極３と、ゲート絶縁膜４と、ゲート絶縁膜４上にゲート電極３に対向配置された半導体能動層５と、半導体能動層５の両端部上に設けられたオーミックコンタクト層６と、各オーミックコンタクト層６を介して半導体能動層５に電気的に接続されたソース電極７、ドレイン電極８とを有している。そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）