フォトポリマーベースの誘電材料とそれを調製する方法を提供する。そのような誘電材料を含む組成物及び電子デバイスも提供する。１つの態様において、本教示は、誘電材料を調製するのに用いることができるフォトポリマーを提供する。他の望ましい特性の主なものとして、本教示のポリマーは、一般的な有機溶媒に可溶性であり得るが、架橋、例えば、光架橋を受けた後に同じ溶媒に不溶性になることができ、これがある種の加工上の利点を生じさせる。より具体的には、本教示は、ポリマーが架橋することを可能にする、架橋性官能基、例えば、光架橋性官能基を有するポリマーを提供する。架橋官能性は、高密度に架橋したポリマーマトリックスの形成を可能にする。本教示のフォトポリマー及びそれらの架橋生成物は、誘電体としてのそれらの使用を可能にする優れた絶縁特性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】１．５μｍのＤＲによるＴＦＴ製造において、電源電圧・しきい値電圧の要求仕様と一般的なＴＦＴに要求されるＧＩ耐圧を同時に達成し、また、３．０μｍのＤＲによるＴＦＴ製造においても、ＧＩ耐圧を低下させることなく電源電圧等を引き下げる半導体装置及びその製造方法、及び、低消費電力性の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に設けられたベースコート膜と、ベースコート膜上に設けられ、且つ、平坦面を有する半導体層と、半導体層の平坦面上に設けられた酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上に設けられた窒化シリコン膜と、により２層構造に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。
【解決手段】１３５℃から２５０℃で硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値（９×１０^-9Ａ／ｃｍ²から１×１０^-10Ａ／ｃｍ²）を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜の平坦性が優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上の絶縁体層に溝を設け、この溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるようにゲート電極１２を形成し、該ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１３を介して半導体層１４を配置し、該半導体層にソース電極１５およびドレイン電極の少なくとも一方を電気的に接続した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜１３を前記ゲート電極１２上に設けた絶縁体塗布膜１３１とその上に形成された絶縁体ＣＶＤ膜１３２とを含んで構成した。 （もっと読む）

【課題】基板上に薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを通して画素電極に印加される表示信号を保持する保持容量を備える表示装置において、保持容量を形成する電極間の絶縁耐圧を向上して歩留まりの向上を図る。
【解決手段】保持容量１Ｃにおいて、下層保持容量電極１２、薄い下層保持容量膜１４、ポリシリコン層１５Ｃ、上層保持容量膜１６Ｃ、上層保持容量電極１８が積層される。ポリシリコン層１５Ｃはレーザーアニールによる結晶化により形成される。保持容量１Ｃのポリシリコン層１５Ｃは微結晶となりその表面の平坦性が良好となる。ポリシリコン層１５Ｃ（保持容量電極）のパターンは、開口部ＯＰの底部より大きく形成され、その外周部のエッジが開口部ＯＰの傾斜部Ｋ上又は開口部ＯＰの外のバッファ膜１３上に配置されるようにした。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタの本質的な課題であるソース電極端、ドレーン電極端でのペンタセン結晶軸不整合を解消し、正孔電流を増加させることのできる有機半導体薄膜トランジスタおよびその製造方法を得る。
【解決手段】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、ソース電極５とドレーン電極６との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層７をさらに備え、平坦化層７は、結晶配向規制力を有し、平坦化されたソース電極、平坦化層、およびドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】特性を劣化させることなく平坦化が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極22を覆ってゲート絶縁膜21上に、水素化窒化シリコン膜により層間絶縁膜25を形成する。層間絶縁膜25上に、ＢＰＳＧとＴＥＯＳとのいずれか一方により中間膜を形成する。中間膜を５００℃近傍に加熱して流動化させることで平坦化用の平坦化膜26を形成する。中間膜を加熱した際でも、活性層12とゲート絶縁膜21との間の欠陥準位に水素化窒化シリコン膜により形成した層間絶縁膜25から水素原子を充分に供給するので、特性を劣化させることなく平坦化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】導電層の平坦性を向上させる金属配線形成方法及び焼成炉を提供すること。
【解決手段】基板Ｓ上に形成されたマンガン層２５上に、金属微粒子を分散させた配線形成用インクＸ２を塗布する第２液滴吐出工程と、配線形成用インクＸ２を加熱して前記金属微粒子を粒成長させ、銀層２６を形成する第２焼成工程とを有し、前記第２焼成工程で、基板Ｓの上下に間隔をあけて基板Ｓのうち少なくとも配線形成用インクＸ２が塗布された領域に対して赤外線を均一に照射する一対の金属板１８を配置した状態で、基板Ｓを焼成温度まで昇温する。 （もっと読む）

【課題】 例えば液晶パネル用のガラス基板のように大面積であり、表面に大きなうねりを有する研磨対象物を均一に研磨することが可能な研磨方法及び研磨装置を提供する。また、銅配線の採用を可能とし、液晶パネルを構成した場合に高精細化と高開口率化及び狭額縁化とを両立することが可能な薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板５１の一主面側に形成された半導体層５２、ゲート絶縁膜５３及びゲート電極５４を覆って層間絶縁膜５５を形成し、層間絶縁膜５５に配線溝５７を形成し、配線溝５７に配線材料５８を埋め込んだ後、ガラス基板５１を層間絶縁膜５５の形成面の反対側の面から複数の吸着部材で吸着するとともに、被研磨面のうねりの形状に応じて吸着部材の吸着面の位置をガラス基板１の厚み方向に独立に変化させることによりガラス基板１を変形させ、被研磨面を略平坦化した状態で研磨を行うことにより余剰の配線材料５８を除去して配線５９を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属−絶縁物−半導体電界効果トランジスタの製造において、基板材料のバンドギャップの中間付近の仕事関数を有し、フッ素による問題を除去し、ボロンのしみ込みを防ぎ、また、複雑かつ余計な工程段階を使用することのない、ゲート電極を形成する。
【解決手段】金属半導体窒化ゲート電極（４０、７０）が、半導体デバイス（６０）において使用するために形成される。ゲート電極（４０、７０）は、スパッタデポジション、低圧化学蒸着（LPCVD）またはプラズマエンハンスト化学蒸着（PECVD）により形成できる。その材料は、シリコン含有化合物の類をエッチングし、従来のハロゲン基エッチング化学物質にエッチングされる。金属半導体窒化ゲート電極（４０、７０）は、比較的安定であり、従来のゲート電極よりも比較的薄く形成できる。また、基板（１２）の物質のバンドギャップの中間付近の仕事関数を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦度の低下を抑制して所定の特性を発現させる。
【解決手段】第１膜パターン（ゲート配線４０）に対応する第１開口部（第１のパターン形成領域５５）、及び第１膜パターン（４０）より幅狭で第１膜パターン（４０）に接続される第２膜パターン（ゲート電極４１）に対応する第２開口部（第２のパターン形成領域５６）を有するバンク３４を形成する工程と、第１開口部（５５）に機能液Ｌ２の液滴を配置し、機能液Ｌ２の自己流動により機能液Ｌ２を第２開口部（５６）に配置する工程と、第１開口部（５５）及び第２開口部（５６）に配置された機能液Ｌ２を硬化させる工程とを有する。第１膜パターン（４０）及び第２膜パターン（４１）は、液滴を塗布する工程と機能液を硬化させる工程とを液滴毎に複数回繰り返して成膜される。 （もっと読む）

【課題】微小孔の発生を抑制するとともに結晶性の良い平坦化された結晶質半導体膜を製造する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜（３）を用意する工程と、非晶質半導体膜（３）の結晶化を助長する触媒元素（４）を非晶質半導体膜（３）に添加する工程と、触媒元素（４）の添加された非晶質半導体膜（３）に熱処理を行うことにより、結晶質半導体膜（３’）を得る工程と、結晶質半導体膜（３’）の表面に所定の凹凸形状を付与する工程と、結晶質半導体膜（３’）の表面に所定の凹凸形状を付与した後、結晶質半導体膜（３’’）の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去した後、結晶質半導体膜（３’’）にレーザビーム（６）を照射する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の被覆不良によるゲート電極と半導体層とのショート及びリーク電流などの不良が防止された信頼性の高い半導体装置、及びそのような半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に複数の半導体素子を形成するために、連続した半導体層中に半導体素子として機能する素子領域と、抵抗が高く素子領域間を電気的に分離する機能を有する素子分離領域を形成する。素子分離領域は、連続した半導体層において、素子間を電気的に分離するために、選択的に酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の不純物元素を添加して形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程および製造時間を増加させることなく、平坦化された半導体膜を製造する。
【解決手段】本発明による半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に結晶化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜を得る結晶化工程と、結晶化工程に連続して、結晶質半導体膜に平坦化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜の表面を平坦化する平坦化工程とを包含する。平坦化工程は、結晶質半導体膜のうち複数の第１単位領域に第１平坦化レーザビームを照射する第１平坦化工程と、結晶質半導体膜のうちそれぞれが第１単位領域とは少なくとも一部異なる複数の第２単位領域に第２平坦化レーザビームを照射する第２平坦化工程とを含む。 （もっと読む）

電子デバイスを形成する方法は、基板（１００）の上に位置する半導体層（１０６）の上にパターン形成された耐酸化層（１２４）を形成することと、半導体層をパターン形成して半導体島（２０２，２０４，２０６，２０８）を形成することとを含む。半導体島は第１の表面と、第１の表面に対向する第２の表面とを含み、第１の表面は第２の表面と比較して基板のより近くに位置している。また、この方法は、半導体島の側面に沿って耐酸化材料（４２４）を形成すること、または半導体島の側面に沿って半導体材料を選択的に堆積させることも含む。さらに、この方法は、パターン形成された耐酸化層および半導体島を酸素含有雰囲気に露出することを含み、第１の表面に沿った半導体島の第１の部分は、パターン形成された耐酸化層、半導体島および耐酸化材料を酸素含有雰囲気に露出している間に酸化される。
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【課題】結晶粒を大きくでき、かつ、その特性向上を図ることができる半導体結晶薄膜の製造方法、およびそれに用いる製造装置、フォトマスクを提供する。
【解決手段】半導体薄膜上にスリットビーム群を形成するようにレーザビームを照射する第１のレーザと、前記スリットビーム群を含む照射領域にレーザビームを照射する第２のレーザとを用いて、半導体薄膜を結晶化させて半導体結晶薄膜を形成する工程と、前記第１のレーザを用いて、前記第２のレーザの照射領域を含む矩形状のレーザビームを照射することによって、半導体結晶薄膜に生じたリッジの高さを低減する工程とを含む半導体結晶薄膜の製造方法、およびそれに用いる装置、フォトマスク。 （もっと読む）

【課題】任意の大面積の絶縁膜上に結晶性及び均一性の良いシリコン薄膜を形成することが可能な半導体基板の製造方法、及び、この半導体基板を用いて高性能な半導体素子を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に絶縁膜（基体３）を介して形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に矩形状の紫外線ビームをパルス状にて照射することで、凹凸のある結晶化シリコン膜（シリコン薄膜５）を形成し、研磨を行うことで、当該結晶化シリコン膜の表面状態を平坦化する工程とを有し、紫外線ビーム照射位置の移動量と、紫外線ビームの幅に対する移動量の割合を適切な値に設定することで、格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群からなる結晶化シリコン膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極の形状に関係なく、電荷の移動度を十分に向上できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ボトムコンタクト型の薄膜有機トランジスタ１では、ソース電極３とドレイン電極４との間の溝に平坦化層７が埋められている。これにより、ソース電極３の表面とドレイン電極４の表面との間が平坦化されるので、ソース電極３及びドレイン電極４のチャネル側側面と各上面とが交わる角部を無くすことができる。よって、ソース電極３及びドレイン電極４の表面では、有機半導体層８を構成する有機半導体結晶の分子配列の配向性を良好にできる。さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】性能の優れた液晶表示装置の作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上にゲイト電極を形成し、ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上に微結晶の半導体膜を形成し、半導体膜上にマスクを形成し、マスクを用いて、半導体膜の選択された部分に不純物を導入し、マスクを残したまま光を照射する液晶表示装置の作製方法であって、光はガラス基板の少なくとも上方から照射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の遮光性及び配向性を同時に改善する。
【解決手段】表示装置は、基板１１上に透明画素電極３１を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。第一の平坦化膜２５が薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に遮光層２７，２８が配されている。第二の平坦化膜２９が遮光層２７，２８の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に画素電極３１が配されている。導電性の遮光層２７，２８を上下から絶縁性の平坦化膜２９，２５で挟み込む構造を採用することで、表示装置の遮光性及び配向性を改善することが可能である。 （もっと読む）