【課題】平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することのできるマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】基板２上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層６と、複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域６０ａ、６０ｂと、複数の半導体層のそれぞれに、ソース領域とドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜８と、チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜９と、チャネル領域のそれぞれの両側面にゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともにチャネル領域のそれぞれの上面に保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極１０と、複数のゲート電極のそれぞれの側面を覆うように基板上に設けられた層間絶縁膜２０と、複数のゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部２３と、接続部に接続されたゲート配線２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜にソース・ドレイン電極を埋め込むことにより、オン電流が大きなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタを安価な印刷プロセスで提供する。
【解決手段】絶縁基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極と、半導体層と、を順次積層したボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上に凹形状を設け、該凹形状部分にソース・ドレイン電極を配置する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】脆化層を形成する単結晶半導体基板側にハロゲンを含む絶縁膜を形成し、該ハロゲンを含む絶縁膜に対してプラズマ処理を行い、ハロゲンを含む絶縁膜と半導体基板の一方の面とが向かい合うようにボンディング（接着）させ、熱処理を行うことにより、脆化層において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板と単結晶半導体基板とに分離し、半導体基板に接着された単結晶半導体層に対して平坦化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】特性劣化を引き起こすゲート電極表面の凹凸が抑えられた、可視光に対して透明な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、から少なくとも構成されるボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、該トランジスタを構成するすべての部材は、可視光に対して透明であり、該ゲート電極と該ゲート絶縁層との界面において、該界面の垂直方向の凹部と凸部の差は３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する場合に、シリコンと絶縁膜との界面の形状を極めて平坦化することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】印刷法によって有機薄膜トランジスタを形成する場合のゲート絶縁膜の平坦性を向上させることで、高いトランジスタ特性を持ち、安価な有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ボトムゲート型の有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜を少なくとも２層の積層された絶縁膜で構成し、第１層の絶縁膜の表面粗さを第２層の絶縁膜の表面粗さよりも大きくすることによって、印刷法によって有機薄膜トランジスタを形成する場合の、２層のゲート絶縁膜間の密着性を向上させると共に、第１層の絶縁膜の平坦性を向上させることができ、高いトランジスタ特性を持ち、安価な有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】支持基板１０ｄに電界効果型トランジスタ３０が形成された半導体装置１０ｓにおいて、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、下層側絶縁膜７１、平坦化膜７４および上層側絶縁膜７５が順に形成されている。平坦化膜７４は導電膜からなり、導電パターン９ｓと電界効果型トランジスタ３０とを電気的に接続するためのコンタクト部７０では、平坦化膜７４に第１コンタクトホール７４ａが形成され、かかる第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する第２コンタクトホール７５ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】種々の平坦化プロセスを用いて種々の平坦構造を形成することにより、加工精度を確保すると共に信頼性の高い、優れた特性の薄膜半導体素子を製造する方法、それによって製造された薄膜半導体素子、及びその薄膜半導体素子を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板上に非晶質半導体層を形成する工程、前記非晶質半導体層を結晶化する工程、前記結晶化された半導体層をパターニングして島状結晶質半導体層を形成する工程、前記島状結晶質半導体層の周囲との段差を第１の絶縁膜で埋め、表面段差０．１μｍ以下の第１の平坦構造を形成する工程、前記第１の平坦構造上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上に導電性膜を形成する工程、前記導電性膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程、及び前記ゲート電極をマスクとして前記島状結晶質半導体層に不純物を導入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性のばらつき、信頼性、歩留まりを向上する。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、基板１０１と、前記基板上に配置されたソース電極１０２およびドレイン電極１０３と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを直接的に接続する半導体ナノワイヤ１０４と、前記半導体ナノワイヤの近傍に配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔よりも小さい粒子１０５と、前記半導体ナノワイヤに隣接し、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１０６と、前記絶縁膜を介して前記半導体ナノワイヤの電気伝導を制御することが可能なゲート電極１０７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 過熱によるＳｉの溶融や急冷による熱応力の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極、及び前記島状半導体層の周辺に配置された熱緩衝パターンを具備し、前記熱緩衝パターンは、前記基板よりも熱伝導率が大きく、前記島状半導体層よりも融点が高い材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 過熱によるＳｉの溶融や急冷による熱応力の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、及び前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極を具備し、前記島状半導体層の平面形状は、すべての角が鈍角である多角形であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを目的の一とする。また、そのような半導体基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板より支持基板に転載され、全領域においてレーザ光照射による溶融状態を経て再単結晶化された単結晶半導体層を有する半導体基板を用いる。従って、単結晶半導体層は結晶欠陥も低減され結晶性が高く、かつ平坦性も高い。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ソースガスを励起してプラズマを生成し、プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、絶縁層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、単結晶半導体基板を加熱することにより、損傷領域において分離して、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板とに分離し、支持基板に貼り付けられた単結晶半導体層の表面に対して、ドライエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも一部を溶融することで、単結晶半導体層を再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】バッファ層を介して単結晶半導体層を有する半導体基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷層を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体層を有する側より単結晶半導体層にレーザビームを照射し、単結晶半導体層のレーザビームが照射されている領域の表面から深さ方向の一部の領域を溶融することで、溶融せずに残った単結晶半導体層の面方位をもとにして再結晶化させることでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面の平坦化させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】イオンドーピング装置により、水素ガスを励起して生成したイオンを加速し単結晶半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、単結晶半導体基板を加熱して、損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を加熱しながら、この単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再単結晶化して、その結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化する。 （もっと読む）