【課題】本発明は、金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際に、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の劣化を抑制することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することができるフレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属箔と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて半導体装置の歩留まりを向上することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板にイオンを添加して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ベース基板にレーザー光の照射による複数の凹凸部を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる際に、複数の凹凸部をボンド基板とベース基板との位置合わせの指標として用いると共に、複数の凹凸部の一を含む領域に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってその外周が閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】平面性を失わないようにテトラベンゾポルフィリンの特性を変化させ、半導体材料として提供する。
【解決手段】２か所のメソ位が１価の有機基で置換されたテトラベンゾポルフィリンを含む、半導体材料。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の簡略化を達成しつつ、基板表面の凹凸を低減させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
複数のゲート線と、前記ゲート線に交差する複数のドレイン線と、前記ゲート線と前記ドレイン線との交差部付近にそれぞれ形成された薄膜トランジスタと、隣接する一対の前記ゲート線と隣接する一対の前記ドレイン線とで囲まれた画素領域毎に形成された着色膜とを備え、隣接する画素の着色膜の端部を重ねてなる領域が前記ドレイン線に重畳して形成される液晶表示装置であって、前記ゲート線と前記ドレイン線とを電気的に分離する層間絶縁膜が前記薄膜トランジスタの上層に形成され、前記ドレイン線の形成領域に沿って前記層間絶縁膜に凹部が形成され、該凹部に前記ドレイン線が形成されてなる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置外部と電気的に接続される領域となる端子部は、その製造工程中に、フォトダイオードのドライエッチング雰囲気、パッシベーション層のフッ酸系ウェットエッチング雰囲気に等に晒される。また、各工程におけるレジスト剥離に伴うプラズマアッシング雰囲気にも晒される。そのため、エッチング工程による端子部の表面でダメージが蓄積され、接触抵抗の増加、密着性の低下等の不良が発生する。
【解決手段】製造工程中でのエッチング工程による端子部１０Ｂの表面でのダメージ蓄積を防ぐため、無機平坦化層２０２を、最終のエッチング工程（端子部１０Ｂとコンタクトを取る工程前）まで残した。エッチング工程によるダメージは無機平坦化層２０２により吸収されるため、端子部１０Ｂへの不必要なダメージ蓄積を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型トランジスタ（ボトムゲート型ＴＦＴ）において、ゲート電極の段差の影響を低減した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体層の一部を宙に浮かす。具体的には、半導体層に庇部（突出部、オーバーハング部）が形成された構造を形成する。庇部は、導電層、絶縁層、半導体層が順次積層された積層構造を一括でエッチングしてゲート電極のパターンを確定した後、半導体層のパターンを形成するとともにサイドエッチングを行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層および有機半導体層の界面の平滑性を改善し、良好なトランジスタ特性を得ることが可能な有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上にゲート電極３を形成するゲート電極形成工程と、上記ゲート電極３上にゲート絶縁層４を形成するゲート絶縁層形成工程と、上記ゲート絶縁層４表面を洗浄する洗浄工程と、上記洗浄したゲート絶縁層４上に平滑化層形成用塗工液を塗布して平滑化層５を形成する平滑化層形成工程と、上記平滑化層上に有機半導体層８を形成する有機半導体層形成工程と、チャネル領域１３を挟んで上記有機半導体層８に接するようにソース電極６およびドレイン電極７を形成するソース・ドレイン電極形成工程とにより、有機トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｓ１）を準備する工程と、テンプレート（Ｓ２）を準備する工程と、前記テンプレート表面にゲート電極（１０）を形成する工程と、前記基板およびテンプレートを貼り合わせる工程と、前記テンプレートから前記基板および前記ゲート電極を一体的に剥離して前記ゲート電極を前記テンプレートから前記基板に転写するする工程と、を有する。かかる方法によれば、ゲート電極の表面の平坦性が向上し、その上に形成されるゲート絶縁膜（１２）の表面の平坦性も向上する。その結果、ゲート絶縁膜の薄膜化が容易となり、半導体装置の消費電力の低減ができる。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ表面の凹凸に起因する、ゲートリーク電流や素子の絶縁破壊を抑制することができる薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供すること。
【解決手段】透明な基板上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線に離間して形成されたキャパシタ配線と、前記ゲート配線およびキャパシタ配線上に形成された透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体活性層と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なって形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なり、前記ソース配線と離間して形成されたドレイン電極とを備え、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線がくぼみ部分に配置されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する酸化物半導体からなる薄膜が、高いＴＦＴ特性を有することが可能な薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。第２工程として、非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを、電気炉へ投入し、その表面粗さＲａ値を１．５ｎｍ以下として維持しつつ多結晶化する温度領域６６０℃〜８４０℃で焼成する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が低くかつ表面の平滑性に優れた断熱層を備え、半導体素子作製の際の熱処理に耐え得る半導体素子用基板を提供する。
【解決手段】高分子基板と、前記高分子基板上に設けられ、無機物を主成分とするマトリックスと無機物の中空粒子とを含む、空隙率５％以上６０％以下の断熱層と、を有する半導体素子用基板である。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体をレーザアニール法によって形成する方法に於いて、多結晶半導体膜の表面ラフネスを低減する。
【解決手段】レーザアニール装置の光学系に非晶質シリコン半導体薄膜を成膜した基板１の走査方向における照射光強度分布を、高エネルギの光強度側の微結晶しきい値以上のエネルギ領域と表層のみ融合するエネルギ領域を有する分布として制御する透過率分布フィルタ６を設置し、通常のラインビームを利用するエキシマレーザアニール法または位相シフトストライプマスク法またはＳＬＳ法に適用する事によって、それぞれの方法で得られる多結晶の表面突起の高さを低減する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板上に設けられた第１の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第２の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０からその上面までの高さが高い駆動回路部６０と、駆動回路部６０と所定の距離を隔てて絶縁性基板１０上に設けられたＴＦＴ３５とを接続する配線層３０によって接続する前に、ＴＦＴ３５と駆動回路部６０との間にＳＯＧ膜２６を形成する。そして、さらに駆動回路部６０の上面に形成されたＳＯＧ膜２６をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部６０の上面と絶縁性基板１０との間の段差を緩和し、駆動回路部６０の底部近傍で配線層３０が断線することを防止する。 （もっと読む）