【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板(S1)上に、ゲート電極(15)を形成する工程と、第２基板（S2)の上部にソース、ドレイン電極(25s,25ｄ)を形成する工程と、前記第１基板と第２基板とを絶縁材料よりなる接着材(35)を介して貼り合わせる工程であって、前記ゲート電極およびソース、ドレイン電極が、前記接着材中に埋め込まれるよう貼り合わせる接着工程と、前記第２基板を剥離することにより前記ソース、ドレイン電極および前記接着材表面を露出させる工程と、前記ソース、ドレイン電極および前記接着材表面上に有機半導体膜(45)を形成する工程と、を有する。かかる方法によれば、接着材等の表面の平坦性が向上し、有機半導体膜の成膜性を向上できる。また、ゲート絶縁膜となる前記接着材と有機半導体膜との界面が良好となる。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】平坦化構造のアッシングに対する耐性を高めつつ、レジスト層の露光精度についても可及的に高める。
【解決手段】基板１１上に形成した平坦化膜１５の表面に、バリア層１６を積層する工程と、バリア層１６の表面にレジスト層２０を形成する工程と、レジスト層２０を露光してレジスト層２０に開口部を形成することにより、マスクを形成する工程と、マスクの開口部を介して平坦化膜１５をエッチングする工程と、エッチングされた平坦化膜１５からマスクをアッシングにより除去する工程とを備え、バリア層１６は、下層反射防止膜により構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。特に、遮光膜を用いながら貼り合わせ精度の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置を、支持基板（１０Ｓ）上の全面に遮光性膜（１３）を堆積する工程と、支持基板上の全面に堆積された遮光性膜上に絶縁膜（１５）を堆積する工程と、絶縁膜（１５）上に半導体基板を貼り合わせる工程と、半導体基板を薄膜化し、半導体膜（２０）を形成する工程と、遮光性膜、絶縁膜および半導体膜を、連続してパターニングする工程と、半導体膜（２０Ｐ）上に半導体素子を形成する工程と、により形成する。かかる方法によれば、遮光性膜を支持基板上の全面に堆積する（デポ膜とする）ことで、その表面が平坦な状態で半導体基板と貼り合わせることが可能となり、貼り合わせ精度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、第１配線層上に形成される層間絶縁膜に加わる歪み（ストレス）を解消するとともに段差の形成を抑制し、層間絶縁膜におけるクラックの発生や第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。少なくとも第１配線層と、第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成される第２配線層とを有する。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は第２配線層の側壁の傾斜角度θ２よりも小さい。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は６５°以下であり、第２配線層の側壁の傾斜角度θ２は７０°以上である。また、第１配線層の膜厚ｄ１は第２配線層の膜厚ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】均一な形状・特性を有するＦｉｎＦＥＴのゲート電極を安定して形成する。また、ＦｉｎＦＥＴを構成するゲート電極の剥離やゲート絶縁膜の絶縁性の劣化を防止することにより、安定で均一な特性を有するＦｉｎＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】（９）全面にポリシリコン膜を形成する工程と、（１０）マスクパターンをストッパに用いて、ポリシリコン膜にＣＭＰ処理を行う工程、（１１）全面に金属膜を形成する工程、（１２）ポリシリコン膜の少なくとも一部と、金属膜の少なくとも一部とを反応させて、金属のシリサイド化を行うことによりゲート電極を形成する工程、ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの一方の面からイオンを照射して、損傷層を形成し、半導体ウエハの一方の面上に絶縁層を形成し、支持基板の一方の面と、半導体ウエハに形成された絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、支持基板と半導体ウエハを接着し、損傷層において、半導体ウエハと支持基板とに分離させることで、支持基板上に半導体層を転置し、半導体層に部分的に残存する損傷層をウェットエッチングにより除去し、半導体層の表面に対してレーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】チャネルのサイズおよび形状の揺らぎを可及的に抑制するとともに、チャネルの幅が可及的に小さい電界効果トランジスタを提供することを可能にする。
【解決手段】Ｓｉを含む半導体層を上面に備えた半導体基板４上に、絶縁膜のマスク９を形成する工程と、マスクを用いてエッチングを行うことにより半導体層を半導体基板の上面に平行な一方向に延在するメサ状に加工する工程と、水素雰囲気中での熱処理を行うことにより、半導体層の一方向に延在しかつ対向する一対の側面間の距離を狭くするとともに側面を平坦化する工程と、側面が平坦化された半導体層を覆うゲート絶縁膜１２を形成する工程と、ゲート絶縁膜を覆うゲート電極１３を形成する工程と、ゲート電極の両側の半導体層にソース／ドレイン領域を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】面状、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射して、半導体基板の主表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、半導体基板の主表面とベース基板の一主表面とを対向させ、絶縁膜の表面とベース基板とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、第２のイオンの質量数を第１のイオンの質量数と同一又は第１のイオンの質量数より大きくする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板を用いて高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、機械的な研磨を行わずに高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上の絶縁層と、絶縁層上の接合層と、接合層上の単結晶半導体層と有し、単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下とする。または、凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても良い。または、凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であっても良い。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面に窒素含有層を形成し、窒素含有層を介して半導体基板の所定の深さにイオンを添加して剥離層を形成し、窒素含有層上に絶縁層を形成し、絶縁層の表面とベース基板の表面とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、イオンの添加は、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射しながら、半導体基板をイオンビームの短尺方向に相対的に移動させて行う。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高く、かつアンテナと素子の重なり部分の凹凸を低減された半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸され、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下である封止層とを有するチップと、凹部を有し、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続されるアンテナとを有し、前記チップは前記凹部の内部に埋め込まれ、前記チップの厚さと前記凹部の深さは同じである半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】厚みが均一で、表面が平滑なゲート絶縁層を有することにより、トランジスタ性能が良好な有機半導体トランジスタを備え、高生産性で製造可能な有機半導体素子を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、絶縁性材料からなり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極によって構成されるチャネル領域上が開口部となるように形成された絶縁性隔壁部と、上記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層と、上記有機半導体層上に形成され、絶縁性樹脂材料からなるゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有する有機半導体素子であって、上記ゲート絶縁層が層間絶縁層と一体となるように形成されていることを特徴とする、有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の反射型液晶表示装置において、凹凸を有する反射電極の影響で液晶層の厚さにバラつきが出て、コントラストが劣化することを対策する。
【解決手段】ＴＦＴ基板の樹脂層１８の上に凹凸を有する反射電極１９、２０が形成されている。反射電極１９、２０の上には画素電極２３として塗布型のＩＴＯが０．５μｍ〜１μｍの厚さで塗布されている。塗布型ＩＴＯの表面は平坦になっている。画素電極２３の上には容量絶縁膜２２が形成され、容量絶縁膜２２の上には櫛歯状のコモン電極２１が形成されている。コモン電極２１と画素電極２３の間に電圧を印加すると漏れ電界によって液晶２５が制御される。コモン電極２１が平坦な面に形成されているために、液晶層２５の厚みを均一にすることが出来、最適なコントラストを得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで得ることができ、電気的絶縁性が高く、表面性状が良好なシルセスキオキサン系絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと、前記アルコキシシランの加水分解を促進するための酸触媒と、水と、第１の非プロトン性溶媒とを含む溶液を用意する工程と、前記溶液を０℃〜５０℃の温度に維持して加水分解する工程と、前記加水分解後に、前記溶液を５０℃〜７０℃の温度に維持し、加水分解重縮合を進行させる工程と、前記加水分解重縮合を進行させた後に、酸触媒及び副生成物を少なくとも留去するために減圧する工程と、減圧後に前記溶液を塗工する工程と、塗工された溶液を１５０℃〜１７０℃の温度で焼付けてシルセスキオキサン系膜を形成する工程とを備える、シルセスキオキサン系絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶分子への電界の印加を向上させた液晶表示装置の提供。
【解決手段】基板と、この基板の表面に被着された画素アレイを備え、
前記画素アレイは、少なくとも薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに接続された画素電極を備え、
前記基板に対して、前記画素電極は薄膜トランジスタよりも上層に形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、画素電極、電極間絶縁膜、および共通電極がこの順に積層されたＦＦＳモードの液晶装置の製造方法、および液晶装置において、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止可能な構成を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０上には、薄膜トランジスタ３０と、層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続された画素電極７ａと、電極間絶縁膜８ａと、スリット状の開口部９ｂが複数、形成された共通電極９ａとが積層されている。コンタクトホール６ａは、画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｂにより埋められている。ホール内絶縁膜８ｂは、電極間絶縁膜８ａと同時形成された絶縁膜であり、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を塗布後、焼成させてなる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）