【課題】最終結晶においてリッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】制御部８は、移動部７により被照射物８０を相対的に移動させながら第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５に対して複数回の照射を行なわせることにより、重複する照射領域内で結晶の引継ぎ成長を行なわせる。このとき、あるスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突しないように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御した後、移動部７により被照射物を相対的に移動させ、他のスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突するように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御する。したがって、リッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】材料や形成されたパターンが異なる複数の層が積層された構造の半導体装置において、ＣＭＰ法による研磨処理やＳＯＧ膜成膜による平坦化処理を行わなくても平坦化でき、さらに基板材料を選ばず、簡便に平坦化を行う方法を提供することを課題とする
【解決手段】異なる層が複数積層されて形成された半導体装置において、絶縁膜に開口部を形成し、その開口部内に配線（電極）または半導体層を形成することにより、絶縁膜および配線（電極）または半導体層上に形成される絶縁膜に対してＣＭＰ法による研磨処理またはＳＯＧ膜の成膜による平坦化を行わなくても表面の平坦化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を持つ画素電極を有する半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上に、絶縁膜と、前記絶縁膜に埋め込まれた第１の画素電極と、前記絶縁膜上に島状単結晶半導体層と、ゲート絶縁膜及びゲート電極と、前記島状単結晶半導体層及び前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記高濃度不純物領域と前記第１の画素電極を電気的に接続する配線と、前記層間絶縁膜、前記島状単結晶半導体層、前記ゲート電極を覆い、前記第１の画素電極上の領域が開口された隔壁と、前記画素電極上の、前記隔壁に囲まれた領域に形成された発光層と、前記発光層に電気的に接続された第２の画素電極とを有し、前記第１の画素電極の、前記発光層と接する面は平坦であり、前記絶縁膜と前記島状単結晶半導体層が接する面と、前記第１の画素電極と前記発光層が接する面は、略一致する半導体装置とその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】水素イオン注入法により、ベース基板がガラス基板のような耐熱性の低い基板でなり、表面の平坦性が高く、１００ｎｍ以下の薄い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】接合層を介して半導体基板とベース基板を貼り付ける。加熱処理を行い、半導体基板を分割することで、半導体基板から分離された半導体層が固定されたベース基板を得ることができる。この半導体層にレーザ光を照射し、溶融させることで、半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつその結晶性を回復させる。レーザ光の照射の後、半導体層をエッチングなどにより薄くする。以上の工程を経ることで、ベース基板上に厚さ１００ｎｍ以下の単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸を低減させた多結晶シリコン薄膜上の酸化膜の形成方法、及びその酸化膜を備えたＭＯＳ型半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一部に３０ナノメートル超の最大表面粗さを有する多結晶シリコン薄膜１２を、１００℃超の酸化性溶液２２に浸漬し、又は前記溶液を噴霧し、あるいはその溶液の蒸気に曝露することによってシリコンの酸化膜が形成される。これにより、多結晶シリコン薄膜表面の凹凸は３０ナノメートル以下に低減され、その上に形成されたシリコンの酸化膜は薄膜であっても均一な厚さとなるため、この酸化膜はＴＦＴのゲート絶縁膜としても十分に機能しうる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。
【解決手段】窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、結晶質半導体膜の表面における最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】ダミーアクティブエリアの剥がれおよび自己汚染を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、バルク基板１０と、バルク基板上に設けられた埋込み絶縁膜２０と、半導体素子が形成されるアクティブエリアＡＡ、および、該アクティブエリアから分離され半導体素子が形成されないダミーアクティブエリアＤＡＡを含み、埋込み絶縁膜上に設けられた半導体層３０と、ダミーアクティブエリアの下で埋込み絶縁膜を貫通してバルク基板に達するように設けられ、ダミーアクティブエリアを支持する支持部４０とを備えている。 （もっと読む）

少なくとも１つのアルキル基と少なくとも１つのアリール基すなわち芳香族基を含む少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の触媒、および少なくとも１種の溶媒を含む架橋可能な組成物が開示されている。ａ）デバイス内の表面；ならびにｂ）少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の触媒、および少なくとも１種の溶媒から作製される、少なくとも１種の充分に光透過性の架橋フィルム；を含むオプトエレクトロニクスデバイスが開示されている。ａ）デバイス内の表面（１２０）；ならびにｂ）少なくとも１種のシリコン系材料、少なくとも１種の架橋剤、および少なくとも１種の溶媒を含む、少なくとも１種の光透過性の架橋可能な組成物（１４０）；を含むオプトエレクトロニクスデバイスも開示されている。ａ）表面（１２０）を供給すること；ｂ）少なくとも１種の充分に光透過性の架橋可能な組成物（１４０）を供給すること、ここで前記組成物は、少なくとも１種のシリコン系材料と少なくとも１種の触媒を含む；ｃ）前記表面に前記架橋可能な組成物を施すこと；およびｄ）充分に光透過性の架橋組成物が形成されるように前記架橋可能な組成物を硬化させること；を含む、オプトエレクトロニクスデバイス（１０５）の製造方法も開示されている。ポリフェニルシルセスキオキサン、ポリフェニルシロキサン、もしくはこれらの組み合わせ物；硝酸テトラメチルアンモニウム；少なくとも１種の溶媒、およびアミノプロピルトリエトキシシラン系の化合物；を含む架橋可能な組成物も開示されている。 （もっと読む）

【課題】 埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１の表面に形成したマスク１７を用いて絶縁性基板１の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝１８を形成する。マスク１７を除去せずに絶縁性基板１の表面全体に金属ナノ粒子インクを塗布し、加熱により仮硬化させて金属ナノ粒子インク膜２０を形成する。マスク１７の剥離により膜２０の当該マスク上にある部分を選択的に除去して溝１８の内部に膜２０を残す。加熱により溝１８内の膜２０を本硬化させ所望のゲート配線２を得る （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン膜における表面凹凸の形成を抑制し、ＭＯＳ型半導体素子の動作速度を向上する。
【解決手段】 シリコン膜（アモルファスシリコン膜）３上に光透過性の絶縁膜４を介してシリコン膜５を形成し、これらシリコン膜５及び絶縁膜４をキャップ膜としてＹＡＧレーザの高調波をシリコン膜３に照射し、多結晶化する。これをＭＯＳ型半導体素子のチャネルとして用いる。キャップ膜として用いた絶縁膜４をそのままゲート絶縁膜として用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ領域とバルク領域の両方に対する素子形成の容易さや、その加工精度の向上を可能とした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ領域のＳｉ基板１をエッチングして凹部を形成する工程と、ＳＯＩ領域のＳｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１及びＳｉ層１３を順次形成して凹部を埋め込む工程と、Ｓｉ層１３とＳｉＧｅ層１１とを部分的にエッチングして、ＳＯＩ領域のＳｉＧｅ層１１の側面を露出させる溝を形成する工程と、この溝を介してＳｉＧｅ層１１を選択的にエッチングすることによって、ＳＯＩ領域のＳｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部を形成する工程と、空洞部内にＢＯＸ層を形成する工程と、を含み、凹部を形成する工程では、凹部の深さがＳｉＧｅ層１１及びＳｉ層１３の膜厚の合計値と同じ大きさとなるようにＳｉ基板１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線の断線や容量耐圧の低下などの不具合を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極に電気的に接続された第１導電膜（１ａ）と、第１導電膜の上層側に配置された第１絶縁膜（４１）と、第１絶縁膜の上側表面に形成された本体部（７１ａ）及びこの本体部から第１絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（８３）の内表面に延設された延設部（７１ｂ）を有し、第１導電膜にコンタクトホールを介して電気的に接続された第２導電膜（７１）とを備える。更に、延設部上に且つコンタクトホールの内部を埋めるように形成されると共に、基板上で平面的に見て、本体部に少なくとも部分的に重ならないように形成された第２絶縁膜（６１０）を備える。 （もっと読む）

【課題】 上層配線が半導体層に接続された薄膜トランジスタにおいて、コンタクトホール形成部の層間絶縁膜の厚さを薄くし、均一なコンタクトホールの形成を可能とする。
【解決手段】 多結晶半導体層３を活性層とし、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール７を介して配線が多結晶半導体層３に接続されている。多結晶半導体層３に接続される配線は、複層配線のうちの２層目以上の上層配線（第２配線８）である。コンタクトホール７に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン１０が形成され、この下地パターン１０上に多結晶半導体層３の第２配線８との接続部分（ソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】グローバル段差の生じる領域や回路配置等に依存しないフォトマスクによって、グローバル段差を平坦化するためのレジストパターンを露光、形成することが可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】次の工程を含む製造方法によって電気光学装置を製造する。まず、基板１０上に形成された画素回路素子層７ａ、周辺回路素子層７ｂの表面に第３層間絶縁膜４３を形成する（ａ）。次に、第３層間絶縁膜４３の表面を研磨し（ｂ）、レジスト６５を形成する（ｃ）。次に、レジスト６５の表面の段差ｄの２倍より小さな焦点深度を有する露光系を用いて、レジスト６５の段差のうち上段に相当する高さに焦点を合わせてレジスト６５にパターンを露光する（ｄ）。続いて、パターンを現像して除去し、当該パターンの形成されたレジスト６５をマスクに用いて第３層間絶縁膜４３をエッチングする。その後、レジスト６５を剥離する。 （もっと読む）

【課題】平坦性の高い画素電極を形成することで高コントラストを得る、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板６０上に剥離層６１を形成し、剥離層６１上に光反射性を有する電極形成層６２を形成する。そして、電極形成層６２上に絶縁層１５を設け、絶縁層１５上に電極形成層６２に導通する薄膜トランジスタ３０を設ける。その後、電極形成層６２及び薄膜トランジスタ３０を含む積層体４０から支持基板６０を剥離し、電極形成層６２を所定のパターン状に分割し、画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力かつ高信頼性を付与された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む半導体層と、半導体層側面を覆う第１の側壁絶縁層と、半導体層及び第１の側壁絶縁層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層と、ゲート電極層側面を覆う第２の側壁絶縁層とを有し、ゲート絶縁層は半導体層のチャネル形成領域を覆っており、ソース領域及びドレイン領域は表面にシリサイドが設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明性及び平坦性の優れたゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と半導体層との間に配置されるゲート絶縁膜として、コーティング剤から得られた透明絶縁体膜Ａ１３１を形成する。コーティング剤は、Ｒ_ｘＭＸ_ｍ−ｘ（式中、Ｒは非加水分解性置換基、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＩｎの何れかの元素、Ｘは加水分解性置換基、ｘは０〜３の整数、ｍはＭの価数をそれぞれ示す。）で表される化合物を加水分解縮合反応することにより得られる縮合物を、有機溶剤、水又はそれらの混合溶媒中に溶解又は分散してなる混合液の一種からなるか、又は該混合液の二種以上を混合してなる。一方、透明絶縁体膜Ａ１３１は、Ｒ_ｘＭＯ_ｙで表される酸化物である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上へのＶＦＥＴと他の種類の素子との混載が可能でありながら、半導体基板上に積層される半導体層の表面に大きな段差を有しない半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ⁻型表面層５が積層されている。ボックス層３上には、Ｎ⁻型表面層５の表面からボックス層３に至る深さを有する、平面視環状のディープトレンチ６が形成されている。ディープトレンチ６およびボックス層３に取り囲まれるトランジスタ形成領域８は、その周囲から分離されている。このトランジスタ形成領域８において、Ｎ⁻型表面層５の表層部には、ソース領域１４およびドレイン領域１６が形成されている。またディープトレンチ６の側面に沿って、ドレイン領域１６とＮ^＋型横方向導電層４とに接続されたＮ^＋型縦方向導電層１７が形成されている。 （もっと読む）