マルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法
【課題】平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することのできるマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】基板２上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層６と、複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域６０ａ、６０ｂと、複数の半導体層のそれぞれに、ソース領域とドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜８と、チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜９と、チャネル領域のそれぞれの両側面にゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともにチャネル領域のそれぞれの上面に保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極１０と、複数のゲート電極のそれぞれの側面を覆うように基板上に設けられた層間絶縁膜２０と、複数のゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部２３と、接続部に接続されたゲート配線２４と、を備えている。
【解決手段】基板２上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層６と、複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域６０ａ、６０ｂと、複数の半導体層のそれぞれに、ソース領域とドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜８と、チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜９と、チャネル領域のそれぞれの両側面にゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともにチャネル領域のそれぞれの上面に保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極１０と、複数のゲート電極のそれぞれの側面を覆うように基板上に設けられた層間絶縁膜２０と、複数のゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部２３と、接続部に接続されたゲート配線２４と、を備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化と高性能化は、その基本構成素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ(Field Effect Transistor)）の微細化とそれに伴う性能向上によって実現されてきた。ＦＥＴの性能はオン動作時の駆動電流の大きさとオフ時のチャネルのリーク電流の小ささで決定される。国際半導体ロードマップによると４５ｎｍ世代以降においては大駆動電流、小リーク電流を達成するために複数のブレークスルー技術が必要とされている。
【０００３】
リーク電流の低減に関しては、短チャネル効果に対する耐性が高いことから、チャネル領域を完全空乏化したＦＤ(Fully-Depleted)デバイスが次世代の基本素子構造として期待されている。中でも注目されているのは、マルチゲート型電界効果トランジスタである。例えば特許文献１に示されているようなチャネルの表面上に形成されたゲート電極のみで一方向からチャネル内のポテンシャルを制御するシングルゲート型電界効果トランジスタと異なり、マルチゲート型電界効果トランジスタは、微小なチャネル領域をゲート電極で取り囲む構造を有している。その構造の利点は、チャネル領域のポテンシャルの制御性を高め、デバイスの短チャネル化によるポテンシャル障壁の低下を抑え、オフ時のリーク電流を低減できることである。
【０００４】
ここで、重要となるのは、デバイスのしきい値制御である。ＦＤデバイスはバルク型のデバイスと比較して、反転電荷が生成される電圧が低いという特徴がある。このため、従来のゲート電極材料をＦＤデバイスに用いるとオフ状態（０ボルト）でのリーク電流が大きくなり過ぎ、新たなゲート電極材料が必要となる。現在、その候補として挙げられているのは、金属そのものをゲート電極として用いるタイプ（メタルゲート）と、金属と半導体の化合物（半導体がシリコンの場合シリサイドと呼ぶ）を用いるタイプ（シリサイドゲート）である。
【特許文献１】特開２００５−８６０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このメタルゲートとシリサイドゲートを立体形マルチゲート電界効果トランジスタに適用する場合には幾つかの製造プロセス上の課題がある。特に、問題になるのは、金属汚染である。極微細なゲート長を実現するためには、ゲート電極の加工前のリソグラフィには十分平坦な表面が必要となる。しかしながら、メタルゲートやシリサイドに用いられる金属が、母体半導体（シリコン等）やゲート絶縁膜に取り込まれると、キャリアの生成再結合の中心や電荷トラップまたはリーク電流のパスになり得るため、デバイスの性能を著しく劣化させる恐れがある。従って、メタルゲート電極やシリサイド電極に対して、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)を用いて直接に平坦化することはできない。また、ゲート電極をシリサイド化する際に自然酸化膜の存在が障害となるが、従来の製造方法では、この自然酸化膜を取り除くことができない。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することが可能なマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によるマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法は、基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の両側面、前記保護膜の両側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、複数の前記穴内の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、複数の前記穴を埋め込むように第１ポリシリコン膜を全面に堆積する工程と、前記第１ポリシリコン膜を平坦化することによって前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記第１ポリシリコン膜を複数の第２ポリシリコン膜に分離する工程と、 複数の前記第２ポリシリコン膜上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて複数の前記第２ポリシリコン膜をパターニングする工程と、パターニングされた複数の前記第２ポリシリコン膜をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、前記マスクおよび前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記マスクを除去して複数の前記第２ポリシリコン膜の上面を露出させる工程と、上面が露出された複数の前記第２ポリシリコン膜をそれぞれシリサイドに変える工程と、全面に第２層間絶縁膜を形成し、前記シリサイドのそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記シリサイドのそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、前記接続部に接続する配線を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の第２の態様によるマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法は、基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の側面、前記保護膜の側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、複数の前記穴それぞれの中の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、複数の前記穴のそれぞれの側面および底面と、前記穴内の前記ゲート絶縁膜ならびに前記保護膜とを覆うゲート金属膜を形成する工程と、前記ゲート金属膜を覆うポリシリコン膜を形成する工程と、複数の前記穴それぞれの中の前記ポリシリコン膜および前記ゲート金属膜を、前記保護膜上の前記ゲート金属膜が露出しないように、エッチングする工程と、その後、複数の前記穴をそれぞれ埋め込むように再度ポリシリコン膜を堆積する工程と、前記ポリシリコン膜を平坦化することにより前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記ポリシリコン膜を複数のポリシリコン層に分離する工程と、複数の前記ポリシリコン層上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて複数の前記ポリシリコン層をパターニングする工程と、パターニングされた複数の前記ポリシリコン層をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記マスクを除去して複数の前記ポリシリコン層のそれぞれの上面を露出させる工程と、全面に第２層間絶縁膜を形成し、複数の前記ポリシリコン層のそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記ポリシリコン層のそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、前記接続部に接続する配線を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第３の態様によるマルチゲート型電界効果トランジスタは、基板上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層と、前記複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域と、前記複数の半導体層のそれぞれに、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、前記チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜と、前記チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域のそれぞれの両側面に前記ゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともに前記チャネル領域のそれぞれの上面に前記保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極と、複数の前記ゲート電極のそれぞれの側面を覆うように前記基板上に設けられた層間絶縁膜と、複数の前記ゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部と、前記接続部に接続されたゲート配線と、を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することが可能なマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態によるマルチゲート型電界効果トランジスタを説明する前に、このマルチゲート型電界効果トランジスタの特徴をより明確にするために、従来の問題点について図１Ａ〜図５Ｂを参照して詳細に説明する。以下の説明では、ｎ型チャネルトランジスタを例にとって説明するが、ｐ型チャネルトランジスタにも適用できる。
【００１２】
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃに示すように、支持基板２上に絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上にＳＯＩ層６が形成されたＳＯＩ基板上に、チャネルの保護膜８として窒化シリコンをＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)などで１００ｎｍ程度堆積し、公知の素子分離技術によって、素子分離を行う。更に、既存のパターニング技術により、ＳＯＩ層６をパターニングし、チャネルを形成する。チャネル幅は例えば２０ｎｍである。なお、図１Ａは平面図、図１Ｂは図１Ａに示す切断線Ａ−Ａ’で切断したときの断面図、図１Ｃは図１Ａに示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断したときの断面図である。
【００１３】
次いで、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃに示すように、ゲート絶縁膜９として、１ｎｍほど二酸化シリコンをＲＴＯ(Rapid Thermal Oxidation)法などを用いて形成し、その後、プラズマ窒化して誘電率を大きくする。さらにゲート電極となるポリシリコン膜１０ＡをＬＰＣＶＤなどで２５０ｎｍ堆積する。ここで、表面を平坦化するために、窒化シリコン膜８をエッチングストッパーとしてＣＭＰを行い、再度ポリシリコン膜１０Ｂを６０ｎｍ堆積する。この時、先に形成したポリシリコン膜１０Ａの表面に自然酸化膜１００が形成されてしまう。なお、図２Ａは平面図、図２Ｂは図２Ａに示す切断線Ａ−Ａ’で切断したときの断面図、図２Ｃは図２Ａに示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断したときの断面図である。
【００１４】
続いて、図３Ａ、３Ｂ、３Ｃに示すように、その上に窒化シリコン膜からなるハードマスク層（図示せず）を堆積する。そして、フォトリソグラフィ技術などを用いて上記ハードマスク層をパターニングする。その後、パターニングされたハードマスク層をマスクとしてＲＩＥ等でポリシリコン膜１０Ｂをパターニングするとゲート電極部分が形成される。ここで、さらにオフセットスペーサーなどを形成する場合もあるが図示していない。
【００１５】
このゲート電極の形成においてゲート長が５０ｎｍ以下のパターニングをフォトリソグラフィで行うためには、十分平坦な表面が必要となる。そのために、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃに用いたようなＣＭＰ工程が用いられるが、フルシリサイドゲートやメタルゲートを適用しようとするとプロセス上の問題が発生する。例えば、フルシリサイドゲートの場合、図４Ａに示すように、ポリシリコン膜１０Ｂ上に金属（例えば、Ｎｉ等）１１をスパッタにより堆積し、４００℃〜５００℃で熱処理することによりポリシリコン膜１０Ｂをシリサイド化する。しかし、図４（Ｂ）に示すように、自然酸化膜１００が均一に形成されていないため、自然酸化膜１００が形成されている領域では、自然酸化膜１００が金属１１の拡散のバリアとなり、自然酸化膜１００より下に位置するポリシリコン膜１０Ａの領域ではシリサイド化の反応が不均一となってしまう。その結果、図４Ｂに示すように、シリサイドとなる部分１３とポリシリコン膜１０Ａのまま残ってしまう部分とに分かれる。この場合、図４Ｂにおいて左に位置するチャネル６を有するトランジスタにおいては、チャネル６の両側はシリサイド１３となるので、チャネル６の両側のしきい値は揃う。しかし、右に位置するチャネル６を有するトランジスタにおいては、チャネル６の左側はシリサイド１３、右側はポリシリコン膜１０Ａとなるので、ポリシリコンとシリサイドの仕事関数の差だけしきい値が異なる状態になる。
【００１６】
ＬＳＩにおいては、トランジスタ間のしきい値のバラツキは深刻な問題となるため、個々のトランジスタの複数のチャネルにおいてしきい値が異なるのは致命的な欠点である。また、このような状態では、ゲート電極の抵抗にもバラツキを生じ、高周波動作時において障害となる。
【００１７】
一方、ゲート電極にメタルを用いた場合は、図５Ａに示すように、チャネル領域となる半導体層６を囲むようにメタル電極１７とポリシリコン膜１０を堆積後、層間絶縁膜１８を堆積すると、層間絶縁膜１８の上面が凹凸形状となるため、微細なリソグラフィを行うためには、図５Ｂに示すように平坦化する必要がある。このとき平坦化に、ＣＭＰ法を用いたときのストッパーは窒化シリコン膜８しかない構造になっているため、メタル電極１７までエッチングされてしまう。ＣＭＰ法によってメタル電極１７をエッチングすると、メタルの粒子をウェハ全面に引き伸ばしてしまい、ウェハを金属で汚染することになる。
このことは、ＬＳＩ製造上、到底許容できない。したがって、メタルゲートを用いた場合は、平坦化を行わず、ゲート電極のリソグラフィを行わなければならず、微小なゲートを形成することができないという問題がある。
【００１８】
本発明者達は、鋭意研究に努めた結果、これらの問題を解決するマルチゲート型電界効果トランジスタを得ることができた。これを以下に、実施形態として説明する。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態によるマルチゲート型電界効果トランジスタの平面図を図６に示す。本実施形態のマルチゲート型電界効果トランジスタは、図６に示すように、２本のフィン５０１，５０２と、これらのフィンの一方の端部に形成されたｎ型のソース領域６０ａおよび他方の端部に形成されたｎ型のドレイン領域６０ｂと、２本のフィン５０１，５０２とを跨ぐように形成されたゲート７０とを備えている。フィン５０１，５０２のそれぞれは、チャネル領域となるｐ型の半導体層と、このチャネル領域の側面に形成されたゲート絶縁膜と、上記半導体層の上面に形成された保護膜と、を備えている。なお、各フィンのチャネル領域の両側の半導体層にはｎ型半導体層が形成され、これらのｎ型半導体層はｎ型ソース領域６０ａまたはｎ型ドレイン領域６０ｂに接続されており、ｎ型ソース領域６０ａまたはｎ型ドレイン領域６０ｂとも呼ばれる。ゲート７０はチャネル領域上のゲート絶縁膜を覆うように形成される。
【００２０】
次に、本実施形態のマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法を図７Ａ乃至図１９Ｄを参照して説明する。本実施形態では、ｎ型チャネル電界効果トランジスタについて説明するが、イオン注入するイオン種を変えるなどすればｐ型チャネル電界効果トランジスタについても同様に作製できる。図７Ａ，図８Ａ，図９Ａ，図１０Ａ，図１１Ａ，図１２Ａ，図１３Ａ，図１４Ａ，図１５，図１６，図１７，図１８，図１９Ａは、図６に示す切断線Ａ−Ａ’で切断した断面図、図７Ｂ，図８Ｂ，図９Ｂ，図１０Ｂ，図１１Ｂ，図１２Ｂ，図１３Ｂ，図１４Ｂ，図１９Ｂは、図６に示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図、図７Ｃ，図８Ｃ，図９Ｃ，図１０Ｃ，図１１Ｃ，図１２Ｃ，図１３Ｃ，図１４Ｃ，図１９Ｃは、図６に示す切断線Ｃ−Ｃ’で切断した断面図、図７Ｄ，図８Ｄ，図９Ｄ，図１０Ｄ，図１１Ｄ，図１２Ｄ，図１３Ｄ，図１４Ｄ，図１９Ｄは、図６に示す切断線Ｄ−Ｄ’で切断した断面図である。
【００２１】
まず、図７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄに示すように、支持基板２上に絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上にＳＯＩ層６が形成されたＳＯＩ基板上に、チャネルの保護膜８として窒化シリコンをＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)などで１００ｎｍ程度堆積し、この保護膜８上に例えばＴＥＯＳ(Tetra Ethyl Ortho Silicate)からなる絶縁膜１９を堆積する。その後、公知の素子分離技術によって、素子分離を行う。更に、既存のパターニング技術により、ＳＯＩ層６をパターニングし、チャネルを形成する。チャネル幅は例えば２０ｎｍである。チャネル６の上面には保護膜８と、絶縁膜１９とが形成されている。
【００２２】
次に、図８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄに示すように、絶縁膜１９を更に堆積し、ＲＩＥによりエッチングすることによりチャネル６および保護膜８の側面に絶縁膜１９からなる側壁１９ａを形成する。この側壁となる絶縁膜１９ａは、保護膜８の上面も覆っている。この作業を数回繰り返すことにより、側壁１９ａの幅（チャネル６の側面からこの側面に直交する方向の側壁の厚さ）をできるだけ厚く（例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍ）、高さ（保護膜８からの高さ）をできるだけ高く（例えば３００ｎｍ）する。このとき、側壁１９ａとなる絶縁膜１９ａは、上面が丸まった形状となっている。
【００２３】
続いて、図９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄに示すように、側壁となる絶縁膜１９ａを覆うように絶縁膜２０を堆積し、この絶縁膜２０をＣＭＰにより平坦化することにより、絶縁膜１９ａの上面を露出させる。このとき、絶縁膜１９ａの上面でエッチングを止めるのではなく、多少オーバーエッチングすることにより、絶縁膜１９ａの頂上付近の丸まった部分を削り、開口部を広くする。
【００２４】
次に、図１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄに示すように、チャネル６および保護膜８の側面ならびに上面を覆っている絶縁膜１９ａを例えば溶液でエッチングすることにより完全に除去し、穴を形成する。このとき、希ＨＦなどを用いると絶縁膜４まで多少エッチングされるが、絶縁膜４の厚さが１μｍなどの場合は、希ＨＦによるＴＥＯＳ（絶縁膜１９ａの材料）とシリコン熱酸化膜（絶縁膜４）とのエッチングレートの違いを利用し、エッチング時間を調整することで、絶縁膜４を十分な厚さとなるように残すことができる。その後、上記穴が形成された状態で、チャネル領域６の側面に、ゲート絶縁膜９となる膜厚が１ｎｍほど二酸化シリコンを例えばＲＴＯ法を用いて形成し、その後、プラズマ窒化をしてゲート絶縁膜９の誘電率を大きくする。更にゲート電極となるポリシリコン膜１０をＬＰＣＶＤなどで堆積する。このとき、ＬＰＣＶＤの炉の温度を低く設定し、反応律速によりポリシリコンを堆積することにより上記穴を完全に埋め込む。これは、高温で堆積させると原料の供給律速によりポリシリコン膜が形成されてしまい、絶縁膜２０上に優先的にポリシリコン膜が堆積するため、穴の部分にボイドが残ってしまうからである。その後、ＣＭＰ法を用いて、ポリシリコン膜１０を平坦化することにより、ゲートリソグラフィに適した平坦な表面を得る。
【００２５】
次に、図１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄに示すように、ゲートマスク材を堆積し、リソグラフィ技術を用いてこのゲートマスク材をパターニングしてマスク２１を形成する。その後、このマスク２１を用いてポリシリコン膜１０パターニングするとともに、スリミングを行って、ゲート電極形状のポリシリコン膜１０を形成する。このとき、ソース／ドレイン領域となる半導体層６上のポリシリコン膜１０およびゲート絶縁膜９をＲＩＥにより除去する（図１１Ｂ、１１Ｃ）。
【００２６】
次に、例えばＳｉＮからなるゲート側壁材１２を全面に堆積する。その後、このゲート側壁材にＲＩＥを行うことにより、ポリシリコン膜の側部に側壁１２を形成する（図１２Ｃ、１２Ｄ）。この時、オーバーエッチングすることにより、ゲート電極１０とソース／ドレイン領域となる半導体層６との高さの差を利用して、ポリシリコン膜１０の側壁は残し（図１２Ｃ）、ソース／ドレイン領域となる半導体層６の側壁は除去する（図１２Ｂ）。また、このオーバーエッチングにより、ソース／ドレイン領域となる半導体層６上のチャネル保護膜８も同時に除去することにより、ソース／ドレイン領域となる半導体層６を露出させる（図１２Ｂ、１２Ｃ）。また、このオーバーエッチングにより、図１２Ｄに示すように、マスク１２によって覆われていない領域の絶縁膜２０もリセスエッチングされ、その高さが低くなる。
【００２７】
次に、図１３Ｂ、１３Ｃに示すように、その側壁１２をマスクとして、露出した半導体層６を選択的にエッチングし、絶縁膜４からの高さを低くする。続いて、ｎ型ソース／ドレイン領域形成用ドーパントとしてＰ（リン）を斜め方向から、例えば、膜面に垂直方向から７度以上傾いた角度でイオン注入する（図１３Ｃ）。これにより、ｎ型ソース領域およびドレイン領域６０ａ、６０ｂが形成され、ソース領域６０ａとドレイン領域６０ｂとの間のｐ型半導体領域６がチャネル領域となる。このとき、図１３Ａ、１３Ｃ、１３Ｄに示すように、マスク２１は除去されていない。なお、ｐ型ソース／ドレイン領域を形成する場合は、ドーパントとしてＢ（ボロン）が用いられる。
【００２８】
次に、図１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄに示すように、ゲートマスク材２１を除去した後、Ｎｉなどの金属スパッタ、熱処理を行うことにより、ポリシリコン膜１０を完全にフルシリサイド化したゲート電極１３を形成する。このとき、ポリシリコン膜１０には自然酸化膜が形成されていないため、Ｎｉの拡散は均一に起こり、ゲート電極１３全体がフルシリサイド化する。また、このとき、ソース領域６０ａおよびドレイン領域６０ｂもシリサイド化される（図１４Ｂ、１４Ｃ）。
【００２９】
この状態では、図１４Ａに示すように、２本のゲート電極１３が分断されており、このままではゲート電極１３に電圧を印加することができない。そのため、上層配線を用いてゲート電極間を接続する必要がある。そこで、図１４Ａ乃至１４Ｄで説明したシリサイド工程が終了した後、コンタクトのエッチングストッパーとしてＳｉＮ膜２２ａを数十ｎｍ堆積する。その後、このＳｉＮ膜２２ａ上に層間絶縁膜２２ｂを堆積し、ＣＭＰを行い平坦化する（図１５）。ＣＭＰを行う前の層間絶縁膜２２ｂの上面の凹凸が大きくても、ＣＭＰを行うときには、ＳｉＮ膜２２ａがエッチングストッパーとして働く。
【００３０】
続いて、リソグラフィ技術とＲＩＥを用いて、層間絶縁膜２２ｂおよびＳｉＮ膜２２ａからなる絶縁膜２２に、ゲート電極１３に通じるコンタクトホール（図示せず）を開ける。そして、このコンタクトホールをＴｉＮ−Ｗなどを埋め込み、プラグ２３を形成する（図１６）。更に、層間絶縁膜（図示せず）を堆積し、リソグラフィ技術とＲＩＥを用いて、この層間絶縁膜に配線加工用溝を形成し、この溝にＡｌ−Ｃｕなどの金属配線２４を埋め込み、プラグ２３および金属配線２４を介してゲート電極１３と電圧印加端子（図示せず）を接続する（図１７）。これにより、本実施形態のマルチゲート型ＦＥＴが完成する。
【００３１】
このようにして形成された本実施形態のマルチゲート型ＦＥＴと、通常のＦＵＳＩゲートＦｉｎＦＥＴにおけるゲート配線抵抗を比較すると、通常のＦＵＳＩゲートＦｉｎＦＥＴでは、非常に細い幅のゲート電極を信号が伝播するのに対して、本実施形態では太い金属配線２４を伝播するため、トランジスタを駆動するために高周波信号が印加されるゲート電極への配線抵抗の悪影響を大幅に緩和することができる。例えば、図１８（ａ）、１８（ｂ）に示すように、幅（ゲート長）を２０ｎｍ、ＦＵＳＩ電極のＦｉｎ上部を覆っている高さを６０ｎｍ、Ａｌ−Ｃｕ配線の幅１２０ｎｍ、高さ１μｍとすると、信号が伝播する面積Ｓとして２桁大きくすることができ、抵抗率の違いを考慮すると更にゲート抵抗を低くすることができる。
【００３２】
なお、本実施形態中のチャネル保護絶縁膜８をＴＥＯＳ、絶縁膜１９をＳｉＮ、絶縁膜２０をＴＥＯＳ、ゲートマスク材２１をＳｉＮで形成してもよい。
【００３３】
また、本実施形態でフィンの本数は２個として説明したが、３個以上のフィンとすることもできる。
以上説明したように、本実施形態によれば、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することができる。また、ゲート抵抗を低減することができる。
【００３４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造方法を図１９Ａ乃至図２１Ｄを参照して説明する。本実施形態の製造方法によって製造されるマルチゲート型ＦＥＴは、メタルゲート型である。図１９Ａ、図２０Ａ、図２１Ａは図６に示す切断線Ａ−Ａ’で切断した断面図、図１９Ｂ、２０Ｂ、２１Ｂは図６に示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図、図１９Ｃ、２０Ｃ、２１Ｃは図６に示す切断線Ｃ−Ｃ’で切断した断面図、図１９Ｄ、２０Ｄ、２１Ｄは図６に示す切断線Ｄ−Ｄ’で切断した断面図である。
【００３５】
まず、第１実施形態のフルシリサイドゲートＦＥＴで説明した図７Ａ乃至図９Ｄまでの製造工程と同じ工程を用いて行う。図９Ａ乃至図９Ｄに示す絶縁膜１９ａを除去することにより形成された穴の表面に、図１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄに示すように、メタルゲート用金属膜１７をＭＯＣＶＤ(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)で形成した後、上記穴を、ＬＰＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜１０で埋め込む。このとき、上記穴内のゲート絶縁膜９およびチャネル保護膜８の表面はメタルゲート用金属膜１７で覆われ、その外側にポリシリコン膜１０が形成される。また、絶縁膜２０上にもメタルゲート用金属膜１７およびポリシリコン膜１０が付着する。このため、この状態でＣＭＰを行うと金属汚染をウェハ全体に広めてしまうことになる。
【００３６】
そこで、図２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに示すように、ポリシリコン膜１０と金属膜１７をＲＩＥ法でエッチングすることにより、絶縁膜２０の上面のポリシリコン膜１０および金属膜１７を除去する。この時、フィンとなる半導体層６、保護膜８はポリシリコン膜１０で覆われており、上記ＲＩＥ法によってエッチングされていない。このため、制御性よく絶縁膜２０の上面の金属膜１７を制御することができる。このように、保護膜８と埋め込み絶縁膜２０の絶縁膜４からの高さの差を利用して、保護膜８およびゲート絶縁膜９の側面の金属膜１７とポリシリコン膜１０は残ることになる。
【００３７】
その後、図２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄに示すように、再度、ポリシリコン１０を堆積し、ＣＭＰを行うことにより、金属汚染を起こさずに、ゲートリソグラフィに適した平坦な表面を得る。以後は、第１実施形態で説明した図１１Ａ乃至図１７に示す工程と同様の工程を行い、マルチゲート型ＦＥＴを完成する。ただし、図１１Ａ以降で示すポリシリコン膜１０を形成する工程は不要であり、また、シリサイドする工程も不要である。このようにして形成された本実施形態のマルチゲート型電界効果トランジスタの断面図を図２２に示す。
【００３８】
なお、この実施形態中のチャネル保護絶縁膜８をＴＥＯＳ、絶縁膜１９をＳｉＮ、絶縁膜２０をＴＥＯＳ、ゲートマスク材２１をＳｉＮで形成してもよいことは第１実施形態と同様である。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態によれば、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す図。
【図２】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す図。
【図３】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す図。
【図４】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程の問題点を示す図。
【図５】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程の問題点を示す図。
【図６】本発明の第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの平面図。
【図７】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図８】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図９】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１０】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１１】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１２】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１３】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１４】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１５】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１６】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１７】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１８】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの効果を説明する図。
【図１９】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図２０】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図２１】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図２２】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの断面図。
【符号の説明】
【００４１】
２ 支持基板
４ 絶縁膜
６ 半導体層（ＳＯＩ層）
８ チャネル保護膜
９ ゲート絶縁膜
１０ ポリシリコン膜
１１ シリサイド用金属
１２ ゲート側壁
１３ ゲート電極（シリサイド）
１７ メタルゲート用金属
１８ 層間絶縁膜
１９ 絶縁膜
２０ 絶縁膜
２１ ゲートマスク材
２２ 絶縁膜
２２ａ ＳｉＮ膜
２２ｂ 層間絶縁膜
２３ プラグ
２４ 金属配線
５０１、５０２ フィン
６０ａ ソース領域
６０ｂ ドレイン領域
７０ ゲート
１００ 自然酸化膜
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化と高性能化は、その基本構成素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ(Field Effect Transistor)）の微細化とそれに伴う性能向上によって実現されてきた。ＦＥＴの性能はオン動作時の駆動電流の大きさとオフ時のチャネルのリーク電流の小ささで決定される。国際半導体ロードマップによると４５ｎｍ世代以降においては大駆動電流、小リーク電流を達成するために複数のブレークスルー技術が必要とされている。
【０００３】
リーク電流の低減に関しては、短チャネル効果に対する耐性が高いことから、チャネル領域を完全空乏化したＦＤ(Fully-Depleted)デバイスが次世代の基本素子構造として期待されている。中でも注目されているのは、マルチゲート型電界効果トランジスタである。例えば特許文献１に示されているようなチャネルの表面上に形成されたゲート電極のみで一方向からチャネル内のポテンシャルを制御するシングルゲート型電界効果トランジスタと異なり、マルチゲート型電界効果トランジスタは、微小なチャネル領域をゲート電極で取り囲む構造を有している。その構造の利点は、チャネル領域のポテンシャルの制御性を高め、デバイスの短チャネル化によるポテンシャル障壁の低下を抑え、オフ時のリーク電流を低減できることである。
【０００４】
ここで、重要となるのは、デバイスのしきい値制御である。ＦＤデバイスはバルク型のデバイスと比較して、反転電荷が生成される電圧が低いという特徴がある。このため、従来のゲート電極材料をＦＤデバイスに用いるとオフ状態（０ボルト）でのリーク電流が大きくなり過ぎ、新たなゲート電極材料が必要となる。現在、その候補として挙げられているのは、金属そのものをゲート電極として用いるタイプ（メタルゲート）と、金属と半導体の化合物（半導体がシリコンの場合シリサイドと呼ぶ）を用いるタイプ（シリサイドゲート）である。
【特許文献１】特開２００５−８６０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このメタルゲートとシリサイドゲートを立体形マルチゲート電界効果トランジスタに適用する場合には幾つかの製造プロセス上の課題がある。特に、問題になるのは、金属汚染である。極微細なゲート長を実現するためには、ゲート電極の加工前のリソグラフィには十分平坦な表面が必要となる。しかしながら、メタルゲートやシリサイドに用いられる金属が、母体半導体（シリコン等）やゲート絶縁膜に取り込まれると、キャリアの生成再結合の中心や電荷トラップまたはリーク電流のパスになり得るため、デバイスの性能を著しく劣化させる恐れがある。従って、メタルゲート電極やシリサイド電極に対して、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)を用いて直接に平坦化することはできない。また、ゲート電極をシリサイド化する際に自然酸化膜の存在が障害となるが、従来の製造方法では、この自然酸化膜を取り除くことができない。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することが可能なマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によるマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法は、基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の両側面、前記保護膜の両側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、複数の前記穴内の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、複数の前記穴を埋め込むように第１ポリシリコン膜を全面に堆積する工程と、前記第１ポリシリコン膜を平坦化することによって前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記第１ポリシリコン膜を複数の第２ポリシリコン膜に分離する工程と、 複数の前記第２ポリシリコン膜上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて複数の前記第２ポリシリコン膜をパターニングする工程と、パターニングされた複数の前記第２ポリシリコン膜をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、前記マスクおよび前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記マスクを除去して複数の前記第２ポリシリコン膜の上面を露出させる工程と、上面が露出された複数の前記第２ポリシリコン膜をそれぞれシリサイドに変える工程と、全面に第２層間絶縁膜を形成し、前記シリサイドのそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記シリサイドのそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、前記接続部に接続する配線を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の第２の態様によるマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法は、基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の側面、前記保護膜の側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、複数の前記穴それぞれの中の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、複数の前記穴のそれぞれの側面および底面と、前記穴内の前記ゲート絶縁膜ならびに前記保護膜とを覆うゲート金属膜を形成する工程と、前記ゲート金属膜を覆うポリシリコン膜を形成する工程と、複数の前記穴それぞれの中の前記ポリシリコン膜および前記ゲート金属膜を、前記保護膜上の前記ゲート金属膜が露出しないように、エッチングする工程と、その後、複数の前記穴をそれぞれ埋め込むように再度ポリシリコン膜を堆積する工程と、前記ポリシリコン膜を平坦化することにより前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記ポリシリコン膜を複数のポリシリコン層に分離する工程と、複数の前記ポリシリコン層上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて複数の前記ポリシリコン層をパターニングする工程と、パターニングされた複数の前記ポリシリコン層をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記マスクを除去して複数の前記ポリシリコン層のそれぞれの上面を露出させる工程と、全面に第２層間絶縁膜を形成し、複数の前記ポリシリコン層のそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記ポリシリコン層のそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、前記接続部に接続する配線を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第３の態様によるマルチゲート型電界効果トランジスタは、基板上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層と、前記複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域と、前記複数の半導体層のそれぞれに、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、前記チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜と、前記チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域のそれぞれの両側面に前記ゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともに前記チャネル領域のそれぞれの上面に前記保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極と、複数の前記ゲート電極のそれぞれの側面を覆うように前記基板上に設けられた層間絶縁膜と、複数の前記ゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部と、前記接続部に接続されたゲート配線と、を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することが可能なマルチゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態によるマルチゲート型電界効果トランジスタを説明する前に、このマルチゲート型電界効果トランジスタの特徴をより明確にするために、従来の問題点について図１Ａ〜図５Ｂを参照して詳細に説明する。以下の説明では、ｎ型チャネルトランジスタを例にとって説明するが、ｐ型チャネルトランジスタにも適用できる。
【００１２】
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃに示すように、支持基板２上に絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上にＳＯＩ層６が形成されたＳＯＩ基板上に、チャネルの保護膜８として窒化シリコンをＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)などで１００ｎｍ程度堆積し、公知の素子分離技術によって、素子分離を行う。更に、既存のパターニング技術により、ＳＯＩ層６をパターニングし、チャネルを形成する。チャネル幅は例えば２０ｎｍである。なお、図１Ａは平面図、図１Ｂは図１Ａに示す切断線Ａ−Ａ’で切断したときの断面図、図１Ｃは図１Ａに示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断したときの断面図である。
【００１３】
次いで、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃに示すように、ゲート絶縁膜９として、１ｎｍほど二酸化シリコンをＲＴＯ(Rapid Thermal Oxidation)法などを用いて形成し、その後、プラズマ窒化して誘電率を大きくする。さらにゲート電極となるポリシリコン膜１０ＡをＬＰＣＶＤなどで２５０ｎｍ堆積する。ここで、表面を平坦化するために、窒化シリコン膜８をエッチングストッパーとしてＣＭＰを行い、再度ポリシリコン膜１０Ｂを６０ｎｍ堆積する。この時、先に形成したポリシリコン膜１０Ａの表面に自然酸化膜１００が形成されてしまう。なお、図２Ａは平面図、図２Ｂは図２Ａに示す切断線Ａ−Ａ’で切断したときの断面図、図２Ｃは図２Ａに示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断したときの断面図である。
【００１４】
続いて、図３Ａ、３Ｂ、３Ｃに示すように、その上に窒化シリコン膜からなるハードマスク層（図示せず）を堆積する。そして、フォトリソグラフィ技術などを用いて上記ハードマスク層をパターニングする。その後、パターニングされたハードマスク層をマスクとしてＲＩＥ等でポリシリコン膜１０Ｂをパターニングするとゲート電極部分が形成される。ここで、さらにオフセットスペーサーなどを形成する場合もあるが図示していない。
【００１５】
このゲート電極の形成においてゲート長が５０ｎｍ以下のパターニングをフォトリソグラフィで行うためには、十分平坦な表面が必要となる。そのために、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃに用いたようなＣＭＰ工程が用いられるが、フルシリサイドゲートやメタルゲートを適用しようとするとプロセス上の問題が発生する。例えば、フルシリサイドゲートの場合、図４Ａに示すように、ポリシリコン膜１０Ｂ上に金属（例えば、Ｎｉ等）１１をスパッタにより堆積し、４００℃〜５００℃で熱処理することによりポリシリコン膜１０Ｂをシリサイド化する。しかし、図４（Ｂ）に示すように、自然酸化膜１００が均一に形成されていないため、自然酸化膜１００が形成されている領域では、自然酸化膜１００が金属１１の拡散のバリアとなり、自然酸化膜１００より下に位置するポリシリコン膜１０Ａの領域ではシリサイド化の反応が不均一となってしまう。その結果、図４Ｂに示すように、シリサイドとなる部分１３とポリシリコン膜１０Ａのまま残ってしまう部分とに分かれる。この場合、図４Ｂにおいて左に位置するチャネル６を有するトランジスタにおいては、チャネル６の両側はシリサイド１３となるので、チャネル６の両側のしきい値は揃う。しかし、右に位置するチャネル６を有するトランジスタにおいては、チャネル６の左側はシリサイド１３、右側はポリシリコン膜１０Ａとなるので、ポリシリコンとシリサイドの仕事関数の差だけしきい値が異なる状態になる。
【００１６】
ＬＳＩにおいては、トランジスタ間のしきい値のバラツキは深刻な問題となるため、個々のトランジスタの複数のチャネルにおいてしきい値が異なるのは致命的な欠点である。また、このような状態では、ゲート電極の抵抗にもバラツキを生じ、高周波動作時において障害となる。
【００１７】
一方、ゲート電極にメタルを用いた場合は、図５Ａに示すように、チャネル領域となる半導体層６を囲むようにメタル電極１７とポリシリコン膜１０を堆積後、層間絶縁膜１８を堆積すると、層間絶縁膜１８の上面が凹凸形状となるため、微細なリソグラフィを行うためには、図５Ｂに示すように平坦化する必要がある。このとき平坦化に、ＣＭＰ法を用いたときのストッパーは窒化シリコン膜８しかない構造になっているため、メタル電極１７までエッチングされてしまう。ＣＭＰ法によってメタル電極１７をエッチングすると、メタルの粒子をウェハ全面に引き伸ばしてしまい、ウェハを金属で汚染することになる。
このことは、ＬＳＩ製造上、到底許容できない。したがって、メタルゲートを用いた場合は、平坦化を行わず、ゲート電極のリソグラフィを行わなければならず、微小なゲートを形成することができないという問題がある。
【００１８】
本発明者達は、鋭意研究に努めた結果、これらの問題を解決するマルチゲート型電界効果トランジスタを得ることができた。これを以下に、実施形態として説明する。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態によるマルチゲート型電界効果トランジスタの平面図を図６に示す。本実施形態のマルチゲート型電界効果トランジスタは、図６に示すように、２本のフィン５０１，５０２と、これらのフィンの一方の端部に形成されたｎ型のソース領域６０ａおよび他方の端部に形成されたｎ型のドレイン領域６０ｂと、２本のフィン５０１，５０２とを跨ぐように形成されたゲート７０とを備えている。フィン５０１，５０２のそれぞれは、チャネル領域となるｐ型の半導体層と、このチャネル領域の側面に形成されたゲート絶縁膜と、上記半導体層の上面に形成された保護膜と、を備えている。なお、各フィンのチャネル領域の両側の半導体層にはｎ型半導体層が形成され、これらのｎ型半導体層はｎ型ソース領域６０ａまたはｎ型ドレイン領域６０ｂに接続されており、ｎ型ソース領域６０ａまたはｎ型ドレイン領域６０ｂとも呼ばれる。ゲート７０はチャネル領域上のゲート絶縁膜を覆うように形成される。
【００２０】
次に、本実施形態のマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法を図７Ａ乃至図１９Ｄを参照して説明する。本実施形態では、ｎ型チャネル電界効果トランジスタについて説明するが、イオン注入するイオン種を変えるなどすればｐ型チャネル電界効果トランジスタについても同様に作製できる。図７Ａ，図８Ａ，図９Ａ，図１０Ａ，図１１Ａ，図１２Ａ，図１３Ａ，図１４Ａ，図１５，図１６，図１７，図１８，図１９Ａは、図６に示す切断線Ａ−Ａ’で切断した断面図、図７Ｂ，図８Ｂ，図９Ｂ，図１０Ｂ，図１１Ｂ，図１２Ｂ，図１３Ｂ，図１４Ｂ，図１９Ｂは、図６に示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図、図７Ｃ，図８Ｃ，図９Ｃ，図１０Ｃ，図１１Ｃ，図１２Ｃ，図１３Ｃ，図１４Ｃ，図１９Ｃは、図６に示す切断線Ｃ−Ｃ’で切断した断面図、図７Ｄ，図８Ｄ，図９Ｄ，図１０Ｄ，図１１Ｄ，図１２Ｄ，図１３Ｄ，図１４Ｄ，図１９Ｄは、図６に示す切断線Ｄ−Ｄ’で切断した断面図である。
【００２１】
まず、図７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄに示すように、支持基板２上に絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上にＳＯＩ層６が形成されたＳＯＩ基板上に、チャネルの保護膜８として窒化シリコンをＬＰＣＶＤ(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)などで１００ｎｍ程度堆積し、この保護膜８上に例えばＴＥＯＳ(Tetra Ethyl Ortho Silicate)からなる絶縁膜１９を堆積する。その後、公知の素子分離技術によって、素子分離を行う。更に、既存のパターニング技術により、ＳＯＩ層６をパターニングし、チャネルを形成する。チャネル幅は例えば２０ｎｍである。チャネル６の上面には保護膜８と、絶縁膜１９とが形成されている。
【００２２】
次に、図８Ａ、８Ｂ、８Ｃ、８Ｄに示すように、絶縁膜１９を更に堆積し、ＲＩＥによりエッチングすることによりチャネル６および保護膜８の側面に絶縁膜１９からなる側壁１９ａを形成する。この側壁となる絶縁膜１９ａは、保護膜８の上面も覆っている。この作業を数回繰り返すことにより、側壁１９ａの幅（チャネル６の側面からこの側面に直交する方向の側壁の厚さ）をできるだけ厚く（例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍ）、高さ（保護膜８からの高さ）をできるだけ高く（例えば３００ｎｍ）する。このとき、側壁１９ａとなる絶縁膜１９ａは、上面が丸まった形状となっている。
【００２３】
続いて、図９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄに示すように、側壁となる絶縁膜１９ａを覆うように絶縁膜２０を堆積し、この絶縁膜２０をＣＭＰにより平坦化することにより、絶縁膜１９ａの上面を露出させる。このとき、絶縁膜１９ａの上面でエッチングを止めるのではなく、多少オーバーエッチングすることにより、絶縁膜１９ａの頂上付近の丸まった部分を削り、開口部を広くする。
【００２４】
次に、図１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄに示すように、チャネル６および保護膜８の側面ならびに上面を覆っている絶縁膜１９ａを例えば溶液でエッチングすることにより完全に除去し、穴を形成する。このとき、希ＨＦなどを用いると絶縁膜４まで多少エッチングされるが、絶縁膜４の厚さが１μｍなどの場合は、希ＨＦによるＴＥＯＳ（絶縁膜１９ａの材料）とシリコン熱酸化膜（絶縁膜４）とのエッチングレートの違いを利用し、エッチング時間を調整することで、絶縁膜４を十分な厚さとなるように残すことができる。その後、上記穴が形成された状態で、チャネル領域６の側面に、ゲート絶縁膜９となる膜厚が１ｎｍほど二酸化シリコンを例えばＲＴＯ法を用いて形成し、その後、プラズマ窒化をしてゲート絶縁膜９の誘電率を大きくする。更にゲート電極となるポリシリコン膜１０をＬＰＣＶＤなどで堆積する。このとき、ＬＰＣＶＤの炉の温度を低く設定し、反応律速によりポリシリコンを堆積することにより上記穴を完全に埋め込む。これは、高温で堆積させると原料の供給律速によりポリシリコン膜が形成されてしまい、絶縁膜２０上に優先的にポリシリコン膜が堆積するため、穴の部分にボイドが残ってしまうからである。その後、ＣＭＰ法を用いて、ポリシリコン膜１０を平坦化することにより、ゲートリソグラフィに適した平坦な表面を得る。
【００２５】
次に、図１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄに示すように、ゲートマスク材を堆積し、リソグラフィ技術を用いてこのゲートマスク材をパターニングしてマスク２１を形成する。その後、このマスク２１を用いてポリシリコン膜１０パターニングするとともに、スリミングを行って、ゲート電極形状のポリシリコン膜１０を形成する。このとき、ソース／ドレイン領域となる半導体層６上のポリシリコン膜１０およびゲート絶縁膜９をＲＩＥにより除去する（図１１Ｂ、１１Ｃ）。
【００２６】
次に、例えばＳｉＮからなるゲート側壁材１２を全面に堆積する。その後、このゲート側壁材にＲＩＥを行うことにより、ポリシリコン膜の側部に側壁１２を形成する（図１２Ｃ、１２Ｄ）。この時、オーバーエッチングすることにより、ゲート電極１０とソース／ドレイン領域となる半導体層６との高さの差を利用して、ポリシリコン膜１０の側壁は残し（図１２Ｃ）、ソース／ドレイン領域となる半導体層６の側壁は除去する（図１２Ｂ）。また、このオーバーエッチングにより、ソース／ドレイン領域となる半導体層６上のチャネル保護膜８も同時に除去することにより、ソース／ドレイン領域となる半導体層６を露出させる（図１２Ｂ、１２Ｃ）。また、このオーバーエッチングにより、図１２Ｄに示すように、マスク１２によって覆われていない領域の絶縁膜２０もリセスエッチングされ、その高さが低くなる。
【００２７】
次に、図１３Ｂ、１３Ｃに示すように、その側壁１２をマスクとして、露出した半導体層６を選択的にエッチングし、絶縁膜４からの高さを低くする。続いて、ｎ型ソース／ドレイン領域形成用ドーパントとしてＰ（リン）を斜め方向から、例えば、膜面に垂直方向から７度以上傾いた角度でイオン注入する（図１３Ｃ）。これにより、ｎ型ソース領域およびドレイン領域６０ａ、６０ｂが形成され、ソース領域６０ａとドレイン領域６０ｂとの間のｐ型半導体領域６がチャネル領域となる。このとき、図１３Ａ、１３Ｃ、１３Ｄに示すように、マスク２１は除去されていない。なお、ｐ型ソース／ドレイン領域を形成する場合は、ドーパントとしてＢ（ボロン）が用いられる。
【００２８】
次に、図１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄに示すように、ゲートマスク材２１を除去した後、Ｎｉなどの金属スパッタ、熱処理を行うことにより、ポリシリコン膜１０を完全にフルシリサイド化したゲート電極１３を形成する。このとき、ポリシリコン膜１０には自然酸化膜が形成されていないため、Ｎｉの拡散は均一に起こり、ゲート電極１３全体がフルシリサイド化する。また、このとき、ソース領域６０ａおよびドレイン領域６０ｂもシリサイド化される（図１４Ｂ、１４Ｃ）。
【００２９】
この状態では、図１４Ａに示すように、２本のゲート電極１３が分断されており、このままではゲート電極１３に電圧を印加することができない。そのため、上層配線を用いてゲート電極間を接続する必要がある。そこで、図１４Ａ乃至１４Ｄで説明したシリサイド工程が終了した後、コンタクトのエッチングストッパーとしてＳｉＮ膜２２ａを数十ｎｍ堆積する。その後、このＳｉＮ膜２２ａ上に層間絶縁膜２２ｂを堆積し、ＣＭＰを行い平坦化する（図１５）。ＣＭＰを行う前の層間絶縁膜２２ｂの上面の凹凸が大きくても、ＣＭＰを行うときには、ＳｉＮ膜２２ａがエッチングストッパーとして働く。
【００３０】
続いて、リソグラフィ技術とＲＩＥを用いて、層間絶縁膜２２ｂおよびＳｉＮ膜２２ａからなる絶縁膜２２に、ゲート電極１３に通じるコンタクトホール（図示せず）を開ける。そして、このコンタクトホールをＴｉＮ−Ｗなどを埋め込み、プラグ２３を形成する（図１６）。更に、層間絶縁膜（図示せず）を堆積し、リソグラフィ技術とＲＩＥを用いて、この層間絶縁膜に配線加工用溝を形成し、この溝にＡｌ−Ｃｕなどの金属配線２４を埋め込み、プラグ２３および金属配線２４を介してゲート電極１３と電圧印加端子（図示せず）を接続する（図１７）。これにより、本実施形態のマルチゲート型ＦＥＴが完成する。
【００３１】
このようにして形成された本実施形態のマルチゲート型ＦＥＴと、通常のＦＵＳＩゲートＦｉｎＦＥＴにおけるゲート配線抵抗を比較すると、通常のＦＵＳＩゲートＦｉｎＦＥＴでは、非常に細い幅のゲート電極を信号が伝播するのに対して、本実施形態では太い金属配線２４を伝播するため、トランジスタを駆動するために高周波信号が印加されるゲート電極への配線抵抗の悪影響を大幅に緩和することができる。例えば、図１８（ａ）、１８（ｂ）に示すように、幅（ゲート長）を２０ｎｍ、ＦＵＳＩ電極のＦｉｎ上部を覆っている高さを６０ｎｍ、Ａｌ−Ｃｕ配線の幅１２０ｎｍ、高さ１μｍとすると、信号が伝播する面積Ｓとして２桁大きくすることができ、抵抗率の違いを考慮すると更にゲート抵抗を低くすることができる。
【００３２】
なお、本実施形態中のチャネル保護絶縁膜８をＴＥＯＳ、絶縁膜１９をＳｉＮ、絶縁膜２０をＴＥＯＳ、ゲートマスク材２１をＳｉＮで形成してもよい。
【００３３】
また、本実施形態でフィンの本数は２個として説明したが、３個以上のフィンとすることもできる。
以上説明したように、本実施形態によれば、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することができる。また、ゲート抵抗を低減することができる。
【００３４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造方法を図１９Ａ乃至図２１Ｄを参照して説明する。本実施形態の製造方法によって製造されるマルチゲート型ＦＥＴは、メタルゲート型である。図１９Ａ、図２０Ａ、図２１Ａは図６に示す切断線Ａ−Ａ’で切断した断面図、図１９Ｂ、２０Ｂ、２１Ｂは図６に示す切断線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図、図１９Ｃ、２０Ｃ、２１Ｃは図６に示す切断線Ｃ−Ｃ’で切断した断面図、図１９Ｄ、２０Ｄ、２１Ｄは図６に示す切断線Ｄ−Ｄ’で切断した断面図である。
【００３５】
まず、第１実施形態のフルシリサイドゲートＦＥＴで説明した図７Ａ乃至図９Ｄまでの製造工程と同じ工程を用いて行う。図９Ａ乃至図９Ｄに示す絶縁膜１９ａを除去することにより形成された穴の表面に、図１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄに示すように、メタルゲート用金属膜１７をＭＯＣＶＤ(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)で形成した後、上記穴を、ＬＰＣＶＤ法を用いてポリシリコン膜１０で埋め込む。このとき、上記穴内のゲート絶縁膜９およびチャネル保護膜８の表面はメタルゲート用金属膜１７で覆われ、その外側にポリシリコン膜１０が形成される。また、絶縁膜２０上にもメタルゲート用金属膜１７およびポリシリコン膜１０が付着する。このため、この状態でＣＭＰを行うと金属汚染をウェハ全体に広めてしまうことになる。
【００３６】
そこで、図２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに示すように、ポリシリコン膜１０と金属膜１７をＲＩＥ法でエッチングすることにより、絶縁膜２０の上面のポリシリコン膜１０および金属膜１７を除去する。この時、フィンとなる半導体層６、保護膜８はポリシリコン膜１０で覆われており、上記ＲＩＥ法によってエッチングされていない。このため、制御性よく絶縁膜２０の上面の金属膜１７を制御することができる。このように、保護膜８と埋め込み絶縁膜２０の絶縁膜４からの高さの差を利用して、保護膜８およびゲート絶縁膜９の側面の金属膜１７とポリシリコン膜１０は残ることになる。
【００３７】
その後、図２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄに示すように、再度、ポリシリコン１０を堆積し、ＣＭＰを行うことにより、金属汚染を起こさずに、ゲートリソグラフィに適した平坦な表面を得る。以後は、第１実施形態で説明した図１１Ａ乃至図１７に示す工程と同様の工程を行い、マルチゲート型ＦＥＴを完成する。ただし、図１１Ａ以降で示すポリシリコン膜１０を形成する工程は不要であり、また、シリサイドする工程も不要である。このようにして形成された本実施形態のマルチゲート型電界効果トランジスタの断面図を図２２に示す。
【００３８】
なお、この実施形態中のチャネル保護絶縁膜８をＴＥＯＳ、絶縁膜１９をＳｉＮ、絶縁膜２０をＴＥＯＳ、ゲートマスク材２１をＳｉＮで形成してもよいことは第１実施形態と同様である。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態によれば、平坦化工程を行っても、金属汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す図。
【図２】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す図。
【図３】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す図。
【図４】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程の問題点を示す図。
【図５】従来のマルチゲート型ＦＥＴの製造工程の問題点を示す図。
【図６】本発明の第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの平面図。
【図７】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図８】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図９】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１０】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１１】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１２】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１３】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１４】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１５】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１６】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１７】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図１８】第１実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの効果を説明する図。
【図１９】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図２０】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図２１】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの製造工程を示す断面図。
【図２２】第２実施形態によるマルチゲート型ＦＥＴの断面図。
【符号の説明】
【００４１】
２ 支持基板
４ 絶縁膜
６ 半導体層（ＳＯＩ層）
８ チャネル保護膜
９ ゲート絶縁膜
１０ ポリシリコン膜
１１ シリサイド用金属
１２ ゲート側壁
１３ ゲート電極（シリサイド）
１７ メタルゲート用金属
１８ 層間絶縁膜
１９ 絶縁膜
２０ 絶縁膜
２１ ゲートマスク材
２２ 絶縁膜
２２ａ ＳｉＮ膜
２２ｂ 層間絶縁膜
２３ プラグ
２４ 金属配線
５０１、５０２ フィン
６０ａ ソース領域
６０ｂ ドレイン領域
７０ ゲート
１００ 自然酸化膜
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、
前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の両側面、前記保護膜の両側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、
全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、
前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、
複数の前記穴内の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
複数の前記穴を埋め込むように第１ポリシリコン膜を全面に堆積する工程と、
前記第１ポリシリコン膜を平坦化することによって前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記第１ポリシリコン膜を複数の第２ポリシリコン膜に分離する工程と、
複数の前記第２ポリシリコン膜上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて複数の前記第２ポリシリコン膜をパターニングする工程と、
パターニングされた複数の前記第２ポリシリコン膜をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、
前記マスクおよび前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、
選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記マスクを除去して複数の前記第２ポリシリコン膜の上面を露出させる工程と、
上面が露出された複数の前記第２ポリシリコン膜をそれぞれシリサイドに変える工程と、
全面に第２層間絶縁膜を形成し、前記シリサイドのそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記シリサイドのそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、
前記接続部に接続する配線を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２】
基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、
前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の側面、前記保護膜の側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、
全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、
前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、
複数の前記穴それぞれの中の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
複数の前記穴のそれぞれの側面および底面と、前記穴内の前記ゲート絶縁膜ならびに前記保護膜とを覆うゲート金属膜を形成する工程と、
前記ゲート金属膜を覆うポリシリコン膜を形成する工程と、
複数の前記穴それぞれの中の前記ポリシリコン膜および前記ゲート金属膜を、前記保護膜上の前記ゲート金属膜が露出しないように、エッチングする工程と、
その後、複数の前記穴をそれぞれ埋め込むように再度ポリシリコン膜を堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜を平坦化することにより前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記ポリシリコン膜を複数のポリシリコン層に分離する工程と、
複数の前記ポリシリコン層上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて複数の前記ポリシリコン層をパターニングする工程と、
パターニングされた複数の前記ポリシリコン層をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、
前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、
選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記マスクを除去して複数の前記ポリシリコン層のそれぞれの上面を露出させる工程と、
全面に第２層間絶縁膜を形成し、複数の前記ポリシリコン層のそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記ポリシリコン層のそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、
前記接続部に接続する配線を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記ソース／ドレイン領域を形成する前に、露出した前記半導体層を選択的にエッチングし、前記基板からの高さを低くする工程を更に備えていることを特徴とする請求項１または２記載のマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ソース／ドレイン領域を形成する工程は、前記基板の表面に垂直な方向から傾いた角度で前記不純物を注入することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
基板上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、
前記チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜と、
前記チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜と、
前記チャネル領域のそれぞれの両側面に前記ゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともに前記チャネル領域のそれぞれの上面に前記保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極と、
複数の前記ゲート電極のそれぞれの側面を覆うように前記基板上に設けられた層間絶縁膜と、
複数の前記ゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部と、
前記接続部に接続されたゲート配線と、
を備えていることを特徴とするマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項６】
複数の前記ゲート電極はそれぞれシリサイドで形成されていることを特徴とする請求項５記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記層間絶縁膜の上面と、複数の前記ゲート電極のそれぞれの上面は略同一平面に位置することを特徴とする請求項６記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項８】
複数の前記ゲート電極のそれぞれは、金属膜と、この金属膜を覆うポリシリコン膜との積層構造を有し、前記金属膜は、前記層間絶縁膜、前記基板の上面、前記ゲート絶縁膜、および前記保護膜のそれぞれと前記ポリシリコン膜との間に設けられていることを特徴とする請求項５記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記ポリシリコン膜と前記層間絶縁膜との間に設けられた金属膜部分の上端の前記基板からの高さは、前記保護膜上に位置する前記金属膜の上面の前記基板からの高さよりも高いことを特徴とする請求項８記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
前記ポリシリコン膜の上面は、前記層間絶縁膜の上面と略同一平面に位置することを特徴とする請求項８または９記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記ソース／ドレイン領域の上面の前記基板からの高さは、前記チャネル領域の上面の前記基板からの高さよりも低いことを特徴とする請求項５乃至１０のいずれかに記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
前記基板はＳＯＩ基板であり、前記半導体層は、ＳＯＩ層であることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１】
基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、
前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の両側面、前記保護膜の両側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、
全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、
前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、
複数の前記穴内の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
複数の前記穴を埋め込むように第１ポリシリコン膜を全面に堆積する工程と、
前記第１ポリシリコン膜を平坦化することによって前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記第１ポリシリコン膜を複数の第２ポリシリコン膜に分離する工程と、
複数の前記第２ポリシリコン膜上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて複数の前記第２ポリシリコン膜をパターニングする工程と、
パターニングされた複数の前記第２ポリシリコン膜をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、
前記マスクおよび前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、
選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記マスクを除去して複数の前記第２ポリシリコン膜の上面を露出させる工程と、
上面が露出された複数の前記第２ポリシリコン膜をそれぞれシリサイドに変える工程と、
全面に第２層間絶縁膜を形成し、前記シリサイドのそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記シリサイドのそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、
前記接続部に接続する配線を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２】
基板上に複数の半導体層を並列して形成する工程と、
前記複数の半導体層の上面にそれぞれ保護膜を形成する工程と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、各半導体層の側面、前記保護膜の側面および上面を覆う第１絶縁層を形成する工程と、
全面に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜を平坦化することによって前記第１絶縁層それぞれの上面を露出させる工程と、
前記第１絶縁層をそれぞれ選択的に除去することによって前記第１絶縁層が除去された位置に複数の穴を形成する工程と、
複数の前記穴それぞれの中の前記半導体層の両側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
複数の前記穴のそれぞれの側面および底面と、前記穴内の前記ゲート絶縁膜ならびに前記保護膜とを覆うゲート金属膜を形成する工程と、
前記ゲート金属膜を覆うポリシリコン膜を形成する工程と、
複数の前記穴それぞれの中の前記ポリシリコン膜および前記ゲート金属膜を、前記保護膜上の前記ゲート金属膜が露出しないように、エッチングする工程と、
その後、複数の前記穴をそれぞれ埋め込むように再度ポリシリコン膜を堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜を平坦化することにより前記第１層間絶縁膜の上面を露出させるとともに前記ポリシリコン膜を複数のポリシリコン層に分離する工程と、
複数の前記ポリシリコン層上にゲート電極形状のマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて複数の前記ポリシリコン層をパターニングする工程と、
パターニングされた複数の前記ポリシリコン層をゲート長方向に挟む絶縁体からなる側壁を形成する工程と、
前記側壁を用いて前記保護膜をパターニングし、複数の前記半導体層の上面を選択的に露出させる工程と、
選択的に露出した複数の半導体層に不純物を注入し、ソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記マスクを除去して複数の前記ポリシリコン層のそれぞれの上面を露出させる工程と、
全面に第２層間絶縁膜を形成し、複数の前記ポリシリコン層のそれぞれに通じる開口を前記第２層間絶縁膜に形成し、前記開口を埋め込むことにより前記ポリシリコン層のそれぞれと共通に接続する金属の接続部を形成する工程と、
前記接続部に接続する配線を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記ソース／ドレイン領域を形成する前に、露出した前記半導体層を選択的にエッチングし、前記基板からの高さを低くする工程を更に備えていることを特徴とする請求項１または２記載のマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ソース／ドレイン領域を形成する工程は、前記基板の表面に垂直な方向から傾いた角度で前記不純物を注入することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマルチゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
基板上に並列するように設けられた第１導電型の複数の半導体層と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、離間して設けられた第２導電型のソース／ドレイン領域と、
前記複数の半導体層のそれぞれに、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられるチャネル領域と、
前記チャネル領域のそれぞれの上面に設けられた保護膜と、
前記チャネル領域のそれぞれの両側面に設けられたゲート絶縁膜と、
前記チャネル領域のそれぞれの両側面に前記ゲート絶縁膜を挟むように設けられるとともに前記チャネル領域のそれぞれの上面に前記保護膜を挟むように設けられた金属元素を含む複数のゲート電極と、
複数の前記ゲート電極のそれぞれの側面を覆うように前記基板上に設けられた層間絶縁膜と、
複数の前記ゲート電極のそれぞれの上面を共通に接続する接続部と、
前記接続部に接続されたゲート配線と、
を備えていることを特徴とするマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項６】
複数の前記ゲート電極はそれぞれシリサイドで形成されていることを特徴とする請求項５記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記層間絶縁膜の上面と、複数の前記ゲート電極のそれぞれの上面は略同一平面に位置することを特徴とする請求項６記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項８】
複数の前記ゲート電極のそれぞれは、金属膜と、この金属膜を覆うポリシリコン膜との積層構造を有し、前記金属膜は、前記層間絶縁膜、前記基板の上面、前記ゲート絶縁膜、および前記保護膜のそれぞれと前記ポリシリコン膜との間に設けられていることを特徴とする請求項５記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記ポリシリコン膜と前記層間絶縁膜との間に設けられた金属膜部分の上端の前記基板からの高さは、前記保護膜上に位置する前記金属膜の上面の前記基板からの高さよりも高いことを特徴とする請求項８記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
前記ポリシリコン膜の上面は、前記層間絶縁膜の上面と略同一平面に位置することを特徴とする請求項８または９記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記ソース／ドレイン領域の上面の前記基板からの高さは、前記チャネル領域の上面の前記基板からの高さよりも低いことを特徴とする請求項５乃至１０のいずれかに記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
前記基板はＳＯＩ基板であり、前記半導体層は、ＳＯＩ層であることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載のマルチゲート型電界効果トランジスタ。
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１０Ｄ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１４Ｄ】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図１９Ｃ】
【図１９Ｄ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２０Ｄ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２１Ｃ】
【図２１Ｄ】
【図２２】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１０Ｄ】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１１Ｃ】
【図１１Ｄ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１４Ｃ】
【図１４Ｄ】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図１９Ｃ】
【図１９Ｄ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２０Ｃ】
【図２０Ｄ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２１Ｃ】
【図２１Ｄ】
【図２２】
【公開番号】特開２００９−２６０２２１（Ｐ２００９−２６０２２１Ａ）
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２３６８３９（Ｐ２００８−２３６８３９）
【出願日】平成２０年９月１６日（２００８．９．１６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月１６日（２００８．９．１６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]