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Fターム[5F110BB03]に分類される特許
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半導体装置
【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及
びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第1乃至第10のトランジ
スタを有し、第1のトランジスタおよび第3のトランジスタのチャネル長Lに対するチャ
ネル幅Wの比W/Lは、第6のトランジスタのW/Lよりも大きく、第5のトランジスタ
のW/Lは、第6のトランジスタのW/Lよりも大きく、第5のトランジスタのW/Lは
、第7のトランジスタのW/Lと等しく、第3のトランジスタのW/Lは、第4のトラン
ジスタのW/Lよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス
信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。
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酸化物半導体薄膜層を有する積層構造及び薄膜トランジスタ
【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層のキャリア濃度が1018/cm3以下、平均結晶粒径が1μm以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。
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半導体装置
【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。
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半導体装置、表示モジュール、及び電子機器
【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第1の導電膜及び第2の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。
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半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。
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半導体装置及びその駆動方法
【課題】2つの電位の誤差を増幅して出力する半導体装置におけるスタンバイ状態からの復帰に際して生じる動作遅延を抑制する。
【解決手段】チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタによって、トランスコンダクタンスアンプの出力端子とキャパシタの一方の電極の電気的な接続を制御する。よって、トランスコンダクタンスアンプがスタンバイ状態となる場合であっても、当該トランジスタをオフ状態とすることでキャパシタの一方の電極において長期に渡って電荷の保持を行うことが可能となる。また、トランスコンダクタンスアンプをスタンバイ状態から復帰する際には、当該トランジスタをオン状態とすることで、キャパシタの充放電を早期に収束させることができる。これにより、早期に当該半導体装置の動作を定常状態とすることが可能となる。
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半導体装置
【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部および該溝部を挟んで形成された一対の低抵抗領域を有する半導体基板と、半導体基板上の第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜を介し、溝部と重畳するゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜上の、溝部を挟んで設けられた一対の電極と、一対の電極と接する半導体膜と、を有し、一対の低抵抗領域の一方と、一対の電極の一方が電気的に接続されている積層されたトランジスタを形成し、一方はn型半導体からなるトランジスタであり、他方はp型半導体からなるトランジスタにより形成させることによって、相補型MOS回路を形成する。
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コンパレータ、及びそれを用いた半導体装置
【課題】新たな構成のチョッパ型のコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータは、インバータと、容量素子と、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第3のスイッチとを有し、インバータの入力端子と出力端子とは、第1のスイッチを介して電気的に接続され、インバータの入力端子は、容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、容量素子の一対の電極のうちの他方は、第2のスイッチを介して参照電位が与えられ、入力された信号電位は第3のスイッチを介して容量素子の一対の電極のうちの他方に与えられ、インバータの出力端子から出力される電位を出力信号とし、第1のスイッチは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを用いて構成される。
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半導体装置の作製方法
【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層に凸状部またはトレンチ(溝部)を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、半導体層成膜前に、半導体層が接する凸状部またはトレンチの上端コーナー部に、R加工処理を行うことで、薄膜の半導体層を被覆性良く成膜する。
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半導体装置
【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタ(半導体装置)において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチ(溝)に設ける。トレンチは曲率半径が20nm以上60nm以下の曲面状の下端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも下端コーナ部において表面に概略垂直なc軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。
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半導体装置および当該半導体装置の作製方法
【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供すること。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層に凸状構造体を形成し、該凸状構造体に接して酸化物半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を3次元方向(基板垂直方向)に延長させる。これによって、トランジスタの微細化を達成しつつ、実効的なチャネル長を延長させることができる。また、凸状構造体の上面と側面とが交わる上端コーナー部に曲面を形成し、酸化物半導体層が当該曲面に垂直なc軸を有する結晶を含むように形成する。これによって、酸化物半導体層の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。
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機能性基体及びその製造方法
【課題】薄膜電子回路を転写するに際し、接着と剥離の作業による薄膜電子回路へのダメージを最小限にして、十分な接着強度と適度な硬さを有した接着剤を用いる。
【解決手段】薄膜電子回路の作製に必要な単層または複数の層からなる膜構造と転写先の基体とをガラス転移温度が100℃以上、150℃以下、吸水率が0.1%以下、引っ張りせん断強さ10N/mm2以上、T型剥離接着強さ1N/mm2以上、線膨張率1.0×10−4以下であることを特徴とするエポキシ系あるいはアクリル系接着層の単層のみか、または当該エポキシ系あるいはアクリル系接着層の上にシリコーン樹脂、アクリル変成シリコーン樹脂あるいはエポキシ変成シリコーン樹脂材料からなる弾性層を伴った機能性基体でもって転写プロセスを行う。
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電界効果トランジスタ
【課題】歪みチャネルを用いた場合のリーク電流を低減することができ、不良の発生を抑制して歩留まりの向上をはかる。
【解決手段】電界効果トランジスタであって、半導体基板10上に垂直に形成され、且つ第1の領域が第2の領域よりも高く形成された半導体フィン31と、第1の領域の両側面にゲート絶縁膜40を介して設けられたゲート電極50と、第2の領域に第1の領域の上端よりも低い位置まで設けられた、合金半導体からなるソース・ドレイン下地層63,73と、下地層63,73上に第1の領域の上部を挟むように設けられた、下地層63,73とは格子定数の異なるソース・ドレイン領域60,70とを備えている。チャネル領域には応力が付与され、下地層63,73は、空乏層が収まる厚さよりも厚く、熱平衡状態で結晶にミスフィット転位が導入される熱平衡臨界膜厚よりも薄く形成されている。
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非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が1015/cm3以上、1018/cm3未満である、In―Zn―Ga酸化物、In―Zn―Ga―Mg酸化物、In―Zn酸化物、In―Sn酸化物、Sn−In−Zn酸化物、In酸化物、Zn―Ga酸化物、及びIn―Ga酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、N型半導体として用いたN型TFTを含む回路を構成要素としており、前記N型TFTは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が10マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が1cm2/(V・秒)超であることを特徴とする集積回路。
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半導体装置の作製方法、および半導体装置
【課題】低温プロセスを実現する半導体装置の作製方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】結晶構造を有する半導体層の一部にp型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、一部の上層部分を非晶質化するとともに、一部の下層部分に結晶質を残存させ、加熱処理を行うことによって、一部の中の水素を拡散させる。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根(RMS)
粗さが1nm以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、5nm以上の半導体装置である。
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半導体装置及び電子機器
【課題】安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジス
タを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、出力端子と接続するノード
を構成するトランジスタのチャネル長を、出力端子として機能するトランジスタのチャネ
ル長よりも大きくする。これによって、該ノードからの電流のリークを抑制して、長期間
にわたって安定して電位を保持することが可能となり、パルス信号出力回路の誤作動を防
止することができる。
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半導体装置
【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第1の絶縁膜と
、第1の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第1の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第1の
開口部を有し、第2の絶縁膜は第2の開口部を有し、第2の開口部は第1の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第1の開口部及び第2の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。
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半導体装置および当該半導体装置の作製方法
【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。
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スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】In、Ga、及びAlの割合が下記式(1)及び(2)の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、800℃から焼結温度までの温度範囲を0.1℃/分〜2℃/分の昇温速度で昇温した後、1450℃〜1650℃に10〜50時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ga/(In+Ga+Al)=0.01〜0.08 (1)
Al/(In+Ga+Al)=0.0001〜0.03 (2)
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