【課題】半導体装置とリーダ／ライタとの通信方式にＡＳＫ方式を用いる場合、リーダ／ライタから半導体装置へデータを送信していない場合に、半導体装置からリーダ／ライタへ送信したデータにより、無線信号の振幅が変化する。したがって、半導体装置が送信したデータを、リーダ／ライタから送信されたデータと誤って認識する場合がある。
【解決手段】半導体装置を、アンテナ回路と、送信回路と、受信回路と、演算処理回路と、から構成する。アンテナ回路において、無線信号を送受信する。また、送信回路は、アンテナ回路が無線信号を送信中か否かを示す信号を受信回路に出力する （もっと読む）

【課題】視認性の優れた高画質な表示機能を有する信頼性の高い表示装置を提供することを目的とする。またそのような表示装置を工程、装置を複雑化することなく、高い信頼性を付与して作製することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子と電気的に接続し、発光素子を駆動させる薄膜トランジスタとして、ｐチャネル型薄膜トランジスタを用いる場合、そのｐチャネル型薄膜トランジスタのカットオフ電流を駆動回路のｐチャネル型薄膜トランジスタより低くする。具体的には表示装置の構成する薄膜トランジスタの半導体層に対して選択的にチャネルドープを行う。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１〜１３４と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３〜１０６とを有する薄膜トランジスタ１１８〜１２１と、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホール１４２を含む第１のコンタクトホールと、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホールに含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホール１４２の底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の回路間で異なるクロックを使用した場合であっても、安定した通信が可能であるクロック同期回路及びそれを備えた半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】受信したデータの変化点を検出し、リセット信号を出力する手段と、クロック信号を出力する基準クロック発生回路と、クロック信号をカウントする基準クロックカウンター回路と、基準クロックカウンター回路から出力された信号を分周する分周回路と、分周回路から出力された信号により回路動作用基準クロック信号を出力する手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの半導体膜に連続発振レーザを走査しながら照射して帯状の擬似単結晶を連続かつ方向制御して成長させる際の溶融半導体の凝集を抑制して、高性能の薄膜トランジスタを用いたシステムインパネル方式の表示装置を得る。
【解決手段】絶縁基板１０１の上に形成されたシリコン窒化膜１０２と、シリコン窒化膜の上に形成されたシリコン酸化膜１０３と、シリコン酸化膜１０３の上に形成された半導体膜１０４と、半導体膜１０４を用いた薄膜トランジスタとを有する。シリコン酸化膜１０３を、ＳｉＨ₄とＮ₂Ｏとを原料ガスとして成膜した第１のシリコン酸化膜と、ＴＥＯＳガスを原料ガスとして成膜した第２のシリコン酸化膜とで構成し、前記半導体膜を、結晶粒が帯状の形状を有する擬似単結晶とする。 （もっと読む）

支持基板の上にナノワイヤを含むセンサであって、第１半導体層が該支持基板上に配置されたセンサ、を形成する方法が開示されている。該方法は、第１半導体層からなり、かつ少なくとも２つの支持部と、該支持部の間に配置されるフィン部と、を含むフィン構造を形成する工程と；フィン構造の少なくともフィン部を酸化することにより第１酸化膜層によって取り囲まれるナノワイヤを形成する工程と；絶縁層を該支持部の上に形成する工程と、を含み、支持部及び第１絶縁層はマイクロ流体チャネルを構成する。ナノワイヤセンサも開示されている。ナノワイヤセンサは、支持基板と；支持基板の上に配置され、かつ少なくとも２つの半導体支持部と、該支持部の間に配置されるフィン部と、を含む半導体フィン構造と；支持部のコンタクト表面の上の第１絶縁層と、を備え、支持部及び第１絶縁層はマイクロ流体チャネルを構成する。
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【課題】 本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】無線で通信可能な半導体装置を抄き込んだ用紙であり、半導体装置を内包する部分の凹凸が目立たなく、しかも厚さ１３０μｍ以下の薄い紙を実現する。
【解決手段】半導体装置１は回路部１２とアンテナ１１を具備し、回路部１２は薄膜トランジスタで構成される。回路部１２とアンテナ１１は製造時に使用した基板から分離され、可撓性基材１３と封止層１４とで挟まれ保護されている。半導体装置１は撓ませることが可能であり、半導体装置１自体の厚みは３０μｍ以下である。半導体装置１は紙２の抄紙工程で抄き込まれる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】マスク層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１のマスク層を形成する。枠状の第１のマスク層の内側の空間を充填するように、液状の第２のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ第２のマスク層を形成する。第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状の導電性材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１の導電層（又は絶縁層）を形成する。枠状の第１の導電層の内側の空間を充填するように、液状の第２の導電性材料を含む組成物を付着させ第２の導電層を形成する。第１の導電層及び第２の導電層は接して形成され、第２の導電層の周囲を囲むように第１の導電層が形成されるので、第１の導電層及び第２の導電層は連続した一つの導電層として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上にＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタを同時に集積できる素子構造および製法を提供する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。また、絶縁基板上に形成された半導体薄膜に形成されたＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ（２００）において、半導体薄膜（２０５）は所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板としてプラスチック基板を用いた薄膜トランジスタ基板の製造工程中で用いられるレジスト膜を除去する際に、プラスチック基板に化学的なダメージを与えない層構成を有した薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマ耐性のある無機層１１が全面に形成されたプラスチック基板１０を準備する工程と、無機層１１上に半導体膜を形成する工程と、半導体膜上にレジスト膜をパターニングする工程とを有し、レジスト膜の除去工程がプラズマアッシング法により行われる方法により薄膜トランジスタ基板を製造する。このとき、無機層が、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの性能を向上させると共に遮光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に接続されており、チャネル領域（１ａ´）とソース領域（１ｄ）との間に形成された第１のＬＤＤ領域（１ｂ）と、チャネル領域とドレイン領域（１ｅ）との間に形成された第２のＬＤＤ領域（１ｃ）とを有する半導体層（１ａ）、及びチャネル領域に重なるゲート電極（３ａ）を有するトランジスタ（３０）とを備える。更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】 駆動領域と画素領域のＴＦＴが異なる特性、特に、電子移動度と、または漏れ特性を有する駆動回路と画素領域の全体的なＴＦＴ構造を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタデバイスを含む画像表示システムであって、駆動回路領域と画素領域を含む基板、駆動回路領域と画素領域の基板の上にそれぞれ設置され、チャネル領域、ソース／ドレイン領域と、その間に形成された軽ドープ領域を含む第１と第２活性層、および第１と第２活性層の上にそれぞれ設置され、堆積された第１と第２ゲート誘電体層とゲート長を有するゲート層を含み、第２ゲート誘電体層が第１ゲート誘電体層より短い長さを有するが、ゲート層の前記ゲート長より長い２つのゲート構造を含み、第１活性層の軽ドープ領域は、第２活性層と異なる長さを有するシステム。 （もっと読む）

【課題】新たな工程を追加することなく、サブスレッショルド特性におけるハンプ特性を抑制する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】第１の導電型の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板であって、ソース／ドレイン領域３１間に配置された第１の導電型のチャネル領域３２を有する半導体層３と、ゲート絶縁膜５を介して半導体層３の対面側に形成されるゲート電極６を有し、チャネル領域３２のチャネル幅方向の両端部４に対応するゲート電極６に開口部６１を有し、開口部６１に対応するチャネル領域４では、ゲート電極６に対応するチャネル領域よりも第１の導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物領域が形成されている薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

電子デバイス（１０）の製造方法は、プラスチック材料を有する基板（２０）を用意する。微粒子材料（１６）は基板の少なくとも１つの表面内に埋め込まれる。薄膜半導体材料の層は基板（２０）上に堆積される。
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【課題】寄生トランジスタの発生を抑制することができ、高性能化を図ることができ、かつゲート絶縁耐圧劣化を抑制することで高信頼性を得ることができる薄膜トランジスタ、その製造方法、半導体装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜を挟んで半導体層とゲート電極とが交差配置された構造を有する薄膜トランジスタであって、上記半導体層は、チャネル部の端部が傾斜しており、上記ゲート絶縁膜は、チャネル部の端部と重なる部分の酸化シリコン換算膜厚が、チャネル部の中央部と重なる部分の酸化シリコン換算膜厚よりも大きい薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させると共に補助容量を大きくした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板１０Ａに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜１２Ｂ、ゲート電極２、層間絶縁膜１２Ｃ、映像線Ｄとソース電極４とをこの順で積層する。層間絶縁膜１２Ｃは高誘電体微粒子またはゾルゲルを少なくとも含む比誘電率４．０以上の塗布型透明絶縁膜で形成される。ゲート絶縁膜１２Ｂに第１のスルーホールＳＨ３を有し、第１のスルーホールＳＨ３内の層間絶縁膜１２Ｃに第２のスルーホールＳＨ４を形成し、ソース電極４を第２のスルーホールＳＨ４を介してアクティブ素子に電気的に接続し、ゲート電極２と映像線Ｄとソース電極４および層間絶縁膜１２Ｃで保持容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＬＡＸ法による帯状シリコン結晶を形成する際のシリコン溶融時間を短縮して結晶性を向上させ、シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの動作特性を改善して高精細な表示装置を得る。
【解決手段】薄膜トランジスタを構成するための半導体膜を成膜した絶縁基板５０５を冷却しながら、この半導体膜に連続発振レーザ５０１を走査しながら照射し、結晶粒の長手方向が走査方向に長い帯状半導体結晶５０３に成長させる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型薄膜トランジスタの閾値電圧の制御が容易なアレイ基板を提供する。
【解決手段】Ｐ型用ゲート電極27に用いる金属材料の抵抗値より抵抗値が小さな金属材料をＮ型用ゲート電極25およびゲート配線26に用いる。Ｎ型用ゲート電極25およびゲート配線26にアルミニウム系材料を用い、Ｐ型用ゲート電極27にモリブデン系やタングステン系の材料を用いる。ゲート配線26にアルミニウム系の比較的抵抗値が小さな低抵抗材料を用いることができる。Ｐ型用ゲート電極27にアルミニウム系の材料を用いなくて済む。Ｐ型薄膜トランジスタ６の閾値電圧が変動しにくくなる。 （もっと読む）