【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】下式またはその混合物からなる群から少なくとも１つ選択される半導体を含む電子デバイスである。（式中、各Ｒ_１〜Ｒ_１０は独立に、水素、アルキル、アリール、アルコキシ、ハロゲン、アリールアルキル、シアノまたはニトロである。ａおよびｂは環の数を表し、ｎは反復基または部分の数を表す。）


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式（Ｉ）〔式中、Ｘは、Ｏ、Ｓ又はＮＲを意味し、Ｒ、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、それぞれ独立して、水素及び有機残基から選択されるか、又はその２つ以上が一緒になって、置換若しくは非置換、炭素環式若しくは複素環式、芳香族、キノイド若しくは脂肪族であってもよい１つ以上の縮合環を形成する〕の非ポリマーキノイドヘテロアセン化合物を含む半導体層を、たとえば、ダイオード、有機電界効果トランジスター、有機薄膜トランジスター、又はダイオード及び／若しくは有機電界効果トランジスター及び／若しくは機薄膜トランジスターを含むデバイスの製造のために使用することができる。
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【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の成分を含む半導体材料を含む電子デバイスである。


（Ｉ）
（式中、Ｒはアルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリールまたは炭化水素を表し、各Ｒ_１およびＲ_２は独立に、水素（Ｈ）、炭化水素、ヘテロ原子含有基またはハロゲンであり、Ｒ_３およびＲ_４は独立に、炭化水素、ヘテロ原子含有基またはハロゲンであり、ｘおよびｙは基の数を表し、Ｚはイオウ、酸素、セレン、またはＮＲ’（Ｒ’は水素、アルキルまたはアリールである）を表し、ｎおよびｍは反復単位の数を表す。） （もっと読む）

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示される連結されたアリールアミンポリマを含む半導体材料を含有する電子デバイスである。


（Ｉ）
（式中、Ａｒはアリールまたはヘテロアリールであり、ＸはＣＨ_２、イオウ、酸素、セレン、ＮＲ’またはＳｉＲ’’_２（Ｒ’およびＲ’’はそれぞれ適切な炭化水素である）を表し、ｍはＸ置換基の数を表し、ｎは反復単位の数を表す。） （もっと読む）

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の半導体材料を含む電子デバイスである。


（Ｉ）
（式中、Ｒは炭化水素またはヘテロ原子含有基であり、ｎは反復単位の数を表す。） （もっと読む）

アセン−チオフェンコポリマーを包含する電子デバイス及びそのような電子デバイスを作製する方法。前記アセン−チオフェンコポリマーは、例えば、半導体層中で又は第１の電極と第２の電極との間に位置付けられた層中で使用できる。
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【課題】拡張する有機半導体膜を抑制できる有機半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体装置は、少なくとも１つの電極が形成された基板と、電極の一部を区切るように形成された電極上のバンクと、バンクによって囲まれた内側領域の電極上に形成された有機半導体膜と、を有する有機半導体装置であって、電極はバンクの外縁が環状に区切る面積よりも大なる面積を有する。 （もっと読む）

【課題】大気中で安定かつ実用的な半導体特性を有し、またアンバイポーラー特性を有する電界効果トランジスタを提供する事。
【解決手段】絶縁体層４と、それにより隔離されたゲート電極５及びその絶縁体層４に接するように設けられたソース電極１とドレイン電極３を有するボトムコンタクト型構造の電極基板上に、正孔輸送型の半導体層２−１及び電子輸送型の半導体層２−２の少なくとも２層を含み、かつ該半導体層が少なくとも３層またはそれ以上積層されている事を特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

本発明は、液晶性のリレンテトラカルボン酸誘導体、その製造方法並びに前記誘導体を有機電界効果トランジスタ及び太陽電池の製造のためにｎ型の有機半導体として用いる使用に関する。
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【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造でき、再現性の良い特性が得られる有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層1を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層１が下記一般式で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とする。
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【課題】各層の印刷工程の間に乾燥工程を設ける必要がなく、生産性の向上や寸法精度の確保を図ることが可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】ブランケット１２，１２Ａ上にインキを塗布してインキ塗布面１，１Ａを形成し、該インキ塗布面１，１Ａに凸版１４，１４Ａを押圧して該凸版１４，１４Ａに接触する部分のインキ２，２Ａをブランケット１２，１２Ａ上から除去したのち、前記ブランケット１２，１２Ａ上に残ったインキ３，３Ａを被印刷体４に転写する印刷方法によって電子部品を製造する方法であって、導電性インキ、絶縁性インキ、半導体インキからなる群から選択されるインキによるパターン５，５Ａを１層又は複数層形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ用のゲート絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ポリエステルおよびポリアクリレートの何れかからなる材料を用いる方法が提案されており、塗布による簡便な電子素子の作製方法も開示されているが、従来技術による絶縁膜は必ずしも良好な絶縁性を示しているとは言えない。本発明は絶縁性の良好な絶縁層を形成させるための絶縁層形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】電子素子の絶縁体層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とこのポリアミック酸の誘導体とから選ばれる少なくとも１つのポリマーと、このポリマーの構造単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有し、さらに化合物の置換基を選択する事によりｐ型、ｎ型及びアンバイポーラー型の電気特性を有する電界効果トランジスタを提供する事。
【解決手段】下記式（１）で表されるベンゾジフラノン系化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。
【化１】


（式（１）中、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃及びＸ₄はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を、Ｒ₁及びＲ₂は置換されていても良い芳香族基を、Ｒ₃及びＲ₄は置換基をそれぞれ表す。） （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極の形状に関係なく、電荷の移動度を十分に向上できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ボトムコンタクト型の薄膜有機トランジスタ１では、ソース電極３とドレイン電極４との間の溝に平坦化層７が埋められている。これにより、ソース電極３の表面とドレイン電極４の表面との間が平坦化されるので、ソース電極３及びドレイン電極４のチャネル側側面と各上面とが交わる角部を無くすことができる。よって、ソース電極３及びドレイン電極４の表面では、有機半導体層８を構成する有機半導体結晶の分子配列の配向性を良好にできる。さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有し、さらに化合物の置換基を選択する事によりｐ型、ｎ型及びアンバイポーラー型の電気特性を有する電界効果トランジスタを提供する事。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。
【化１】


（式（１）中、Ｘ₁及びＸ₂はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ独立に水素原子、置換されていても良い脂肪族炭化水素基又は置換されていても良い芳香族基をそれぞれ表す。） （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、且つ、工程数を減らし、従来よりも歩留まりよく良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ及びこれを搭載した表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。マスクは光を通過させないものを用いる。改質後には光触媒膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極、又は、ドレイン電極と有機半導体層との接触抵抗を低減し、有機半導体層の寿命を延ばす有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機トランジスタの製造方法は、ソース電極３０と、ドレイン電極４０と、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電子又は正孔を流す経路となる有機半導体層６０とを備える有機トランジスタの製造方法であって、基板１００上に、無機材料からなるソース電極３０と、無機材料からなるドレイン電極４０とを形成する工程と、ソース電極３０、又は、ドレイン電極４０の少なくともいずれかの表面にドーピングされた有機材料からなる中間層を形成する工程と、中間層の表面の一部に、有機半導体層６０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有する電界効果トランジスタを提供する事。
【解決手段】下記式（１）で表されるジアミン化合物を半導体材料として用いた電界効果トランジスタ。
【化１】


（式（１）中、Ｘ₁及びＸ₂はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を、Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に水素原子、置換されていても良い脂肪族アルキル基又は置換されていても良い芳香族基を、Ｒ₃、Ｒ₄はそれぞれ独立に水素原子、置換されていても良い脂肪族アルキル基、置換されてもよい脂肪族アルコキシ基、置換されていても良い芳香族基又は置換されてもよい芳香族オキシ基をそれぞれ表す。） （もっと読む）

【課題】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を有する回路基板において、そのオフ電流を小さくすること。
【解決手段】本発明の回路基板１は、基板７と、基板７の一方の面側に設けられたソース電極５、ドレイン電極６およびゲート電極２と、該ゲート電極２に対して該ソース電極５およびドレイン電極６を絶縁するゲート絶縁層３と、該ゲート絶縁層３に接して設けられた有機半導体層４とを備え、前記有機半導体層４が形成される前記ソース電極５およびドレイン電極６の間となる領域に、底面が前記基板７の内部または基板７側に位置する凹部８を有し、前記有機半導体層４の、前記ソース電極５およびドレイン電極６の間となる領域であって前記ゲート絶縁層３との界面が、当該領域以外の領域の前記ゲート絶縁層３との界面よりも前記基板７側に設定されることを特徴とする。 （もっと読む）