【課題】高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。なかでも、非線形素子より構成されるパワーダイオード及び整流器を提供することである。
【解決手段】第１の電極と、第１の電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層と接して且つ第１の電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層の端部を覆う一対の第２の電極と、一対の第２の電極及び酸化物半導体層を覆う絶縁層と、絶縁層に接して且つ一対の第２の電極の間に設けられる第３の電極と、を有し、一対の第２の電極は酸化物半導体層の端面に接する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いて半導体装置を構成する。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能である。また、書き込みワード線に電気的に接続する容量素子またはノイズ除去回路を設けることで、駆動回路等からメモリセルに入力されうる制御信号とは異なる短パルスやノイズ等の信号を低減または除去することができる。これにより、メモリセルが有するトランジスタが瞬間的にオンすることでメモリセルに書き込まれたデータが消失してしまう誤動作を防ぐことが可能である。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】半絶縁性単結晶ダイヤモンド基板の一方の面に、ｐ⁻ダイヤモンド層からなるドリフト層を成膜し、該ドリフト層の上にｐ^＋ダイヤモンド層からなるコンタクト層を成膜する工程と、前記基板の他方の面に開口部をエッチングにより形成して、前記基板を構造保持材として前記ドリフト層の一部が露出した露出部を形成する工程と、前記露出部にカソード電極を設け、前記コンタクト層にアノード電極を設ける工程とにより、ダイヤモンド電子素子の積層構造を形成する。ドリフト層を基板上に直接成膜するので、欠陥密度の減少した素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを提供する。また、電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを、生産性高く作製する。また、経年変化の少ない表示装置を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜との間に、微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域を有する半導体積層体を有し、微結晶半導体領域は、ゲート絶縁膜側の窒素濃度が少なく、非晶質半導体に接する領域の窒素濃度が高く、且つ非晶質半導体との界面が凹凸状である。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。 （もっと読む）

【課題】メモリデータを外部回路を用いずに、コピーを行う半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数のメモリセルの第一端子が共通接続されたビット線と、ビット線に接続され、読み出し時にビット線を特定の電位にプリチャージするプリチャージ回路と、メモリセルから読み出したデータ、もしくはメモリセルへの書き込みデータを一時的に保持する容量素子を有するデータ保持回路と、データ保持回路で保持しているデータの反転データをビット線に出力する反転データ出力回路とを有し、反転データ出力回路は、データ保持回路で保持しているデータの反転データの出力を制御する手段を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】正孔電子対と、ソース電極（ドレイン電極）付近に発生する強電界とがともに抑制されることにより、リーク電流が抑制される薄膜トランジスタ、及びそれを備える表示装置又は液晶表示装置の提供。
【解決手段】光源から光が照射されるゲート電極膜と、前記ゲート電極膜の、前記光源側との反対側に、絶縁膜を介して形成される半導体膜と、前記半導体膜に電気的に接続して形成される第１及び第２の電極膜と、前記ゲート電極膜と同一層に形成されるとともに、前記ゲート電極膜と電気的に遮断される第１の遮光膜と、を備える薄膜トランジスタであって、前記第１の遮光膜は、前記半導体膜の一部と前記光の照射方向から見て重なり合うとともに、前記第１の電極膜の少なくとも一部と、前記光の照射方向から見て重なり合う、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【解決手段】 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、基板上に形成されているゲート線と、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されている第１半導体と、少なくとも一部分の第１半導体上に形成されているデータ線及びドレイン電極と、ゲート絶縁膜上に形成されている蓄積導電体と、データ線、ドレイン電極及び蓄積導電体上に形成されている第１保護膜と、第１保護膜上に形成され、蓄積導電体上に位置した開口部を有する第２保護膜と、第２保護膜上に形成され、ドレイン電極に接続され、開口部で蓄積導電体と重なる画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ外部からの光による悪影響を軽減又は防止したトランジスタ、発光装置、及び、電子機器を提供する。
【解決手段】トランジスタＴｒは、ゲート電極１２と、透光性を有する絶縁層を介してゲート電極１２と対向配置される、ゲート電極１２側の面に光の反射面を有する導電体層２２と、ゲート電極１２と導電体層２２との間に位置し、チャネルが形成される半導体層１４と、を備える。光を吸収する光吸収層２１は、導電体層２２と半導体層１４との間、並びにゲート電極１２と半導体層１４との間の少なくともいずれか一方に位置する。 （もっと読む）

【課題】複数の基準電位を要する半導体装置、及び半導体装置の駆動において、より消費電力を軽減する。
【解決手段】電源線に直列に接続された複数の抵抗素子により、電源線に供給された電位を抵抗分割し、電源線と電気的に接続するスイッチトランジスタを介して所望の分割された電位を出力する電位分割回路を有する半導体装置であり、スイッチトランジスタのドレイン端子は出力側の回路に設けられたトランジスタのゲート端子（又は容量素子の一方の端子）と電気的に接続しノードを構成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の安定を図ること。
【解決手段】ＥＬパネル１の駆動トランジスタ６において、ソース電極６ｉとゲート電極６ａおよびドレイン電極６ｈとゲート電極６ａの間にバックゲート効果を発現させないように、ソース電極６ｉとドレイン電極６ｈをゲート電極６ａから離間させることに十分な膜厚（例えば、２０００Å以上４０００Å以下の膜厚）を有する保護絶縁膜６ｄを形成することによって、駆動トランジスタ６のチャネルが乱されることを低減して、オン電流を安定させるようにした。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの保持データが多値化された場合であっても正確なデータを保持することが可能なメモリセルを有する半導体装置を供給すること。
【解決手段】半導体装置に、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるトランジスタのソース及びドレインの一方が電気的に接続されたノードにおいてデータの保持を行うメモリセルを設ける。なお、当該トランジスタのオフ電流（リーク電流）の値は、極めて低い。そのため、当該ノードの電位を所望の値に設定後、当該トランジスタをオフ状態とすることで当該電位を一定又はほぼ一定に維持することが可能である。これにより、当該メモリセルにおいて、正確なデータの保持が可能となる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、基板１０と第１絶縁膜１１の間に駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、第２絶縁膜１２とパッシベーション膜１４の間にスイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜６ｅ（５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成される第１の電極と、第１の電極に接して形成される一対の酸化物半導体膜と、一対の酸化物半導体膜に接する第２の電極と、少なくとも第１の電極および一対の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接して、少なくとも一対の酸化物半導体膜の間に形成される第３の電極とを有する半導体装置であり、酸化物半導体膜のドナー密度が１．０×１０^１３／ｃｍ^３以下である場合、酸化物半導体膜の膜厚は、酸化物半導体膜の膜厚横方向の長さに対して厚くすることである。 （もっと読む）

【課題】ＭｇとＩｎとを主成分とする複合酸化物を活性層とし、かつ良好な電界効果移動度を示す電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ゲート電極３、ソース電極４及びドレイン電極５と、ドレイン電極５及びソース電極４が接合された活性層２と、活性層２及びゲート電極３の間にゲート絶縁膜６と、備え、活性層２がＭｇとＩｎとを主成分とする複合酸化物であり、ゲート絶縁膜６がＹ_２Ｏ_３である電界効果トランジスタ１を使用する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】電気特性の優れたトランジスタを作製する。
【解決手段】基板上に酸化物絶縁膜を形成し、該酸化物絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜に含まれる水素を除去させつつ、酸化物絶縁膜に含まれる酸素の一部を脱離させる温度で加熱した後、該加熱された酸化物半導体膜を所定の形状にエッチングして島状の酸化物半導体膜を形成し、島状の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、該一対の電極及び島状の酸化物半導膜上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）