【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつき及び移動度のばらつきを低減する半導体装置の駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子とを有し、トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧と映像信号電圧との和の電圧に応じて容量素子に保持された電荷を、一度トランジスタを介して放電させることで、トランジスタに流れる電流のばらつき、またはトランジスタの移動度のばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い単結晶半導体層及び半導体装置を、少ない作製工程で得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁膜が形成された単結晶半導体基板に、イオンビームを照射し、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、液状ガラスよりも密度の高い液体上に、前記液状ガラスを浮かべて板状にし、前記板状の液状ガラス上に、前記損傷領域が形成された単結晶半導体基板を、前記絶縁膜と前記液状ガラスが向き合うように配置し、前記板状の液状ガラスと前記単結晶半導体基板を徐冷することにより、前記板状の液状ガラスからガラス基板を形成すると同時に、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を接合させ、前記損傷領域に沿って、前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー１０１から分離された基板１０６に貼り合わせた半導体膜１０７に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物１０９、１１２を注入し、その上に単結晶半導体膜１１４を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダブルＬＤＤ構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１には、第１平面１１と、これより高い第２平面１２と、第１平面１１と第２平面１２を接続する段差１３とが形成されている。半導体薄膜２は、第１平面１１に沿った第１領域から、段差１３に沿った中間領域を経て、第２平面１２に沿った第２領域まで連続している。第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗値を効果的に低減することができる構造の窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成された窒化物半導体積層構造部２とを備えている。窒化物半導体積層構造部２は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に積層形成されたｐ型ＧａＮ層４と、ｐ型ＧａＮ層４上に積層形成されたｎ⁺型ＧａＮ層５とを備えている。ｎ⁺型ＧａＮ層５のｐ型不純物濃度は、１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下とされている。ｎ型層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ⁺型ＧａＮ層５は、同一処理室内で、一度も大気中に取り出すことなく、結晶成長させられる。ただし、ｐ型ＧａＮ層４の成長後には、結晶成長を中断し、処理室の内部雰囲気中のｐ型不純物濃度の低下を待って、ｎ⁺型ＧａＮ層５の結晶成長が行われる。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と支持基板との接着不良を低減し、単結晶半導体層と支持基板との接着強度の高いＳＯＩ基板を製造する。
【解決手段】ソースガスを励起してプラズマを生成し、プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、絶縁層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、単結晶半導体基板を加熱することにより、損傷領域において、支持基板に接着された単結晶半導体層と単結晶半導体基板とに分離し、支持基板に接着された単結晶半導体層を押圧する。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路など、電気接続された２つの半導体スイッチによるスイッチング動作を行なうための電気回路において、寄生インダクタンスおよびオン抵抗を抑制することができる構造の半導体素子を提供すること。
【解決手段】この半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成される半導体積層構造部２とを備える。半導体積層構造部２は、ｎ型層５、このｎ型層５の一方側（下面側）に積層されたｐ型層４、およびこのｐ型層４に積層されたｎ型層３からなる縦型ｎｐｎ構造の第１半導体積層構造８と、ｎ型層５をこの第１半導体積層構造８と共有し、ｎ型層５、このｎ型層５の他方側（上面側）に積層されたｐ型層６、およびこのｐ型層６に積層されたｎ型層７からなる縦型ｎｐｎ構造の第２半導体積層構造９とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】より動作特性の高い半導体装置の作製及び半導体集積回路の低消費電力化を課題とする。
【解決手段】同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。このような構成とすることで、チャネルを流れるキャリア移動度が向上し、より動作特性の高い半導体装置を提供できる。また、低電圧で駆動することが可能となり、低消費電力化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を形成することを可能とする半導体基板の作製方法および該半導体基板を用いた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上にバッファ層を間に挟んで貼り合わされ、分離層が形成された単結晶半導体基板に対し、加熱により、分離層又は分離層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層にレーザビームを照射して溶融させることで、単結晶半導体層を再単結晶化させ、再単結晶化された単結晶半導体層を選択的にエッチングして島状に分離し、単結晶半導体層に不純物元素を選択的に添加して、一対の不純物領域と、一対の不純物領域の間にチャネル形成領域と、を形成し、単結晶半導体層を４００℃以上支持基板の歪み点温度以下、且つ単結晶半導体層を溶融させない処理温度で加熱する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、光吸収膜を利用して実行する新たな製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に光吸収膜を堆積し、前記光吸収膜を加工して、第１の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第１領域と、前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第２領域と、前記第２の膜厚よりも薄い第３の膜厚の前記光吸収膜で覆われた第３領域とを形成し、前記基板に光を照射することにより、前記基板をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、データ線６ａ及び走査線１１と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、半導体層１ａと、半導体層より第１の絶縁膜２を介して上層側に配置されると共に遮光性の導電膜を含んでなり、且つ、半導体層のチャネル領域に重なる本体部３ａと、この本体部から半導体層の脇で、半導体層の第２の接合領域１ｃの側へ少なくとも第２の接合領域に隣接するように延設された延設部３１とを有するゲート電極３とを備える。更に、ゲート電極と同一膜からなり、半導体層の画素電極側ソースドレイン領域１ｅと少なくとも部分的に重なると共に画素電極及び画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続された遮光部４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】資源を有効活用でき、スループット良くＳＯＩ基板を製造できる技術を提供する。
【解決手段】イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、半導体ウェーハの一表面から所定の深さの領域に分離層を形成した後、絶縁表面を有する基板の一表面側と、半導体ウェーハの一表面側と、を重ね合わせて接合し、熱処理を行うことにより、分離層又は当該分離層の近傍を分離面として半導体ウェーハを分離させる工程Ａと、該工程Ａで分離された剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】階調付きレジスト膜を高精度に形成する。
【解決手段】露光用マスクは、透明基板（１００）と、この透明基板上に所定の繰り返しパターンである第１パターンで形成された第１パターン部分（１１０ｂ）を有する遮光膜（１１０）と、透明基板上における第１パターン部分が形成された第１パターン領域（Ｒ２）を含む領域に形成され、露光光を透過する透過率が遮光膜より高い半透明膜（１２０）とを備える。 （もっと読む）