【課題】寄生トランジスタの発生を抑制することができ、高性能化を図ることができ、かつゲート絶縁耐圧劣化を抑制することで高信頼性を得ることができる薄膜トランジスタ、その製造方法、半導体装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜を挟んで半導体層とゲート電極とが交差配置された構造を有する薄膜トランジスタであって、上記半導体層は、チャネル部の端部が傾斜しており、上記ゲート絶縁膜は、チャネル部の端部と重なる部分の酸化シリコン換算膜厚が、チャネル部の中央部と重なる部分の酸化シリコン換算膜厚よりも大きい薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】新たなフォトマスクを必要とすることなく配線とソース・ドレイン領域との接触抵抗を低減させることが可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１００ａは、ＴＦＴ基板１０ａ及び対向基板２０ａを有する。ＴＦＴ基板１０ａには、ＴＦＴ素子３０、データ線６ａが形成されている。ＴＦＴ素子３０の高濃度ソース領域１ｄのうちデータ線６ａと接する部位には、チタンシリサイドの層が形成されている。同様に、容量電極３００のうちシールド層用中継層６ａ１と接する部位、及び中継電極７１９のうち第２中継電極６ａ２と接する部位にも、チタンシリサイドの層が形成されている。これにより、接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の回路が形成されているSi層上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に多結晶もしくは非晶質Si層を積層し、これをレーザー照射及び走査により（再）結晶化して、ここに別の半導体素子の回路を形成し、これらの回路を接続する３次元半導体デバイスの製造方法に関する。レーザー（再）結晶化Ｓｉ層の結晶性を改良することにより、現在のICに適した性能を与える。
【解決手段】絶縁膜17,26をCMPにより平坦化する；多結晶又は非晶質Ｓｉ層22,32を積層し、エネルギーが照射面積当たり10J/cm²以上の固体連続波レーザーにより照射・走査行う；その直後にレーザーアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】高性能のトップゲート型ＴＦＴを印刷方式で製造することを可能にする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体薄膜層２を形成するステップと、その上に、ＴＦＴのチャネル領域を画成するギャップ５が形成されたドープトガラスパターン４を印刷するステップと、チャネル領域の上又は上方に、ゲート誘電体膜及びこの上のゲート伝導体３を有するゲート電極を形成するステップと、ドープトガラスパターンから半導体薄膜層にドーパントを拡散させるステップとを含む自己整合トップゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそのような薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜を大粒径の結晶化が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体膜の結晶化領域に、光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を前記非単結晶半導体膜上に設けられた第１の光吸収層を介して照射して前記結晶化領域を結晶化するレーザ照射工程、即ち結晶化工程（Ａ）と、少なくとも結晶化された前記結晶化領域の上に形成された第２の光吸収層にレーザ光もしくはフラッシュランプ光を照射することにより前記結晶化された領域を第２の光吸収層を介して再加熱する再結晶化工程、即ち加熱工程（Ｃ）とを有する。 （もっと読む）

第１の電流電極領域（３２）、第２の電流電極領域（３４）、およびチャネル領域（３７）を含む半導体構造の形成方法であって、チャネル領域（３７）は第１の電流電極領域（３２）と第２の電流電極領域（３４）との間に配置され、チャネル領域（３７）は半導体構造のフィン構造（３６）内に配置され、チャネル領域内のキャリア輸送は概して第１の電流電極領域（３２）と第２の電流電極領域（３４）との間で水平方向に行われる方法。該方法は、第１の接点（６６）を形成することを含み、第１の接点（６６）を形成することは、半導体構造の第１の部分を除去して、第１の電流電極領域（３２）に開口部（５４）を形成すること、開口部に接点材料（６６）を形成することを含む。
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【課題】 高い移動度と移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さいＴＦＴを得ることができる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に設けた４０乃至１００ｎｍの非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する際に、基板表面上で逆ピークパターンを有する光強度分布を形成して、この光強度分布の光強度勾配を制御して、幅より結晶成長方向に長い形状で粒長方向に｛１００｝に優先配向した結晶化粒４を配列させた結晶化粒列を形成し、この結晶化粒列の複数の結晶化粒に跨がり結晶成長方向に電流が流れるようにソース領域およびドレイン領域を設けてＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の酸化物を用いたＴＦＴを有し、安定的に動作する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板１０１上に青、緑、及び赤の光の３原色に対応する青色画素領域ａ１、緑色画素領域ａ３、及び赤色画素領域ａ２を有する画素領域を備える。この画素領域に、ソース電極１０５、ドレイン電極１００、ゲート電極１０４、ゲート絶縁膜１０３、及び活性層１０２を有するＴＦＴ１１と、発光層１０８と、この発光層１０８を挟む下部電極１０７及び対向電極１０９とを有する。活性層１０８は、酸化物で構成される。ドレイン電極１００は、下部電極１０７を介して発光層１０８の一部に電気的に接続される。ＴＦＴ１１は、基板１０１上の青色画素領域ａ１を除く領域、例えば赤色画素領域ａ２に配置される。 （もっと読む）

【課題】表示装置の遮光性及び配向性を同時に改善する。
【解決手段】表示装置は、基板１１上に透明画素電極３１を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。第一の平坦化膜２５が薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に遮光層２７，２８が配されている。第二の平坦化膜２９が遮光層２７，２８の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に画素電極３１が配されている。導電性の遮光層２７，２８を上下から絶縁性の平坦化膜２９，２５で挟み込む構造を採用することで、表示装置の遮光性及び配向性を改善することが可能である。 （もっと読む）

ハロ領域（２０６、３０６）の一部を除去することにより、あるいは、再成長した半導体材料（２１８、３１８）に基づいて続いて形成される延長領域（２０９Ａ）内にハロ領域（２０６）を形成しないようにすることで、しきい値のロールオフ挙動が非常に改善される。
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【課題】ゲート幅方向の各位置における閾値電圧をばらつかせることなく、基板浮遊効果を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１ａとＢＯＸ層１１ｂとＳＯＩ層１１ｃとを有するＳＯＩ基板１１と、ＳＯＩ層１１ｃ上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に形成されたゲート電極１４と、ＳＯＩ層１１ｃにおけるゲート電極１４端下の領域に形成された第１導電型の低濃度領域１５ｂと、ゲート電極１４下であってＳＯＩ層１１ｃにおける低濃度領域１５ｂで挟まれた領域に形成され、低濃度領域１５ｂよりも不純物濃度が高い第１導電型の高濃度領域１５ａと、ＳＯＩ層１１ｃにおける高濃度領域１５ａ及び低濃度領域１５ｂを挟む一対の領域に形成され、第２導電型のソース領域１６ｓ及びドレイン領域１６ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいて、ＴＦＴの下側に遮光層を設ける構成を利用して、効率良く画素部を平坦化する。
【解決手段】液晶パネル（１００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）とを備える。遮光層（３）は、ＴＦＴ（３０）及び容量線（３ｂ）を下側からみて重なるように配置する。遮光層（１１ａ）が形成されている領域においては遮光層上に、且つ遮光層が形成されていない領域においてはＴＦＴアレイ基板上に設けられた第１層間絶縁層（１２、１３）は、ＴＦＴ、容量線等に対向する部分が対向基板の側から見て凹状に窪んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】異なる高さのコンタクト線を有する高密度ＭＯＳＦＥＴ回路を製造するための構造、方法などを提示すること。
【解決手段】このＭＯＳＦＥＴ回路は、コンタクト線（５００、１３００）と、コンタクト線（５００、１３００）の近くに位置するゲート（３１０、１２１０）とを含む。コンタクト線（５００、１３００）は、ゲート（３１０、１２１０）の高さよりも低い高さを含む。このＭＯＳＦＥＴ回路はさらに、ゲート（３１０、１２１０）の近くに位置するゲート・スペーサ（７１０、７１５、１６１０、１６１５）を含み、コンタクト線（５００、１３００）とゲート（３１０、１２１０）との間のコンタクト線（５００、１３００）の近くに位置するコンタクト線スペーサを含まない。 （もっと読む）

炭素ドープされたエピタキシャル半導体薄膜（３０）の堆積方法であって、露出した単結晶物質（２０）を有するパターニングされた基板（１０）を収容するプロセスチャンバ（１２２）内を、約７００ｔｏｒｒより高い圧力に維持するステップを含む。前記方法はさらに、プロセスチャンバ（１２２）に、シリコンソースガスのフローを供給するステップを含む。前記シリコンソースガスはジクロロシランを含む。前記方法はさらに、プロセスチャンバ（１２２）に、炭素前駆物質（１３２）のフローを供給するステップを含む。前記方法はさらに、露出した単結晶物質（２０）上に、炭素ドープされたエピタキシャル半導体薄膜（３０）を選択的に堆積するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｆｉｎ型トランジスタの金属ゲート電極を高抵抗化させることなく、トランジスタを正常に動作させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体材料から成り、上面が保護膜４０で被覆されたＦｉｎ３０を絶縁層２０上に形成し、Ｆｉｎの側面にゲート絶縁膜５０を形成し、Ｆｉｎを被覆するようにゲート電極材料６０を堆積し、ゲート電極材料を平坦化し、ゲート電極材料を加工することによってゲート電極６２を形成し、ゲート電極を被覆するように層間絶縁膜９０を堆積し、ゲート電極の上面を露出させ、ゲート電極の上面上に金属１１０を堆積し、ゲート電極と金属とを反応させることによってゲート電極をシリサイド化し、金属のうち未反応の金属を除去することによって、保護膜の上面上に溝１１５が形成され、溝に導電体１２０を充填することを具備する。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも１つのｅヒューズを含む半導体構造体と標準的な半導体技術との統合が容易であり、よって実施コストが最小になる製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（バルク又は半導体オン・インシュレータ）内に配置されたトレンチ内に埋め込まれた少なくとも１つのｅヒューズを含む半導体構造体が提供される。本発明によると、ｅヒューズは、半導体基板内に配置されたドーパント領域と電気接触した状態にある。本発明はまた、埋め込まれたｅヒューズが、トレンチ分離領域とほぼ同時に形成される半導体構造体を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子間の電気的な分離を向上しつつ、素子形成領域の縮小及び駆動能力の向上が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１から電気的に分離されると共に、ゲート幅方向に配列する複数の島状領域１０ａに分断された素子形成領域１０Ａと、複数の島状領域１０ａに跨るように形成されたゲート電極１５ａ及び１５ｂと、島状領域１０ａ上部に形成されたｐ型ボディ領域１７と、ｐ型ボディ領域１７上部に形成されたソース領域１８ｓ及びボディ引上げ領域１９と、島状領域１０ａ上部に形成されたドレイン領域１８ｄと、複数のドレイン領域１８ｄ又は複数のソース領域１８ｓ及びボディ引上げ領域１９と電気的に接続されたコンタクト内配線２２及びメタル配線２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】位相変調されたエキシマレーザーによる結晶化法において、半導体膜の結晶化を容易にする。
【解決手段】絶縁基板（３１）上に形成された半導体薄膜（３２）を結晶化する方法であって、入射されたコヒーレント光の位相分布を変更する位相シフタ部（３３、３４、３５’）を前記半導体薄膜上に形成する工程と、前記半導体薄膜にコヒーレント光を照射し、前記半導体薄膜（３２）に前記位相シフタ部に対応する温度分布を形成して、前記半導体薄膜の少なくとも一部を溶融する工程と前記コヒーレント光の照射を中止して前記溶融部の温度を低下させ、溶融された半導体を結晶化する工程とを有する方法。 （もっと読む）

【課題】基板上にトランジスタ等の半導体素子とセンサーとを作り込んで設ける場合に、同一工程で作製することにより得られる半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】同一基板上に、互いに接する第１の領域および第２の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソースまたはドレイン領域として機能する第３の領域とを有する第２の半導体膜と、第１の半導体膜および第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ且つ第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜と、第２の領域と電気的に接続する第２の導電膜とを設け、第１の領域、第２の領域および第３の領域に不純物元素を第１の領域と第２の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なるように導入する。 （もっと読む）