１つの実施形態は、単結晶膜を選択的に堆積するための方法を提供する。この方法は、第１の表面形態を有する第１の表面およびこの第１の表面形態とは異なる第２の表面形態を有する第２の表面を含む基体を準備する工程を含む。シリコン前駆体［１０８］およびＢＣｌ_３［１３４］は相互混合され、これにより供給ガスが形成される。この供給ガスは、化学気相成長条件［１２２］下でこの基体へ導入される。Ｓｉ含有層は、供給ガス［１２０］を導入することにより、第２の表面上に堆積することなく、第１の表面上に選択的に堆積される。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素を構成する電界効果トランジスタの高性能化を実現し、且つ電界効果トランジスタの微細加工技術に依拠することなく、画素内の電界効果トランジスタ数を増やしても電界効果トランジスタ数の増加に伴い低下した画素の開口率を向上及び画素に占める電界効果トランジスタの面積の削減を図ることのできる表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層を有する電界効果トランジスタが、平坦化層を層間に設けて複数積層された画素を複数具備する表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の単結晶半導体基板を複数用意する。各単結晶半導体基板に、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域を形成し、各単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層が形成された複数の単結晶基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、効率のよい半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、不純物元素を含有するような大面積基板を用いる場合において、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置の大面積化及び作製効率の向上を可能とするために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、ＳＯＩ基板を作製する。具体的には、複数の半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。ここで、トレイには単結晶半導体基板を保持するための凹部が設けられている。また、作製した半導体素子の特性に影響を与える不純物元素に対してバリア層として機能する絶縁層を設けることにより、半導体素子の特性の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】面状、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射して、半導体基板の主表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、半導体基板の主表面とベース基板の一主表面とを対向させ、絶縁膜の表面とベース基板とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、第２のイオンの質量数を第１のイオンの質量数と同一又は第１のイオンの質量数より大きくする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面に窒素含有層を形成し、窒素含有層を介して半導体基板の所定の深さにイオンを添加して剥離層を形成し、窒素含有層上に絶縁層を形成し、絶縁層の表面とベース基板の表面とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、イオンの添加は、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射しながら、半導体基板をイオンビームの短尺方向に相対的に移動させて行う。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】半導体膜を形成し、前記半導体膜に、一導電性を有する不純物元素を添加して、前記半導体膜中に、不純物領域、及び、チャネル形成領域を形成し、前記島状半導体上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、前記半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を覆って、フッ素を含む絶縁膜を形成し、前記半導体膜、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱し、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱した後に、前記フッ素を含む絶縁膜上に、前記不純物領域に電気的に接続される配線を形成する半導体装置の作製方法に関するものである。前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】大面積化を可能とし、生産性を向上させることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】複数の単結晶半導体基板を配列させた後、配列されたままの状態の複数の単結晶半導体基板に一のベース基板を重ね合わせることで、一のベース基板と該複数の単結晶半導体基板とを貼り合わせる。そして、複数の各単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成する。なお、複数の単結晶半導体基板を配列させて一時的に収容するための容器（トレイ）を用意し、複数の単結晶半導体基板をトレイ内に配列させたまま、上記貼り合わせを行う。次に、複数の単結晶半導体層内に存在する結晶欠陥を低減させるために、複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射するが、レーザビームの照射前或いは照射後に、複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化する。 （もっと読む）

【課題】大型化されたガラス基板等の絶縁表面を有する基板上にＳＯＩ技術を用いて大面積の単結晶半導体膜を形成する際に、複数のシリコンウエハーを用いた場合でも複数の単結晶半導体膜に隙間を生じることなく大面積の単結晶半導体膜を形成するＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】固定基板１０２上に第１のシード基板１０４を配置し、第１のシード基板１０４上に複数の単結晶半導体基板１１３を敷き詰めて並べることにより構成された第２のシード基板を配置し、イオン注入剥離法とエピタキシャル成長法を用いて、連続した大面積の単結晶半導体膜を形成した後、再びイオン注入剥離法により、大型のガラス基板１１６上に大面積の単結晶半導体膜１１７を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を低減された膜を有する半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。さらには、歩留まり高い半導体装置の作製方法を提案する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、プラズマＣＶＤ装置を用いて絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法において、当該絶縁膜の不純物を含まない膜でプラズマＣＶＤ装置の反応室の内壁をコーティングした後、反応室に基板を挿入し、基板上に上記絶縁膜を成膜することにより、不純物を低減した絶縁膜を基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属触媒を利用して結晶化した半導体層において、半導体層のチャネル領域内に残存する金属触媒をゲッタリングして半導体層のチャネル領域に残存する金属触媒の量を減少させて電気的特性が優れた薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置して、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層上に位置するゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び半導体層のソース／ドレイン領域の一定領域を露出させるコンタクトホールを介して半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、コンタクトホール下部の半導体層領域内には半導体層の表面から一定深さまで金属触媒とは異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に位置し、チャネル領域１６２、ソース領域１６１、およびドレイン領域１６３を含む半導体層１６０と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜１７０を介し対向して設けられたゲート電極２１０と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極２４０ａおよびドレイン電極２４０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上にソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物が注入された半導体膜１０９を形成し、その上にＳＯＩ技術を用いて単結晶半導体膜を接合して得られる積層の半導体膜２０４を用いてチャネル形成領域を形成することにより、半導体装置におけるパンチスルー電流を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）に配列された複数の画素電極（９ａ）と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタ（３０）とを備える。薄膜トランジスタの半導体層（１ａ）は、チャネル領域（１ａ´）を中央にソース領域（１ｄ）及びドレイン領域（１ｅ）間で長手状に延び、薄膜トランジスタのゲート電極（３１ａ）は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って突出する突出部（３２ａ）を有する。該突出部は、その根元側におけるチャネル領域とソース又はドレイン領域との間にある接合領域（１ｃ）との第１距離（α）よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第２距離（β）の方が、短くなる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）