【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板やプラスチックなど可撓性を有する基板を用いた場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ層を備えたＳＯＩ基板を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた薄型の半導体装置を歩留まり高く作製することを提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有し且つ絶縁表面を有する基板に、単結晶半導体基板を接合し、単結晶半導体基板を剥離してＳＯＩ基板を作製するに際し、接合面の一方若しくは双方を活性化した後、可撓性を有し且つ絶縁表面を有する基板と、単結晶半導体基板とを圧着する。 （もっと読む）

【課題】熱処理において、基板の反りを抑制し、基板の局部的な温度変化によって生じる品質不良を抑制することを目的の一とする。
【解決手段】処理室と、処理室内に設けられた支持台と、支持台上に設けられ、被処理基板を支持する複数の支持体と、被処理基板を加熱する加熱手段とを設け、支持台に支持体を脱着可能な固定部を複数設け、複数の支持体を複数の固定部に選択的に取り付けることにより、複数の支持体の位置を可変可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、信頼性を向上させると共に、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）若しくはその延在部、並びに画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）若しくはその延在部を有する半導体層（１ａ）と、半導体層上に形成された開口を有するストッパ膜（２００）と、層間絶縁膜（２０２、４１、４２）とを備える。データ線は、第１コンタクトホール（８１）を介して第１接続領域に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第１導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】支持基板１０ｄに電界効果型トランジスタ３０が形成された半導体装置１０ｓにおいて、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、下層側絶縁膜７１、平坦化膜７４および上層側絶縁膜７５が順に形成されている。平坦化膜７４は導電膜からなり、導電パターン９ｓと電界効果型トランジスタ３０とを電気的に接続するためのコンタクト部７０では、平坦化膜７４に第１コンタクトホール７４ａが形成され、かかる第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する第２コンタクトホール７５ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細化しても、信号量が大きく、コンタクトによる端子間のショートを回避し、寄生抵抗を低くした半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１方向に延伸するビット線と、第２方向に延伸するワード線と、第１方向に沿った断面においてＵ状の半導体層と、半導体層の上部に設けられた第１拡散層と、半導体層の下部に設けられた第２拡散層と、第１拡散層と第２拡散層との間にある半導体層の中間部に形成されたボディと、Ｕ状半導体層の外側面に面する第１ゲート電極と、Ｕ状半導体層の内側面に面する第２ゲート電極と、ビット線コンタクトと、ソース線コンタクトとを備え、第１方向に隣接するメモリセルは、ビット線コンタクトおよびソース線コンタクトを交互に共有している。 （もっと読む）

【課題】粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らすことにより、電流特性と電子の移動度を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、金属誘導結晶化方法によって非晶質シリコン薄膜を結晶化薄膜２０ｂに結晶化する過程で、熱処理条件と金属触媒のドーピング量を最適化することにより粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らし、多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面にＯ₂ガスまたはＨ₂Ｏ蒸気を供給して多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面に不動態膜３０ａを形成し、それにより、電流特性と電子の移動度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】積層体中の被剥離体に損傷を与えず、短時間で被剥離体を転写体への転写する方法の提供を課題とする。また、基板上に作製した半導体素子を、転写体、代表的にはプラスチック基板に転写する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層と被剥離体を形成し、両面テープを介して被剥離体と支持体を接着し、剥離層と被剥離体を物理的手段によって剥離した後被剥離体を転写体に接着し、被剥離体から支持体と両面テープを剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部を有するゲート絶縁膜や層間絶縁膜を形成する際に有利な形状を有する薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイは、基板、ゲート電極、ゲート配線、ゲート絶縁膜、ソース電極、ソース配線、ドレイン電極、画素電極、半導体、開口部を有する層間絶縁膜、キャパシタ電極、キャパシタ配線及び上部画素電極を備えている。層間絶縁膜の開口部は、複数の画素電極にまたがるストライプ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく、１枚のマザーガラス基板上に所望の部分にそれぞれ精密に配線の側面の角度を異ならせた配線を提供することを課題とする。
【解決手段】多階調マスクを用いることで１つのフォトレジスト層を１枚のマザーガラス基板から遠ざかる方向に向かって断面積が連続的に減少するテーパ形状を有するフォトレジスト層を形成する。１本の配線を形成する際、１枚のフォトマスクを用い、金属膜を選択的にエッチングすることで、場所によって側面形状（具体的には基板主平面に対する角度）が異なる１本の配線を得る。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加や前後のプロセスへの影響を抑えて、ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ、ｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴのそれぞれに適する応力を付与することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板ｗと、半導体基板ｗに形成されたソース領域１２ａおよびドレイン領域１３ａと、半導体基板ｗ上のソース領域１２ａ、ドレイン領域１３ａ間に形成されたゲート電極１６と、半導体基板ｗおよびゲート電極１６上に形成された層間膜１８と、層間膜１８に埋め込み形成され、引張または圧縮応力を有する金属または金属化合物を含む膜２２ａ、２２ｂを有し、半導体基板ｗおよびゲート電極１６と離間するように形成されたダミーフローティングパターン２２を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン領域の占有面積が小さい半導体装置およびそれを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、素子分離領域と活性領域を有する半導体装置であって、活性領域とゲート酸化膜が接する第１の面より上に、ソース領域およびドレイン領域の一部が存在し、該ソース領域および／または該ドレイン領域と、該ソース領域および／または該ドレイン領域に電気的に接続される電極とが接する第２の面が、該第１の面に対して傾いている。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンとの密着性を考慮した上で、ソース電極及びドレイン電極の断線を防止する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、薄膜トランジスタ１０１をアレイ状に配置した素子領域１０２を有するＴＦＴアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、薄膜トランジスタ１０１の上部に設けられ、コンタクトホールＣＨ１が形成されたパッシベーション膜８と、コンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続するフォトダイオード１００とを備え、ＴＦＴアレイ基板の素子領域の外側の周辺領域１０３では、パッシベーション膜８及びゲート絶縁膜３が除去され、周辺領域１０３のパッシベーション膜８のエッヂは、基板周辺のゲート絶縁膜３のエッヂと同じ位置、又はゲート絶縁膜３のエッヂより外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一層からなるパターン膜の側面部から不要な他の膜残渣を確実に除去する。
【解決手段】基板上に形成され、側面部を有すると共に単一層からなるパターン膜を備え、側面部は、基板の表面に対して複数の傾斜角度を有するように形成され、又は段差状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、実質的に酸素欠損がなく電気的特性が安定なシリコン酸化膜を提供することである。
【解決手段】 ガスプラズマ状態を形成するチャンバー内にターゲット材料とシリコン酸化膜を堆積する基板を設置し、該チャンバーに導入するガスとしてオゾンガスを含む導入ガスを用いることを特徴とするスパッタによるシリコン酸化膜の堆積方法である。 （もっと読む）

【課題】信頼性向上、歩留まり向上が可能で、かつ品質向上につながる半導体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質の半導体薄膜を形成する工程（ｓｔｅｐ１）と、自然酸化膜を除去する工程（Ｓｔｅｐ２）と、紫外線照射によって生成するオゾン又は／及び酸素ラジカルにより表面酸化処理を行う工程（Ｓｔｅｐ３）と、結晶粒界が略等間隔で、かつ格子状の周期構造を有する多結晶化された半導体薄膜を得るレーザーアニール工程（Ｓｔｅｐ４）とを備え、レーザーアニール工程において、表面酸化処理を行う工程を経ずに、自然酸化膜を除去する工程後、直ちにレーザーアニールを行うことにより多結晶化された半導体薄膜を得る場合のレーザー光の最適エネルギー密度に対して、所定のエネルギー密度だけ低いエネルギー密度にてレーザー光照射を行う。 （もっと読む）