【課題】フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】当該アレイ基板の製造方法は、基板にゲート・ラインとゲート電極パターンを形成するステップと、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、ＴＦＴチャネル領域パターンとを形成し、フォトレジストを残し、パッシべーション層を堆積し、剥離工程によってフォトレジスト及びその上のパッシべーション層を除去するステップと、フォトレジストを塗布し、フォトレジストに山状の縁部のバリを形成し、透明導電薄膜を堆積し、剥離工程によってドレイン電極に直接に接続する画素電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】微細な開口を有する層間絶縁膜を形成するためのスクリーン版を提供する。
【解決手段】二次元的に配列された開口パターンをスクリーン印刷により印刷するためのスクリーン版において、スクリーン版の印刷方向に平行な一辺又は二辺の縁部に沿って所定のパターンが単数又は複数配列されているダミー印刷領域と、ダミー印刷領域よりも中心側に帯状に形成されている全面印刷を行うための全面印刷領域と、全面印刷領域よりも中心側に形成された前記開口パターンが二次元的に形成されている印刷領域とを有することを特徴とするスクリーン印刷を行うためのスクリーン版を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】チャネル層の厚さを１０ｎｍ程度以下とした酸化物ＴＦＴにおいて、チャネル層とソース電極との間やチャネル層とドレイン電極との間のコンタクト抵抗を低減して高速で動作することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物ＴＦＴのオフ状態において完全空乏化状態を実現できるように形成する。そして、チャネル層ＣＨＮとソース電極ＳＴの間にコンタクト層ＣＴＳを形成し、チャネル層ＣＨＮとドレイン電極ＤＴとの間にコンタクト層ＣＴＤを形成する。さらに、ゲート電極ＧＴとチャネル層ＣＨＮとの間のゲート絶縁膜容量をＣｇｉ、ゲート電極ＧＴ以外の構造物とチャネル層ＣＨＮとの間の寄生容量の総和をＣｐとしたとき、Ｃｇｉに対するＣｐの割合Ｃｐ／Ｃｇｉが０．７よりも小さくなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタクト抵抗の安定性を確保して、コンタクト抵抗にばらつきを抑えることを可能にする。
【解決手段】基板１１のシリコン領域１２上に第１金属シリサイド層１３を形成する工程と、前記基板１１上に前記第１金属シリサイド層１３を被覆する絶縁膜１４を形成する工程と、前記絶縁膜１４に前記第１金属シリサイド層１３に通じるコンタクトホール１５を形成する工程と、前記コンタクトホール１５の内面および前記絶縁膜１４上にシリサイド化される第２金属層１６を形成する工程と、前記第２金属層１６と前記コンタクトホール１５の底部のシリコンとを反応させて前記第１金属シリサイド層１３上に第２金属シリサイド層１７を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】内層配線が薄くても内層配線とビアとの間の優れた電気伝導性を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１層と第２層との間に介在した所定の厚みの第１金属層と、前記第２層の表層に配置された第２金属層と、前記第１金属層、前記第１層及び前記第２層を貫通するビアホールと該ビアホールに形成された導電性組成物とからなるビアと、を具備し、前記ビアホールの外周に沿った第１金属層の端部は前記ビアホールの側面に接するように折れ曲がった形状であり、前記第１金属層の折れ曲がった表面で前記導電性組成物に導通している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線の凹凸やコンタクト不良を大幅に低減した配線の作製方法を用いることによって半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】層間絶縁膜２０７に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル２０８から導電性組成物が分散された液滴２０９を滴下し配線２１０を形成する。さらに、加熱処理を行うことで配線２１０をリフローする。これにより、配線表面を平坦化し、且つ配線のコンタクト不良を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを埋める工程を利用して、隣接する画素電極の間に発生する凹部を平坦化した電気光学装置、その製造方法、およびかかる電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａは、下層側に島状に形成された第１電極９１ａと、第１電極９１ａ上に島状に形成された上層側の第２電極９２ａとによって構成されている。第１電極９１ａの上層には絶縁膜７３が積層され、かかる絶縁膜７３によって、コンタクトホール７２ｂ内の凹部は完全に埋められ、隣接する第１電極９１ａの間も埋められている。従って、絶縁膜７３の表面と、第１電極９１ａにおいて絶縁膜７３から露出している表面とは連続した平坦面を構成しており、かかる平坦面上に第２電極７２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜にコンタクトホール有する回路基板を安価に提供する。
【解決手段】多層配線からなる回路基板であって、層間絶縁膜を介し下部電極と上部電極とが接続されるコンタクトホールがマトリックス状に二次元的に配列されている回路基板の形成方法において、二次元的に配列されている所定の形状のペースト吐出領域を有するスクリーン版であって、スクリーン版において近接する３つ以上のペースト吐出領域から吐出した絶縁ペースト同士がダレにより二次元的に接合することによりコンタクトホールが形成されるように印刷を行う印刷工程と、印刷された絶縁ペーストを硬化させる硬化工程とを含むことを特徴とする回路基板の形成方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】特別な構造体を必要とせずに画素電極からなる凹凸反射面が設けられた反射型の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板３上に設けられた薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で基板３上に設けられた凹凸表面を有する下地絶縁膜１７と、下地絶縁膜１７の凹凸表面を覆う反射膜からなり下地絶縁膜１７に形成された接続孔１７ａを介して薄膜トランジスタＴｒに接続された画素電極１９とを備えた反射型の表示装置１-1において、基板３と下地絶縁膜１７との間には、下地絶縁膜１７の凹凸表面に対応してパターニングされた絶縁性の隔壁層１３が設けられている。隔壁層１３には、薄膜トランジスタＴｒのチャネル部に対応する位置に第１開口１３ａが設けられると共に、接続孔１７ａに対応する位置に第２開口１３ｂが設けられ、第１開口１３ａ底部には、薄膜トランジスタＴｒの活性層を構成するチャネル部半導体層１５ｃｈが設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子と、半導体素子上の絶縁膜と、絶縁膜中に、欠陥の多い領域と欠陥の少ない領域とを有し、欠陥の多い領域は、金属元素が拡散され、絶縁膜の表面の一部と裏面の一部をつなぐ導電領域である半導体装置、及び、基板上に半導体素子を形成し、半導体素子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、半導体素子と電気的に接続された第１の導電膜を形成し、絶縁膜中にイオンを添加して、あるいはレーザビームを照射して、欠陥の多い領域を形成し、欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、欠陥の多い領域に、金属元素を拡散させ、絶縁膜中に、第１の導電膜と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を支持基板上に形成する半導体基板の作製方法において、単結晶半導体基板を貼り合せた後、再生し、効率的かつ経済的な活用を図る方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の第一の面に、保護層となる引っ張り応力の導電性薄膜を形成し、第二の面が凸型に反るようにする。次いで、単結晶半導体基板の第二の面にイオン種を注入し所定の深さの領域に脆化層を形成する。次いで、単結晶半導体基板と支持基板と接合し、単結晶半導体基板の加熱によって、単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を支持基板上に固定して、半導体基板を作製する。一方、半導体層が分離された単結晶半導体基板の第二の面に再生処理を施す。該再生処理は、熱酸化処理にて酸化膜を形成し、該酸化膜をフッ酸等で除去処理を行う。このとき第一の面の膜は保護膜が形成されているため減ることはない。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタが用いられた有機半導体素子であって、簡易な工程で製造可能であり、表示装置に用いられた場合に高精細な画像を優れた品質で表示することが可能な有機半導体素子を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁性フィルムと、上記絶縁性フィルム上に形成された有機トランジスタと、上記絶縁性フィルムの上記有機トランジスタが形成された面とは反対側の面上に形成された表示電極とを有し、上記表示電極と、上記有機トランジスタとが上記絶縁性フィルムの貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶半導体基板をガラスを例とする大判支持基板に貼り合わせを行う際に、効果的な位置あわせ方法を提案する。また、同工程の際に、貼り合わせ界面の異物の付着を低減する方法を提案する。
【解決手段】複数の単結晶半導体基板を、対応するトレイに基板表面を鉛直下向きとして配置し、大判支持基板を該基板の表面を鉛直上向きとして配置する。次に単結晶半導体基板をトレイから離間し、単結晶半導体基板の側面を支持しつつ該基板の一部に圧力を加え、単結晶半導体基板と大判支持基板の表面との貼り合わせを行なう。またこのような処理に必要な、単結晶半導体基板の背面を持着し該基板表面を鉛直下向きにして保持し、該基板の側面部を支持するステージと、大判支持基板の表面を鉛直上向きにして持着するステージと、を近接させ、単結晶半導体基板の背面の一部に圧力を加える圧力付加機構とを有する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に、単結晶半導体層を多層構造とした、多層集積回路を形成する場合の、工程数の簡略化を図る。また同歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板面内の半導体素子の半導体接合界面領域は、支持基板側から、すなわち基板の素子が形成されていない面からレーザを直接照射し加熱することができるよう配置される。１層目の半導体素子層、２層目の半導体素子層が形成された後、支持基板側からレーザを照射することで、１層目の半導体素子層及び２層目の半導体素子層の、半導体接合界面領域の活性化を同時に行う。支持基板と前記半導体素子層との間の層は光透過性とし、レーザを減衰しない構造とする。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。
【解決手段】膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３０）を形成する。最初に、標準厚さの基板（１８）から半導体膜層（３６）を形成し、次いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディングされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、膜中の複数の層に相互接続部を形成する。１つのそのような膜に複数のダイを接続することができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。 （もっと読む）

【課題】フィンの数に応じた電流比で電流を流す場合に、その電流比の精度を向上させる。
【解決手段】第１のｆｉｎＦＥＴ１００と、第２のｆｉｎＦＥＴ２００と、第３のｆｉｎＦＥＴ３００とについて、ドレイン電流の値に応じてフィンの数を増加させるが、第１のｆｉｎＦＥＴ１００と、第２のｆｉｎＦＥＴ２００と、第３のｆｉｎＦＥＴ３００とのそれぞれにおいて、一対のソース・ドレイン領域に接続させるコンタクトを同一の数にする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）