【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低いながらも接触特性が良い接触部を含み、優れた接触特性を有する接触部を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、ゲート線と、ゲート絶縁層と、半導体層と、データ線と、前記データ線と分離されているドレーン電極と、前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第１接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第２接触孔、前記データ線の一部を露出する第３接触孔を有する保護膜と、前記第１接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、前記第２接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、前記第３接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚膜レジスト部２１と厚膜レジスト部よりも厚みの薄い薄膜レジスト部２２と、開口部２３とからなる膜厚差を有するパターンのレジスト層２０を設け、レジスト層２０の開口部の絶縁膜のエッチングと、レジスト層２０の薄膜レジスト部２２の除去と、薄膜レジスト部２２の下層の絶縁膜のエッチングとを同じエッチング工程で行うことにより、ゲートコンタクトホール８及びシリコンコンタクトホール９を共に形成してＴＦＴ基板１を製造した。 （もっと読む）

【課題】工程数の低減が可能な電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上方に、第１導電性膜を形成する工程と、第１導電性膜上に、第１導電性膜を露出する第１凹部(C2)と、平面視において第１凹部を取り囲むよう配置された第２凹部(G2)と、を有する層間絶縁膜(R1,R2)を形成する工程と、第２凹部の底面をエッチングし、第２凹部より大きい開口部を有する第３凹部(G3)を形成することにより、第２凹部の下方にオーバーハング部(OH)を形成する工程と、第１、第２および第３凹部内を含む前記層間絶縁膜上に第２導電性膜を堆積することにより、第１導電性膜と電気的に接続され、第２導電性膜よりなる画素電極を形成するとともに、第３凹部(G3)によって画素電極(PE)とその外周の第２導電性膜(30b)とを電気的に分離する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】逆阻止能力を有し、低オン抵抗で高速スイッチング特性を有する素子を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成されたバッファ層１０２，１０３と、バッファ層１０２、１０３上に形成された窒化ガリウム半導体層１０４と、シリコン基板１０１の裏面からシリコン基板１０１ならびにバッファ層１０２、１０３を貫通して窒化ガリウム半導体層１０４に達する深さで形成されたトレンチ溝１１２と、このトレンチ溝１１２の中に形成された金属膜１１３と、を備え、金属膜１１３と窒化ガリウム半導体層１０４とがショットキー接合を形成する逆耐圧を有する窒化ガリウム半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いることなく導電層間を接続することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に第１導電層と層間絶縁膜と第２導電層とを順に積層形成する導電層工程と、前記第２導電層の表面から物理的加工を施すことで、前記第２導電層と前記層間絶縁膜とを貫通して前記第１導電層に達する凹部を形成するコンタクトホール形成工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造およびトップゲート構造の双方の特長を兼ね備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。素子基板１０を製造する際、諧調露光により形成したレジストマスクと、かかるレジストマスクに対するエッチバックを利用して、高濃度不純物の導入、半導体膜のパターニングと、ゲート絶縁膜２ａと同層の層間絶縁膜のコンタクトホールを形成すべき領域からの半導体膜の除去、および低濃度不純物の導入とを行なう。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するため
の遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮
光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オ
ーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること
。
【解決手段】本発明の液晶表示パネル１は、遮光膜１１がＭｏからなり、かつ、遮光膜１
１と上層金属配線との電気的接続が、バッファ絶縁膜１２とゲート絶縁膜１４を貫通する
第１コンタクトホール２７を経て遮光膜１１と電気的に接続されていると共に層間絶縁膜
１６に被覆された第１導電部材２５と、層間絶縁膜１６を貫通する第２コンタクトホール
２８を経て層間絶縁膜１６の表面の金属配線と電気的に接続された第２導電部材２６と、
を経て行われている。 （もっと読む）

【課題】配線を高精細化しても断線が生じ難い、信頼性の高い配線回路を実現する。
【解決手段】配線構造１は、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃが配された基板９上に配される半導体層１０と、ゲート電極１７・１７ｂ・１７ｃ及び半導体層１０が配された基板９上に配された第２層間絶縁膜１３と、第２層間絶縁膜１３上に配される配線１８とを備え、第２層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホール１５内で、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続され、第２層間絶縁膜１３は感光性樹脂材料からなり、さらに、コンタクトホール１５内には導電性微粒子１６が充填されており、導電性微粒子１６によって、半導体層１０と、配線１８とが電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 製造に際し、当初、耐熱性の高い仮基板を用い、最終的に、耐熱性の低いフィルム基板を用い、仮基板を除去し、これにより得られた薄膜トランジスタパネルにおいて、画素電極（薄膜）が破損しにくいようにする。
【解決手段】 仮基板５１上に形成された分離層５２上に画素電極２を形成する。この場合、画素電極２下以外の領域における分離層５２が膜減りしたとしても、その上に下地絶縁膜１を形成し、仮基板５１および分離層５２を除去すると、下地絶縁膜１の下面に平板状の画素電極２が凹んだ状態で埋め込まれることになるので、画素電極２が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の厚みを適当な範囲に制御することによって、大きいドレイン電流を有するとともに、所望の電気的特性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面１ａを有するガラス基板１と、主表面１ａ上に設けられ、チャネル領域１１と、チャネル領域１１の両側に位置するソース領域９およびドレイン領域１３とが形成されたポリシリコン膜７と、ポリシリコン膜７に接触するように設けられたゲート絶縁膜１７と、ゲート絶縁膜１７を介してチャネル領域１１に向い合う位置に設けられたゲート電極２１とを備える。ポリシリコン膜７は、５０ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の厚みを有する。ソース領域９およびドレイン領域１３は、ポリシリコン膜７の頂面７ａからポリシリコン膜７の底面７ｃにまで達して形成されている。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）

【課題】工数の増加を伴うことなく、寄生容量を抑制できるとともに、高開口率および高透過率を示すアクティブ素子基板の製造方法を実現する。
【解決手段】画素ＴＦＴ７および信号配線上に、コンタクトホール９ａ・１０ａを有する透明な絶縁層９・１０を形成する工程を備え、該工程は、画素ＴＦＴ７および信号配線を覆うように、感光性を有さない第１の絶縁層９を形成する工程と、第１の絶縁層９を覆うように、感光性を有する第２の絶縁層１０を形成する工程と、第２の絶縁層１０を露光および現像により、パターニングする工程と、第２の絶縁層１０をマスクとして上記第１の絶縁層９をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層にダメージを与えず、デバイス特性を低下させることのない保護膜を形成した有機半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１は、基板２を有し、基板２の上面にはゲート電極３が設けられている。ゲート電極３の上面及び基板２の上面にはゲート絶縁層４が設けられている。ゲート絶縁層４の上面には、ソース電極７とドレイン電極８が離間して設けられている。ソース電極７とドレイン電極８に挟まれるゲート絶縁層４の上面には有機半導体層６が設けられている。有機半導体層６、ソース電極７、ドレイン電極８及びゲート絶縁層４の上面には下側からフッ素樹脂層１１、水溶性樹脂層１２、ガラスコーティング層１３の３層構造の保護膜１０が設けられている。保護膜１０の上面には画素電極２１が形成されており、この画素電極２１は、コンタクトホール３１により、ソース電極７と導通している。 （もっと読む）

【課題】静電気による薄膜トランジスタの破壊を防止することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
複数本のドレイン線と、前記ドレイン線と交差する複数本のゲート線と、複数の薄膜トランジスタを有し、前記ドレイン線及び前記ゲート線に駆動信号を供給する駆動部と、該駆動部に外部から制御信号を入力する電極端子とを備え、前記ドレイン線と前記ゲート線とに囲まれた領域を画素の領域とする表示装置の製造方法であって、前記駆動部の複数の薄膜トランジスタを形成する際に、前記画素の集合体である表示領域の外側領域に、前記複数の薄膜トランジスタを相互に接続し前記駆動信号の生成動作をさせる第１の配線と同一層の配線であり、かつ前記第１の配線とは異なる第２の配線を形成し、少なくとも一対の薄膜トランジスタを接続する工程と、前記薄膜トランジスタの形成後に、前記表示領域の外側領域において、前記第２の配線の切断する工程とを有する表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有するＣＭＯＳトランジスタにおいて、ＣＭＯＳトランジスタのチャネル領域に応力を印加する構造の製造方法の提供。
【解決手段】単結晶のシリコン基板１１の表面に素子分離領域１３Ｉにより画成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタ１０Ａが形成された第１の素子領域１３ＡとｐチャネルＭＯＳトランジスタ１０Ｂが形成された第２の素子領域１３Ｂとを含む単結晶シリコンの活性層１３を形成し、シリコン基板と活性層との間に形成されたシリコン酸化膜を有し、シリコン酸化膜は第１の素子領域の下および第２の素子領域の下に連続して延在し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシリコン酸化膜は最大の膜厚を有し、ゲート長方向に向かって膜厚を減少させ、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシリコン酸化膜は最小またはゼロの膜厚を有し、チャネル領域から、ゲート長方向に向かって膜厚を増大させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。
【解決手段】基板１０の表面側に形成された拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎと、前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎの表面に形成されていて前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎよりも抵抗が低い低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎと、前記基板１０の裏面側より前記基板１０を貫通して前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎを通して前記低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎに接続された裏面コンタクト電極６３Ｐ、６４Ｐ、６３Ｎ、６４Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）