【課題】動作速度の向上と面積の縮小を図る。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１００と、前記半導体基板上に形成され、データを記憶する複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイ部Ａと、前記メモリセルアレイ部上に絶縁層を介して形成され、かつ、前記絶縁層および前記メモリセルアレイ部を貫通する孔１０６内に形成されて前記半導体基板に接続された単結晶半導体層１０９と、前記単結晶半導体層上に形成された回路部Ｂと、を具備し、前記メモリセルアレイ部上における前記単結晶半導体層の下部側は、上部側よりもＧｅ濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】少なくともフォトマスクの枚数を増加させることなく、積層構造の下部の導電層が露出するように該導電層上の絶縁膜に対する開口部の形成方法を提供する。
【解決手段】開口部が設けられる部分の積層構造の下部の導電層を、該開口部を形成するフォトマスクと同一のフォトマスクを用いて形成されたエッチングマスクにより予め露出させ、その後保護絶縁膜を形成し、前記積層構造の上部の導電層が開口部において露出されないように、保護絶縁膜に開口部を形成する。このような開口部の形成方法は、半導体装置の作製方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧
のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上の平坦化層と、該平坦化層の上面もしくは下面に設けられる
と共に前記平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層を備えた半導体装
置であって、これら平坦化層及びバリア層の位置関係を工夫することにより平坦化層に及
ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極の構造
として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】マスク枚数を増加させることなく、積層構造の導電層の下層が露出した構造を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜を２層の積層構造で形成し、該導電膜上にエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて該導電膜をエッチングし、該エッチングマスクを残した状態で該導電膜の上層をサイドエッチングして該導電膜の下層の一部を露出させてソース電極及びドレイン電極層とする。このように形成したソース電極及びドレイン電極層と画素電極層は、露出された下層の部分において接続される。ソース電極及びドレイン電極層を形成する導電膜は、例えば、下層をＴｉ層とし、上層をＡｌ層とすればよい。エッチングマスクに開口部が複数設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】電極の表面へのエッチングによるダメージを低減する。
【解決手段】第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられた第１の半導体層と、第１の半導体層上に、第１の半導体層を露出させて離間して設けられた第２の半導体層と、第２の半導体層上に設けられた不純物半導体層と、不純物半導体層上に、少なくとも一部が接するように設けられた第２の導電層と、第２の導電層上に設けられた第２の絶縁層と、第１の半導体層、第２の半導体層、不純物半導体層、第２の導電層、及び第２の絶縁層を覆って設けられた第３の絶縁層と、少なくとも、第３の絶縁層上に設けられた第３の導電層と、を有し、第１の絶縁層乃至第３の絶縁層に開口部が設けられたデュアルゲート型トランジスタの第１の絶縁層の厚さと第２の絶縁層の厚さを概ね等しいものとする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜にピンホール等の欠陥が生じたとしても金属導電膜の腐食を抑制し、透明導電膜と金属導電膜との間の導通を確実にとることが可能な薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属導電膜としてのゲート端子１２１、ドレイン端子１２２上にＯＣ−ＳｉＮ膜１０９を形成し、ゲート端子１２１及びドレイン端子１２２が露出するようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介してゲート端子１２１及びドレイン端子１２２に接触するようにＩＴＯ膜を成膜してパターニングし、ＩＴＯ膜に対して酸化膜形成処理を行う。これにより、ＩＴＯ膜にピンホール等の欠陥が発生していた場合には、欠陥を介してＩＴＯ膜下のゲート端子１２１ドレイン端子１２２の一部が酸化されて酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】印刷法にて、回路基板に容易にヴィアホールを開口できる回路基板の製造方法を提供する事。
【解決手段】基板上に第一導電体を形成する第一導電体形成工程を行い、次に第一導電体を被覆する様に第一絶縁膜を成膜する第一絶縁膜成膜工程を行い、次に第一導電体上の第一絶縁膜に貫通孔３２を開口して、第一導電体の表面を露出させる貫通孔形成工程を行い、次に第一導電体の表面を撥液化させる撥液化工程を行い、次に貫通孔３２以外の領域に前駆体樹脂を印刷し、印刷後に前駆体樹脂を硬化して第二絶縁膜を形成する第二絶縁膜形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増大を抑制しつつ、信頼性に優れた構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、化合物半導体基板１２と、化合物半導体基板１２に埋め込まれた埋込電極と、を備え、化合物半導体基板１２の主面に溝２２、２４が設けられており、少なくとも溝２２、２４の側壁上に設けられた第一の金属膜１０ａ、１０ｂと、少なくとも溝２２、２４の底面上に設けられており、第一の金属膜１０ａ、１０ｂと異種材料で構成される第二の金属膜９ａ、９ｂと、を含む積層体により溝２２、２４を埋め込むことで、上記埋込電極が構成されており、第一の金属膜１０ａ、１０ｂのフェルミエネルギーは化合物半導体基板１２の真性フェルミエネルギーと異なり、第二の金属膜９ａ、９ｂのフェルミエネルギーは化合物半導体基板１２の真性フェルミエネルギーと異なる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＦＦＳモードの液晶表示装置において、半透過マスクを用いることなくフォトリソグラフィー工程数を削減することができ、さらに断線を防止することができる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線４３を覆うゲート絶縁膜１１上に形成されたソース配線４４と、ゲート絶縁膜１１上に形成され、ドレイン電極５の下のほぼ全面と、ソース電極４の下のほぼ全面と、ソース配線４４の下のほぼ全面と、ゲート電極の対面とに配設された半導体層２と、一部がドレイン電極５の上に直接重なり形成された画素電極６と、ソース電極４及びソース配線４４の上に、画素電極６と同じ層によって直接重なり形成された透明導電パターン６ａと、画素電極６及び透明導電パターン６ａを覆う層間絶縁膜１２上に形成され、画素電極６との間でフリンジ電界を発生させる対向電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ノードコンタクト構造体を有する半導体素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。該バルクモストランジスタ上に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上にソース／ドレイン領域を有する薄膜トランジスタが形成される。該バルクモストランジスタのソース／ドレイン領域上に半導体プラグが形成され、該半導体プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。該薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域及び該半導体プラグは金属プラグと接触し、該金属プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。該半導体プラグ及び該金属プラグは多層のプラグを構成する。 （もっと読む）

【課題】ソース/ドレイン電極のコーナー部分に強くかかる電界による絶縁破壊及び素子劣化現象を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極、ゲート電極と絶縁された活性層、ゲート電極と絶縁され、活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極、及びソース電極及びドレイン電極と活性層との間に介された絶縁層を備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子と、を備え、ソース電極は、相互分離形成された第１ソース電極及び第２ソース電極と、第１ソース電極及び第２ソース電極を電気的に連結する第３ソース電極とを備え、ドレイン電極は、相互分離形成された第１ドレイン電極及び第２ドレイン電極と、第１ドレイン電極及び第２ドレイン電極を電気的に連結する第３ドレイン電極と、を備える有機発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）