【課題】コンタクト抵抗を低くし、かつ半導体装置が大型化することを抑制する。
【解決手段】能動素子は、第１電極２１０（ゲート電極）及び第２電極２２０（拡散層領域）を有している。ゲート電極２１０の表面には第１金属化合物層２１２（シリサイド層）が形成されており、拡散層領域２２０の表面には第２金属化合物層２２２（シリサイド層）が形成されている。ゲート電極２１０には第１コンタクト３１０が接続しており、拡散層領域２２０には第２コンタクト３２０が接続している。第１コンタクト３１０は、基板２００に平行な方向の断面形状が長方形又は楕円であり、かつ下端が第１金属化合物層２１２に入り込んでいるが、突き抜けていない。第２コンタクト３２０は、基板２００に平行な方向の断面形状が円である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。
【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】コスト的な利点の多いスクリーン印刷法を用いて、平面性及びサイズの均質性に優れた上部電極を有する回路基板を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成される複数の下部電極４と、基板１上に形成され、複数の下部電極４のそれぞれの上に開口部９を有する層間絶縁膜６と、複数の開口部９のそれぞれを埋めるように形成され、複数の下部電極４のそれぞれと電気的に接続される上部電極７とを有する回路基板２０において、層間絶縁膜６は、一の開口部９と、該一の開口部９に最も近接する開口部９又は次に近接する開口部９との略中間点で、基板表面からの高さが極大高さｄとなる極大点Ｃを備える曲面形状を有し、開口部９での上部電極７の基板表面からの高さｔが、極大点Ｃの極大高さｄよりも小さいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともに、ドレイン電極と画素電極との電気的導通がとれるように保護層を設けた有機トランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアクティブ基板は、基板１０７上に、ゲート電極１０１、ゲート絶縁膜１０８、ソース電極１０２、ドレイン電極１０３、活性層１０９が形成されてなる薄膜トランジスタ上に、保護層としての層間絶縁膜１１０および画素電極１０４が形成されてなる。トランジスタ部と上部電極（画素電極１０４）は層間絶縁膜１１０に設けられたスルーホール１１１を介して電気的に導通されてなる。層間絶縁膜１１０は、樹脂と無機または有機フィラーとを含有し、これらの樹脂と無機または有機フィラーは、ＥＧ（エチレングリコール）に、あるいはＥＧとアルコール溶剤とを組み合わせてなる溶剤に、溶解または分散が可能な樹脂またはフィラーである。 （もっと読む）

【課題】マトリクス状に配置した光電変換素子が捉える光の強度分布を、再現よく電気信号に変換して取り出せる大型のエリアセンサおよび、エリアセンサを搭載した書き込み速度が速く、表示ムラが少ない表示装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板製造時の１回のマスク工程を短縮して、製品生産性を向上させる。
【解決手段】基板上で互いに交差して複数の画素領域を定義するように形成されたゲート及びデータ配線と、ゲート配線と平行に離隔して形成された共通配線と、複数の画素領域内に形成された薄膜トランジスタと、ゲート絶縁膜の下部で共通配線から分岐して形成された第１ストレージ電極と、薄膜トランジスタとゲート及びデータ配線とに対応して、有機絶縁物質によりドレイン電極を露出させるように形成された第２保護層と、第２保護層上に、ドレイン電極と接触し、薄膜トランジスタと接続されたゲート及びデータ配線と重なって形成された画素電極とを備え、画素電極は、第１ストレージ電極と重なる部分が、第２ストレージ電極を形成し、互いに重なる第１ストレージ電極とゲート絶縁膜と第２ストレージ電極とがストレージキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】
ＴＦＴと画素電極との間に設けられる遮光性の電極や配線、コンタクトホールに起因する開口率の低下及び歩留まり低下の問題を解決する。また、画面が色味を帯びないような液晶表示装置を提供する。
【解決手段】
基板にＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を形成する第１工程と、該半導体層の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第２工程と、該ゲート電極をマスクとして紫外線を該半導体層に向けて照射することにより、該半導体層よりも導電率の高いアモルファスのドレイン領域及び画素電極と一体のソース領域を形成する第３工程とを含む。画素電極はソース領域とともに透明であり、また、紫外線照射によって導電率が向上しており、また、一体で成形されたものであるから画素電極とソース領域とを接続するために電極も配線も形成する必要がない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性の信頼性を高めることが可能な薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供する。また、画質を向上させることが可能な表示装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】また、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート電極に重畳し、且つゲート絶縁層上に形成される酸化物半導体層と、ゲート絶縁層及び酸化物半導体層上に形成される配線と、酸化物半導体層及び配線に接する有機樹脂層とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置な
らびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低
減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】 基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶
縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と
、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部
に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲ
ート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層
とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フ
ォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる
。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。また、トップゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜１９には、コンタクトホール２５〜２８が形成されている。また、層間絶縁膜１９の表面には、ボトムゲート電極２０、半導体層１３、およびトップゲート電極１４の各々に接続される配線３０〜３２が形成されている。そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置への出し入れ回数を減らした表示装置の製造方法および表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置の製造方法は、絶縁基板上に第１の電極膜と第２の電極膜とを含む導電層、第１の絶縁層、半導体膜、第２の絶縁層および保護層を形成する工程と、半導体膜の上方の第１の領域に配置される所定の厚さの第１のレジスト膜と、第２の電極膜の上方の第２の領域に配置される開口部と、それら以外の領域に配置される厚い第２のレジスト膜と、を保護層上に形成する工程と、第２の領域下をエッチングする工程と、第１のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、第１の領域下に半導体膜に達する第１の孔を形成し、かつ第２の領域下に第２の電極膜に達する第２の孔を形成する工程と、第２のレジスト膜を除去する工程と、半導体膜および第２の電極膜と接続される配線を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】リセット用ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成せずに２Ｔｒ−１Ｃ回路を製造することができるとともに、高精度に電荷検出を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、電荷生成膜６０と、電荷収集用電極５０と、電荷検知用キャパシタ３０と、電荷検出用薄膜トランジスタ２０と、リセット用薄膜トランジスタ４０と、電荷生成膜、電荷収集用電極、電荷検知用キャパシタ、電荷検出用薄膜トランジスタ、及びリセット用薄膜トランジスタを支持する支持基板１０と、を有する。電荷収集用電極の一部５０Ａが、電荷検出用薄膜トランジスタ２０の活性層２８上に絶縁膜１８Ａを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Ｇを兼ねている。好ましくは、電荷収集用電極が、リセット用薄膜トランジスタ上にも絶縁した状態で張り出している。 （もっと読む）

【課題】表示装置の動作性能の安定性の向上及び回路設計における設計マージンの拡大を達成させる。
【解決手段】ＴＦＴと、容量とを有する表示装置であって、ＴＦＴは第１の窒化絶縁膜で覆われており、第１の窒化絶縁膜の上に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有する感光性有機樹脂膜が設けられており、感光性有機樹脂膜の上に接するように、第２の窒化絶縁膜が設けられており、第１及び第２の窒化絶縁膜には、第１の開口部に重なる部分に第３の開口部及び第４の開口部が設けられており、第２の窒化絶縁膜の上方に、ＴＦＴの島状の半導体膜に電気的に接続する配線または第３の電極が設けられており、容量はＴＦＴのゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、配線または第３の電極と同じ導電膜から形成された第２の電極と、第２の開口部において第１の電極及び第２の電極と重なっている第１及び第２の窒化絶縁膜の一部とを有している。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた第１導電パターン３と、これを覆う状態で基板１上に設けられた層間絶縁膜５と、第１導電パターン３上に一部を重ねた状態で層間絶縁膜５上に設けられた第２導電パターン９とを備えている。第２導電パターン９と第１導電パターン３とが重なる位置には、第２導電パターン９および層間絶縁膜５に開口部３１が設けられている。この開口部３１は第１導電パターン３を底面としており、この開口部３１の内壁を覆う接続配線３３により、第２導電パターン９と第１導電パターン３とが結線されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で画素電極とコンタクトホールとを形成するＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体膜からなるダイオードを適用した保護回路の性能を向上させる。
【解決手段】２つの入出力端子の間に保護回路が挿入されている。保護回路は、絶縁表面上に形成される半導体膜からなるダイオードを含む。ダイオードのＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域を保護回路の１層目の導電膜と接続するためのコンタクトホールは、各不純物領域全体に分布して形成される。また、保護回路の１層目の導電膜と２層目の導電膜とを接続するためのコンタクトホールは、半導体膜上に存在し、かつ分散して形成される。このようにコンタクトホールを形成することで、ダイオードと端子間の配線抵抗を低減し、かつダイオードの半導体膜全体を整流素子として有効に機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。
【解決手段】基板１１に半導体層１３及び半導体層１３よりも酸化され難い第１検査用金属層２７を形成し、半導体層１３及び第１検査用金属層２７を覆うように絶縁膜２０を形成した後、絶縁膜２０に半導体層１３及び第１検査用金属層２７をそれぞれ一部露出させるためのコンタクトホール２１ａ及び検査用コンタクトホール２１ｂを形成することで層間絶縁層２１を形成し、層間絶縁層２１にコンタクトホール２１ａ及び検査用コンタクトホール２１ｂの内部から表面にそれぞれ引き出された金属層２２及び第２検査用金属層２８を形成し、第１検査用金属層２７と第２検査用金属層２８との間の電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの縁部のバリの形成方法とアレイ基板の製造方法に関する。
【解決手段】当該アレイ基板の製造方法は、基板にゲート・ラインとゲート電極パターンを形成するステップと、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、ＴＦＴチャネル領域パターンとを形成し、フォトレジストを残し、パッシべーション層を堆積し、剥離工程によってフォトレジスト及びその上のパッシべーション層を除去するステップと、フォトレジストを塗布し、フォトレジストに山状の縁部のバリを形成し、透明導電薄膜を堆積し、剥離工程によってドレイン電極に直接に接続する画素電極パターンを形成する。 （もっと読む）