【課題】大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲート電極、及び該ゲート電極を被覆し、有機絶縁材料を含むゲート絶縁層を形成する工程；該ゲート絶縁層上に塗布法、無電解めっき法又は原子層堆積法を用いて導電性材料からなる第１導電層を成膜する工程；該第１導電層上にパターンニングされた第２導電層を形成する工程；該第２導電層で被覆されていない第１導電層の部分を除去して、第１導電層及び第２導電層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程；及びソース電極、ドレイン電極、及び該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁層が被覆されるように、有機半導体層を形成する工程；を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層となる部分が水分などに曝されず、マスク枚数を削減する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】例えば、第１の導電膜、第１の絶縁膜、半導体膜、第２の導電膜及びマスク膜を形成し、マスク膜を加工して第１のマスク層を形成し、第１のマスク層を用いて第１の絶縁膜、半導体膜及び第２の導電膜にドライエッチングを行って薄膜積層体を形成しつつ、第１の導電膜の少なくとも表面を露出させ、薄膜積層体の側面を覆うサイドウォール絶縁層を形成し、第１の導電膜をサイドエッチングして第１の電極層を形成し、第２のマスク層を形成し、第２のマスク層を用いて第２の電極層を形成する。第１のマスク層及び第２のマスク層の形成はレジストマスクを用いて行う。 （もっと読む）

【課題】本発明はアレイ基板及び液晶ディスプレイに関する。
【解決手段】本発明は、アレイ基板と液晶ディスプレイを開示している。このアレイ基板は、サブストレートと、前記サブストレートに形成された、横縦方向に交差して複数の画素ユニットを囲んで形成したデータライン及びゲートラインと、を備え、各画素ユニットは画素電極と薄膜トランジスタースイッチ素子とを備え、前記薄膜トランジスタースイッチ素子は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、活性層を備え、前記ゲート電極と活性層との間にゲート絶縁層が設けられ、前記ゲート絶縁層は不透明絶縁層を含む。 （もっと読む）

【課題】画素電極表面でのヒロックの発生や、平坦化絶縁膜において凹部を埋める部分での空洞の発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、反射性の画素電極９ａの上層側に設けられた平坦化絶縁膜１７は、画素電極９ａ上に積層された層がドープトシリコン酸化膜１７０からなる。ドープトシリコン酸化膜１７０の熱膨張係数は、画素電極９ａを構成するアルミニウム膜の熱膨張係数との差が小さい。このため、加熱した状態で平坦化絶縁膜１７を成膜しても、画素電極９ａおよび平坦化絶縁膜１７に大きな熱応力が発生しないので、画素電極９ａの表面にヒロック等の欠陥が発生しにくい。また、ドープトシリコン酸化膜１７０は、段差被覆性に優れている。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能であるとともに、安定したトランジスタ特性を得ることが可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に酸化物半導体薄膜を形成し、前記酸化物半導体薄膜の上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層の上にゲート層を形成し、前記ゲート層の上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート層を一括してパターニングして、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するとともに、ソース領域及びドレイン領域となる前記酸化物半導体薄膜を露出させ、露出させた前記酸化物半導体薄膜を、少なくともシラン（ＳｉＨ_４）を含むガスに晒し、前記シランを含むガスに晒した後に連続して層間絶縁膜を形成する、ことを特徴とする薄膜トランジスタ回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル、ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、液晶パネル、ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法に関する。ベース基板と、前記ベース基板上に形成されたゲート走査線と、データ走査線と、前記ゲート走査線および前記データ走査線を上から覆う保護層とを備えるＴＦＴアレイ基板であって、前記保護層における封止剤を塗布した領域の、ゲート走査線と／またはデータ走査線に対応する位置に、導電層が設けられる。前記導電層は、当該ＴＦＴアレイ基板における封止剤の外部領域に延びるとともに、接地端に接続される。前記導電層を形成する材料としては、透明導電材料を有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のＴＦＴアレイ基板１００においては、ＴＦＴ５１と、ソース電極５３及びドレイン電極５４、並びにソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターン５の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン６と、透明導電膜パターン６上を含むゲート絶縁膜８上を覆う上層絶縁膜９を備え、少なくとも額縁領域４２に形成される透明導電膜パターン６は、ソース電極５３、ドレイン電極５４或いは金属パターン５のパターン端面を覆うことなく形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明のフェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド樹脂を含有する有機絶縁層を用いた有機半導体素子は、トランジスタ特性及び耐湿熱性等の耐久性に優れており、実用性の高い有機半導体素子を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるフェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド樹脂を含有する有機絶縁層を有する有機半導体素子。


（式（１）中、各構造単位の平均重合度ｍ及びｎはｍ＋ｎ＝２〜２００であり、Ａｒ_１及びＡｒ_３は２価の芳香族基、Ａｒ_２はフェノール性水酸基を有する２価の芳香族基を表す。） （もっと読む）

【課題】整流素子として用いるトランジスタの閾値電圧による出力電圧の降下が抑制された整流回路を提供する。または、入力される交流電圧の振幅が大きく変動する場合であっても、出力電圧の変動が抑制された整流回路を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電極を、容量素子を介して該トランジスタの第２の電極の後段に接続し、ゲート電極の電位を第２の電極の電位に比べて高く、且つその差が閾値電圧以上となるように保って整流素子として用いればよい。 （もっと読む）

【課題】 水分に起因するＴＦＴ特性の変化を抑制した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量が活性層に存在する第２の水分量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、酸化物半導体層と、例えばソース電極やドレイン電極を構成する金属膜との安定した界面の形成が可能である配線構造を提供する。
【解決手段】基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、半導体層と金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層はＴｉ酸化膜から構成されており、且つ、Ｔｉ酸化膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に於けるＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が２層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでＬＤＤ構造及びＧＯＬＤ構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にＧＯＬＤ構造及びＬＤＤ構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】埋め込みゲートトランジスタのＳＣＥに対する免疫性を向上させると同時に、分岐点での重なりを増加させる方法及び構造の提供。
【解決手段】基板１０２は第１活性領域１０４と第２活性領域１０６とを有し、浅溝分離（ＳＴＩ）領域１０８によって分離される。バッファ層１１２は応力緩和層として機能しハードマスク層１１４が形成される。基板１０２の表面に分離領域１０８を部分的に網羅するように凹部１１８を設ける。ゲート誘電体１２０が凹部１１８に形成された後第一ドーパントインプラント１２２により、ドープ済みチャンネル領域１２４が形成される。インプラントはハードマスク１１４を貫通しないので、凹部１１８の下に形成されたドープ済みチャンネル領域１２４中のドーパント濃度は最も高くなる。ドープ済みチャンネル領域１２４はトランジスタのオン・オフを切り替える閾値電圧を変調する。 （もっと読む）

【課題】マスク数が少なく、工程が簡略な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、導電膜と、をこの順に積層して形成し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極を形成し、不純物半導体膜を離間させつつ半導体膜の上部を加工してソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域と重畳しない部分の上部が除去された半導体層と、を形成し、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース領域及びドレイン領域、ソース電極及びドレイン電極上にパッシベーション膜を形成し、パッシベーション膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクにより、ソース電極またはドレイン電極に達する開口部を形成しつつ、少なくともパッシベーション膜と半導体層を島状に加工し、エッチングマスクを除去し、ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜上に画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと
、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ
５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２
のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口
部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第１の支持体に移し替え、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】再配向エネルギーが十分に小さい有機化合物の提供。
【解決手段】式


［式中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環は、各々独立して、芳香環を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６及びＸ^７は、各々独立して、炭素原子又は窒素原子を表す。］で表される縮合芳香族化合物、又は式（２）で表される縮合芳香族化合物から水素原子を２個除いた２価の基を繰り返し単位として有する高分子化合物。 （もっと読む）