【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１Ａは、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、駆動側基板１０の側から順に、導電膜２７Ａ、酸化物半導体よりなる半導体層１１、絶縁膜１２Ｂおよび導電膜１３Ｂを積層してなる。保持容量素子１０Ｃでは、導電膜２７Ａ，１３Ｂ間において容量形成がなされ、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】素子基板に絶縁膜を成膜した際にフッ素が混入しても、電界効果型トランジスターに特性異常が発生することを防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板１０にシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２を成膜する第１絶縁膜成膜工程の後、画素トランジスター３０（電界効果型トランジスター）の半導体層１ａを形成する半導体層形成工程を行う前に、絶縁膜１２に水素を導入する第１絶縁膜水素導入工程を行う。また、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４１を形成する第２絶縁膜成膜工程の後、層間絶縁膜４１に対して水素の導入を行う第２絶縁膜水素導入工程を行う。このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口率を大きくする必要がなく、印刷に適し、複数画素を用いずに面積階調できる薄膜トランジスタアレイ、表示装置、および薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】画素の有効領域の幅をＡ、画素の有効領域のネガパターンの幅をＢとしたとき、幅Ｂが幅Ａよりも大きな薄膜トランジスタとする。あるいは、対向電極と画素電極の距離をＣとしたとき、距離Ｃが幅Ｂの４分の１以上Ｂ以下である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性劣化を抑制しつつクロス容量を低下することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２および第１配線層２１を形成したのち、全面にゲート絶縁膜１３を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。第１配線層に対向する領域の半導体層１４および第１保護膜１５の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。次いで、全面に第２保護膜２３を形成および加工したのち、ソース・ドレイン電極１７および第２配線層２４を形成する。これにより、チャネル層１４表面の損傷が防止されると共に、配線部２０のクロス容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】駆動時の発熱温度を低下させる。
【解決手段】基板１２の熱伝導率をＮ_ｓｕｂ（Ｗ／ｍＫ）とし、熱拡散層１４の熱伝導率をＮ_ｋａｋｕ（Ｗ／ｍＫ）とし、熱拡散層１４の膜厚をＴ（ｍｍ）とし、熱拡散層１４の平面開口率をＲ（０≦Ｒ≦１）とし、Ｓ＝Ｔ×Ｒとしたとき、例えば、基板１２の熱伝導率Ｎ_ｓｕｂが、Ｎ_ｓｕｂ＜１．８の条件を満たし、熱拡散層１４の熱伝導率Ｎ_ｋａｋｕが、Ｎ_ｋａｋｕ＞３．０×Ｓ^(−０．９７×ｅ^(−１．２×Ｎ_ｓｕｂ））且つＮ_ｋａｋｕ≧Ｎ_ｓｕｂの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな出力のレーザー光照射を必要とせず、被剥離層等に損傷を与えることなく、被剥離層を転写した発光装置。
【解決手段】バリア膜が設けられたプラスチック基板に被剥離層が転写された発光装置であって、プラスチック基板に選択的に金属酸化物が残存している。金属酸化物は、ガラス基板上の剥離層に加熱処理を行ってから剥離したときに残存したものである。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、トランジスタのばらつきを低減する。
【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性表示装置の製造方法は、キャリア基板上に抵抗を有する導電物質を含む発熱部を形成する段階と、発熱部上に可撓性基板を形成する段階と、可撓性基板上に薄膜トランジスタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部上に発光素子および封止部材を形成する段階と、発熱部に電圧を印加してジュール熱を発生させることによって可撓性基板に直接熱を加えて発熱部から可撓性基板を分離する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チャネルドープを含む製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の半導体装置の製造方法は、基板に半導体膜としての多結晶半導体膜１４ａを形成する工程と、多結晶半導体膜１４ａ上に、少なくとも２つの異なる膜厚を有し、それぞれが孤立したレジストパターン１６，１７を形成するレジスト形成工程と、該レジストパターン１６，１７をマスクとして多結晶半導体膜１４ａに第一不純物の注入を行う第一不純物注入工程と、該レジストパターン１６，１７に沿って多結晶半導体膜１４ａをエッチングするエッチング工程と、該レジストパターン１６，１７を剥離する工程とを有し、第一不純物注入工程は、レジストパターン１６，１７の膜厚の差に基づいて、第一不純物の注入、非注入を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新たなパラメーターによって半導体層内における不純物分布を制御して電界効果
型トランジスターを形成することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスターを基板
本体１０ｗの一方面１０ｓに形成するにあたって、一方面１０ｓ側の半導体層１ａに不純
物を導入する不純物導入工程を行う。その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側
にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９
２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａ
を加熱する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に第１及び第２の配線を有し、第１及び第２の配線上に第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜上に電極を有し、電極上に第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜上に画素電極を有し、画素電極は、電極と重なる第１の領域と、電極と重ならない第２の領域と、を有し、画素電極は、第１の配線に電気的に接続されており、第１の配線は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、電極は、画素部の外側において前記第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）