【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するこ
とを課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の表
示装置を表示部に用いた安価な電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもし
くはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて
画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。これにより製造工程
を大幅に削減し製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程が単純化され、パッド部での抵抗均一度が向上して輝度が向上した有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層２１２、ゲート下部電極２１４とゲート上部電極２１５とを含むゲート電極２１、ソース電極２１７ａ及びドレイン電極２１７ｂを含む薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタと電気的に連結され、ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成された画素電極４１４、発光層を含む中間層４１９、対向電極４２０からなる有機発光素子；ゲート下部電極と同一層に、同一物質で形成される第１パッド電極５１４；第１パッド電極の少なくとも一部上に形成され、ゲート上部電極と同一層に、同一物質で形成される第２パッド電極５１５；第２パッド電極の少なくとも一部とコンタクトするように形成され、ソース電極及びドレイン電極と同一層に、同一物質で形成される第３パッド電極５１７；を含む有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷面上に、低表面エネルギー領域を隔てて隣接する高表面エネルギー領域２３１，２４１を有する表面において、高表面エネルギー領域２３１，２４１の形状及び機能液の着弾範囲に基づいて、高表面エネルギー領域２３１（２４１）に機能液を供給する際に該機能液が高表面エネルギー領域２３１（２４１）のみに触れるための滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）を決定し、ついで滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）内の任意の位置を高表面エネルギー領域２３１（２４１）に対する機能液の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）として決定し、高表面エネルギー領域２３１（２４１）の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給して所定パターンの機能性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい、チャネル領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および該一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極とを有する半導体装置。ここで、一対の酸窒化物半導体領域はトランジスタのソース領域およびドレイン領域となり、酸化物半導体領域はトランジスタのチャネル領域となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一面に、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを有する第１基板３４と、一面に、ゲート電極４１ｅ、ゲート絶縁膜４１ｂおよび半導体層４１ａを有する第２基板３９と、第１基板３４および第２基板３９が互いの一面側を対向させて貼り合わされることによりこれら第１基板３４と第２基板３９との間に構成される薄膜トランジスタＴＲと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】多層基板内にＴＦＴ素子の構成要素のうちの少なくとも１つを内蔵させることによって薄膜トランジスタの高精細化を実現できる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の第１基板３０（素子基板３００）は、表面に制御トランジスタの構成要素の少なくとも一部を備え、内部には制御トランジスタの構成要素に接続される走査線６６、データ線６８、保持容量線、保持容量が埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高性能な電気特性を実現しうるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の結晶性分布を有した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、絶縁性の基板と、前記絶縁性基板の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成された結晶シリコン膜と、前記結晶シリコン膜の端部の上方に形成されたソース電極と、前記結晶シリコン膜における前記ソース電極が形成された端部と対向する端部の上方に形成され、前記ソース電極と離間しているドレイン電極とを具備する薄膜トランジスタにおいて、前記結晶シリコン膜におけるソース電極又はドレイン電極が形成されている前記結晶シリコン膜の端部から、前記結晶シリコン膜におけるソース電極又はドレイン電極が形成されていない前記結晶シリコン膜の中央部に向かって、前記結晶シリコン膜の結晶化率が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）