【課題】記憶回路におけるデータの保持期間を長くする。また、消費電力を低減する。また、回路面積を小さくする。また、１回のデータの書き込みに対する該データの読み出し可能回数を増やす。
【解決手段】記憶回路を具備し、記憶回路は、ソース及びドレインの一方にデータ信号が入力される第１の電界効果トランジスタと、ゲートが第１の電界効果トランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続される第２の電界効果トランジスタと、ソース及びドレインの一方が第２の電界効果トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続される第３の電界効果トランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ワード線の負荷を増大させることなく、ワード線に生じるノイズを低減する。
【解決手段】少なくとも一のスイッチング素子を有する複数の記憶素子がマトリクス状に配置され、前記記憶素子のそれぞれにはワード線とビット線がそれぞれ接続され、前記ワード線には少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタのゲート（またはソース及びドレイン）が接続され、前記少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタのソース及びドレイン（またはゲート）の電位が制御されることで前記少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタの容量値の制御を行う半導体装置とする。前記少数キャリアが実質的に存在しないトランジスタは、ワイドギャップ半導体により設けられていればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１の画素電極とを有する第１の画素を有し、第２のトランジスタと、第２の画素電極とを有する第２の画素を有し、走査線として機能することができる配線を有し、第１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層はゲート絶縁膜を介して、配線と重なり、酸化物半導体層は、配線より幅の広い領域を有する表示装置又は液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、容量素子と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、信号線及びワード線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、に接続された容量素子とを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とが接続された、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置およびその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁層にトレンチを形成し、トレンチの上端コーナー部と接する酸化物半導体膜に不純物を添加し、ソース領域およびドレイン領域を形成する。上記構造にすることで微細化することが可能である。また、トレンチを有することで、ソース電極層とドレイン電極層との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層のキャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３以下、平均結晶粒径が１μｍ以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導
体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードであ
る。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれ
る電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度
化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導
体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】書き込み回数に制限がなく、消費電力が低く、記憶内容（電荷）の保持特性が改善され、かつ小型化に適した構造の半導体装置および、当該半導体装置を備える、消費電力が低く、記憶内容（電荷）の保持特性が改善された記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の有するトランジスタの半導体層として酸化物半導体を用いることで、ソースとドレイン間のリーク電流を低減できるため、半導体装置および当該半導体装置を備える記憶装置の消費電力低減、保持特性の改善を達成できる。また、トランジスタのドレイン電極、半導体層およびドレイン電極と重なる第１の電極により容量素子を形成し、容量素子と重なる位置でゲート電極を上層へ取り出す構造とした。これにより、半導体装置および当該半導体装置を備える記憶装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規な未焼結シリコン粒子膜及び半導体シリコン膜、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の未焼結シリコン粒子膜１３０は、互いに未焼結のシリコン粒子からなり、且つ不活性ガス雰囲気中において１気圧の圧力及び６００℃の温度で加熱したときに脱離する脱離性ガスの量が、未焼結シリコン粒子膜の質量に基づいて、５００質量ｐｐｍ以下である。未焼結シリコン粒子膜を製造する本発明の方法は、（ａ）シリコン粒子分散体を、基材上１００に塗布して、シリコン粒子分散体膜１１０を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜１１０を乾燥して、乾燥シリコン粒子膜１２０を形成する工程、及び（ｃ）乾燥シリコン粒子膜１２０を焼成することによって、未焼結シリコン粒子膜１３０を形成する工程を含む。本発明の半導体シリコン膜１４０は、互いに焼結されているシリコン粒子からなり、且つ炭素原子を実質的に含有していない。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２
の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）