【課題】管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】所定の材料からなり、活性層４１となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極５１、ドレイン電極５３及び画素電極５５の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ２の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体（ソース電極５１、ソース配線５２、ドレイン電極５３、ドレイン配線５４及び画素電極５５）を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層４１とする工程とを有する方法としてある。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】導体層におけるソース電極とドレイン電極との電極間のチャネル領域が結晶相であり、且つ該半導体層における該チャネル領域以外の第２の領域が非結晶相である構成ではない場合に比べて、半導体素子間の電気的な分離が実現された有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機トランジスタ１０は、基板１２上に、ゲート電極１４Ｇ、ゲート絶縁膜１６、ソース電極１８Ｓ及びドレイン電極１８Ｄ、及び半導体層２０が設けられている。半導体層２０における、ソース電極１８Ｓ及びドレイン電極１８Ｄとの電極間の領域であるチャネル領域２０Ａは、結晶相とされている。また、半導体層２０における、このチャネル領域２０Ａ以外の第２の領域２０Ｂは、非結晶相とされている。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによる結晶化を利用した半導体薄膜の形成において、その結晶化度を従来よりも高精度に評価することが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。画像処理用コンピュータ１５において、ｐ−Ｓｉ膜２３（結晶化領域５１）の透過輝度とａ−Ｓｉ膜２３０（未結晶化領域５０）の透過輝度との透過コントラストを求める。この際、予め形成された基準マーク６を用いて、結晶化領域５１内および未結晶化領域５０内におけるコントラスト算出用領域６０，６１を特定し、これらのコントラスト算出用領域６０，６１を用いて透過コントラストを求める。そして、求めた透過コントラストに基づいて、ｐ−Ｓｉ膜２３に対する選別を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、前駆体から形成される酸化物半導体薄膜の半導体特性の向上と、その安定性の向上であり、高性能な薄膜トランジスタを安定して得ることにある。
【解決手段】前駆体の溶液または分散液の塗布膜に半導体変換処理を行って形成される金属酸化物半導体薄膜であって、窒素元素の含有率が０．０１ｐｐｍ〜４５００ｐｐｍであることを特徴とする半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に作る手法として、シリコン層の堆積時に小粒径の多結晶シリコン層を形成し、所望の領域のみにＣＷレーザーを照射し大粒径化する技術が知られている。しかし、この技術を用いる場合、小粒径の多結晶シリコン層中に不対電子を埋める水素を残しての処理が必要となり、製造工程にかかる時間が長くなるという課題がある。
【解決手段】一部に金属層３１１がある基板３１０上に窒化珪素層３１２を形成し、窒化珪素層３１２上に、酸化珪素層３１３を形成し、パルスレーザーを照射する。酸化珪素層３１３の層厚により小粒径の多結晶シリコン層と大粒径の多結晶シリコン層とが入れ替わるように形成されるため、小粒径の多結晶シリコン層と、大粒径の多結晶シリコン層を同時に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ処理時間を短縮しつつ充分な固相成長を得られる基板用熱処理装置を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン膜Ａを形成したガラス基板15を湾曲させた状態で保持可能な基板保持手段16を設ける。基板保持手段16により湾曲させた状態で保持したガラス基板15を加熱する熱処理手段17を設ける。ガラス基板15の湾曲によりアモルファスシリコン膜Ａに膜応力を発生させ、膜応力を駆動力として固相成長を促進させて、低コストでかつ処理時間を短縮しつつ充分な固相成長を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 照射されたレーザ光の一部が被結晶化薄膜を透過する結晶化において、均一性に優れた結晶化を行うことが可能な結晶化装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光を照射して結晶化を行う結晶化装置である。アモルファスシリコン薄膜３が形成された基板１を支持する基板ステージＳを有する。基板ステージＳは、表面が例えば鏡面化され、アモルファスシリコン薄膜３の結晶化領域全体における反射率が略均一である。照射するレーザ光の波長域は、可視領域であり、例えば固体レーザの高調波である。 （もっと読む）

【課題】大面積の半導体薄膜を複数回のレーザ光走査によってレーザ光照射することを可能にする。
【解決手段】薄膜ダイオードまたは薄膜トランジスタがマトリックス状に配列される半導体薄膜に、帯状レーザ光を照射し、該レーザ光短軸方向に半導体薄膜を相対的に移動させて前記レーザ光を半導体薄膜上で走査するレーザ光照射方法において、前記ダイオードまたはトランジスタの個々の形成領域間に前記レーザ光の長軸方向端部が位置して該レーザ光の長軸方向端縁が外側の前記形成領域に至らないように前記レーザ光の走査を行う。レーザ光の複数回走査において、不均一領域となるレーザ光端部が薄膜トランジスタ等の形成領域にかかることなく形成領域間に位置し、薄膜トランジスタ等の特性を均一にすることができる。さらにレーザ光の長さに制限されない大面積パネルを作製できる。 （もっと読む）

【課題】第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを有する半導体装置を安価に大量生産することを可能にする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン膜をレーザ等の光で加熱溶融した後に結晶化させて多結晶シリコン膜を得る際に、ガラス基板背面からレーザを照射するものとするとともに背面からの照射を容易とする。
【解決手段】結晶性半導体膜形成装置３は、気体を噴出することによりガラス基板５を浮かせた状態に保持する気体浮上機構４を有する。ガラス基板５は、気体浮上機構４上に、アモルファスシリコン膜５１を下にして配置される。加熱用レーザ２が対物用光学装置６を介してガラス基板５に上面側から照射される。なお、加熱用レーザは、ガラス基板５での吸収が少なく、アモルファスシリコン膜５１での吸収が多い、可視光の緑色レーザとなっている。 （もっと読む）

【課題】高速動作を実現する薄膜トランジスタの誤動作を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、前面（１１２ａ）および背面（１１２ｂ）を有する透明基板（１１２）と、透明基板（１１２）の前面（１１２ａ）に支持された第１半導体層（１２０）と、第１半導体層（１２０）上に選択的に設けられた絶縁層（１１４）と、薄膜トランジスタ（１４０）の活性層（１３２）であって、絶縁層（１１４）を介して第１半導体層（１２０）と対向する活性層（１３２）を含む第２半導体層（１３０）とを備える。第１半導体層（１２０）は、ゲッタリング元素と、第２半導体層の結晶化を促進した触媒元素とを含有しており、透明基板（１１２）の背面（１１２ｂ）の法線方向からみたときに活性層（１３２）は第１半導体層（１２０）と重なる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、今後のさらなる高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。
【解決手段】同一基板上に第１のトランジスタと第２のトランジスタを有し、第１のトランジスタは、結晶構造を有する第１の半導体膜と、その上に順に積層して設けられた第１の絶縁膜と、結晶構造を有する第２の半導体膜と、第２の絶縁膜と、第１のゲート電極とを有し、第２のトランジスタは、結晶構造を有する第３の半導体膜と、その上に順に積層して設けられた第１の絶縁膜と、第３の絶縁膜と、第２のゲート電極とを有し、第２の絶縁膜と第３の絶縁膜は同一の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射効率が高く、高品質の半導体膜を持つ薄膜半導体素子を高い生産性、低コストで製造することができる薄膜半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜半導体素子の製造方法は、非晶質Ｓｉ膜１２の一方の面に、１より大きく、非晶質Ｓｉ膜１２の屈折率より小さい屈折率を有する少なくとも１つの層からなる反射防止膜３１，３２を配置する工程と、非晶質Ｓｉ膜１２の他方の面を大気または不活性ガスに露出させた状態で、ガラス基板１１および反射防止膜３１，３２を介して非晶質Ｓｉ膜１２にレーザ光Ｌ０を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＬＡＸ法による帯状シリコン結晶を形成する際のシリコン溶融時間を短縮して結晶性を向上させ、シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの動作特性を改善して高精細な表示装置を得る。
【解決手段】薄膜トランジスタを構成するための半導体膜を成膜した絶縁基板５０５を冷却しながら、この半導体膜に連続発振レーザ５０１を走査しながら照射し、結晶粒の長手方向が走査方向に長い帯状半導体結晶５０３に成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径を拡大し、薄膜トランジスタの電子移動度を高める画像表示システム及び低温ポリシリコンのレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る低温ポリシリコンのレーザアニール方法は、ｉ）第１金属層２２とシリコン膜層２３とが形成されたガラス基板２１に用いられ、波長が４００nm以上のレーザ光Ｌをシリコン膜層２３に照射し、シリコン膜層２３がレーザ光の一部成分を吸収して溶融され、且つレーザ光の他の成分がシリコン膜層２３を透過し第１金属層２２からシリコン膜層２３に反射され、シリコン膜層２３が反射されたレーザ光の他の成分を吸収し、溶融され再結晶化されるステップと、ｉｉ）レーザ光を照射した後、シリコン膜層２３を静置することにより、シリコン膜層２３の温度を室温まで下げるステップと、を含む。 （もっと読む）