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Fターム[5F110QQ01]の内容

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【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも1つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも1つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】寄生容量を小さくでき、応答速度低下を抑制することが可能なTFTを提供する。
【解決手段】基材110上に配設した有機半導体層150と、有機半導体層150と接触し、対向してチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、有機半導体層150と絶縁層160を介して設けられるゲート電極140と、ソース電極120と導電接続するソース電極配線部125と、ドレイン電極130と導電接続するドレイン電極配線部135と、ゲート電極140と導電接続するゲート電極配線部145と、からなるTFT100であって、積層方向からみて、有機半導体層150が、ゲート電極140を含み、ゲート電極140が、ソース電極120とドレイン電極130とチャネル領域とからなる領域を含み、有機半導体層150の周縁でソース電極配線部125とドレイン電極配線部135との間にはゲート電極配線部145が配される。 (もっと読む)


【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第1の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層(シード層)と、当該種結晶層(シード層)の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 (もっと読む)


【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】SON構造の半導体装置において、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができ、プロセスラインの汚染を防止することができて、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】SON構造9上部のシリコン層32の段差18をアライメントマーク20として用いることによって、アライメントマーク20の形状崩れが防止されて、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができるようになる。また、段差18が小さいためにフォトリソグラフィー工程で凹部へのレジストの残留やプロセス途中で発生するゴミの残留が防止され、プロセスラインの汚染が防止できる。その結果、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】気泡の除去を容易にするとともに変形を抑えた転写印刷用スタンプの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】転写印刷用スタンプ5は、通気性シート3に樹脂を含浸させて通気性シート3を第1樹脂層100中に含まれるように構成させている。これにより、第1樹脂層100中に含まれる気泡を通気性シート3の隙間を通して容易に脱気させることができる。そのため、気泡によるパターン欠損などの問題を解消することができる。また、通気性シート3は、第1樹脂層100中で骨格として機能するので、転写印刷用スタンプ5の強度を高めることができ、変形を抑えることができる。そのため、転写の寸法精度を高めることができ、大面積化させることができる。 (もっと読む)


【課題】高温での処理を行わないで架橋させることが可能な有機素子材料を提供すること。
【解決手段】フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。フッ素原子を含む基の好ましい例は、水素原子がフッ素で置換されたアリール基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルアリール基、特に水素原子がフッ素で置換されたフェニル基、水素原子がフッ素で置換されたアルキルフェニル基である。光二量化反応性基の好ましい例は、2位の水素原子がアリール基で置換されたビニル基、2位の水素原子がアリールカルボニル基で置換されたビニル基である。 (もっと読む)


【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第1の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマCVD法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第2の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマCVD法により積層形成する。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】所期の特性が得られ高品位な表示を得ることができる薄膜トランジスターの製造方法、及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターとしてのTFT素子の製造方法は、第1基板12上に半導体膜38を形成する工程と、半導体膜38上にゲート絶縁膜53を形成する工程と、ゲート絶縁膜53上にゲート電極35aを形成する工程と、ゲート絶縁膜53及びゲート電極35aを覆って、半導体膜38に注入する不純物72の量を調整するための、ゲート絶縁膜53とエッチングの選択比が異なる調整膜73を形成する工程と、調整膜73を介して半導体膜38に不純物72を注入する工程と、半導体膜38にアニール処理を施す工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】整流素子として用いるトランジスタの閾値電圧による出力電圧の降下が抑制された整流回路を提供する。または、入力される交流電圧の振幅が大きく変動する場合であっても、出力電圧の変動が抑制された整流回路を提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート電極を、容量素子を介して該トランジスタの第2の電極の後段に接続し、ゲート電極の電位を第2の電極の電位に比べて高く、且つその差が閾値電圧以上となるように保って整流素子として用いればよい。 (もっと読む)


【課題】本発明のフェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド樹脂を含有する有機絶縁層を用いた有機半導体素子は、トランジスタ特性及び耐湿熱性等の耐久性に優れており、実用性の高い有機半導体素子を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表されるフェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド樹脂を含有する有機絶縁層を有する有機半導体素子。


(式(1)中、各構造単位の平均重合度m及びnはm+n=2〜200であり、Ar及びArは2価の芳香族基、Arはフェノール性水酸基を有する2価の芳香族基を表す。) (もっと読む)


【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第1段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第2段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第3段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第4段階と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、簡易な製造工程で高精細なパターン状に導電性パターン等を効率よく形成可能なパターン形成体の製造方法、およびその方法により形成されたパターン形成体を用いた配線基板の製造方法や有機薄膜トランジスタの製造方法等を提供することを主目的としている。
【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板の光触媒含有層と、撥水性を有する樹脂製基材とを対向させて配置し、パターン状にエネルギーを照射することにより、前記樹脂製基材上に水との接触角が低下した濡れ性変化パターンをパターン状に形成するエネルギー照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置に於けるLDD構造とGOLD構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が2層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでLDD構造及びGOLD構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にLDD構造とGOLD構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にGOLD構造及びLDD構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。さらには、種結晶として、六方晶構造の亜鉛を含む結晶を有する種結晶を核として、結晶成長させて結晶性酸化物半導体膜を形成することで、単結晶、または実質的に単結晶である結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを用いて、高速動作が可能で、信頼性も高い半導体装置を歩留まりよく作製する。
【解決手段】絶縁膜上にマスクを形成し、該マスクを微細化する。微細化されたマスクを用いて凸部を有する絶縁層を形成し、これを用いて、微細なチャネル長(L)を有するトランジスタを形成する。また、トランジスタを作製する際に、微細化された凸部の上面と重なるゲート絶縁膜の表面に平坦化処理を行う。これにより、トランジスタの高速化を達成しつつ、信頼性を向上させることが可能となる。また、絶縁膜を凸部を有する形状とすることで、自己整合的にソース電極及びドレイン電極を形成することができ、製造工程の簡略化、また生産性を向上させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第1の支持体に移し替え、第1の支持体及びじん性の高い第2の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 (もっと読む)


【課題】電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを提供する。また、電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを、生産性高く作製する。また、経年変化の少ない表示装置を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜との間に、微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域を有する半導体積層体を有し、微結晶半導体領域は、ゲート絶縁膜側の窒素濃度が少なく、非晶質半導体に接する領域の窒素濃度が高く、且つ非晶質半導体との界面が凹凸状である。 (もっと読む)


【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 (もっと読む)


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