【課題】高い有機溶媒溶解性を有し、低いエネルギー付与で有機半導体化合物に変換可能な置換基脱離化合物と、これを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表され、エネルギー付与により一般式（Ｉａ）で表される化合物と一般式（II）で表される化合物に変換可能なことを特徴とする置換基脱離化合物。


［式（Ｉ）、（Ｉａ）、（II）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、該ＸおよびＹのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Ｑ_１乃至Ｑ_６は水素原子、ハロゲン原子または、一価の有機基である。］ （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。さらに、ゲート絶縁膜の一部として金属酸化物膜を用いることで、酸化物半導体膜への水素または水のなどの不純物の再混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素の間に設ける絶縁膜は、バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれ
、薄膜トランジスタのソース配線や、薄膜トランジスタのドレイン配線や、電源供給線の
上方に設けられる。特に、異なる層に設けられたこれらの配線の交差部は、他の箇所に比
べて大きな段差が形成される。隣接する画素の間に設ける絶縁膜を塗布法で形成した場合
においても、この段差の影響を受けて、部分的に薄くなる箇所が形成され、その箇所の耐
圧が低下されるという問題がある。
【解決手段】段差が大きい凸部近傍、特に配線交差部周辺にダミー部材を配置し、その上
に形成される絶縁膜の凹凸形状を緩和する。また、上方配線の端部と下方配線の端部とが
一致しないように、上方配線と下方配線の位置をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】電力変換効率の向上を実現するＤＣＤＣコンバータの提供を目的の一とする。
【解決手段】出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御回路を備える。バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。さらに、スイッチング素子として機能するトランジスタが、オフ電流の極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが分散媒体中に均一に分散されており、成膜性および成形性に優れ、かつ、簡便な方法で基板に塗工することができる組成物、ならびに該組成物から形成されたカーボンナノチューブ含有膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は（Ａ）カーボンナノチューブと、（Ｂ）金属塩およびオニウム塩から選ばれる少なくとも一種と、を含有する組成物であって、前記組成物中の前記（Ａ）成分の濃度Ｍ_Ａ（質量％）および前記（Ｂ）成分の濃度Ｍ_Ｂ（質量％）がＭ_Ｂ／Ｍ_Ａ＝２．０×１０^−４〜４．０×１０^−２である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に膜厚が２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の加熱処理を行って第１の酸化物半導体膜の表面から内部に向かって結晶成長させて第１の結晶層を形成し、第１の結晶層上に第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行って第１の結晶層からその上の第２の酸化物半導体膜表面に向かって結晶成長させて第２の結晶層を形成し、第２の結晶層を形成した後、さらに酸素ドープ処理を行って第２の結晶層に酸素原子を供給する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面にバルジを誘導するためのパターンを形成せずに組成物の液滴を付与して線状パターンを形成する場合に比べ、線状パターンに生じるバルジの方向が制御されるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に組成物の液滴を線状に付与して線状パターン１２Ａ，１２Ｂを形成する線状パターン形成工程と、線状パターンを形成すると共に又は線状パターンを形成する前に、液滴を付与して、前記線状のパターンの幅方向における片側の縁で接触するバルジ誘導用パターン１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを形成するバルジ誘導用パターン形成工程と、を含む。バルジ誘導用パターンを形成した後、線状パターンを形成することが望ましく、予めパターン形成領域外に組成物の液滴を付与してバルジ発生位置を確認するためのバルジ確認用パターンを形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極と有機半導体材料層との間の接触抵抗を低下させることができ、これを簡便な製造プロセスで実現できる半導体装置、光学装置及びセンサ装置を提供すること。
【解決手段】ソース電極５と、ドレイン電極６と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層７とを有し、有機半導体材料層７を介してソース電極５とドレイン電極６との間で電荷を移動させるように構成された有機電界効果トランジスタにおいて、ソース電極５及びドレイン電極６が、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、有機電界効果トランジスタ１ａ。 （もっと読む）

【課題】電気的特性ばらつきの小さい酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。電気的特性ばらつきの小さい酸化物半導体膜を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】透光性を有する酸化物半導体層をパターニングする際に、基板ステージからの散乱光を低減、もしくはその回り込みを少なくするために、基板ステージに光が到達しないように、光の透過を防止する機能を有する層をフォトレジスト層よりも下層に配置し、パターニングを行えばよい。さらに上記パターニング方法で形成した酸化物半導体層を用いて半導体装置を作製すればよい。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を低減させることができる相補型の論理回路を用いることで、消費電力を抑えることができる半導体装置の提案を目的の一とする。或いは、貫通電流を低減させることができる相補型の論理回路を用いることで、発熱を抑えることができる半導体装置の提案を目的の一とする。
【解決手段】通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第２のゲート電極が備えられたｎチャネル型トランジスタ、或いはｐチャネル型トランジスタを、相補型の論理回路に用いる。そして、オフ電流が極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタをスイッチング素子として用い、上記第２のゲート電極の電位を制御する。上記スイッチング素子として機能するトランジスタは、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を、チャネル形成領域に含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】自己整列可能であり且つコストを節減できる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタ基板は、多段差構造を有するように深さの異なる多数個の溝を有する基板と、前記基板の溝内に互いに交差するように形成されて多数個の画素領域を形成させるゲートライン及びデータラインと、前記基板の溝内に形成され、ゲートライン及びデータラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと、を含み、前記薄膜トランジスタの活性層は、前記ゲートライン及びゲート電極に沿って形成され、前記データラインを間に挟んで、隣接する画素領域の活性層と分離されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタのバイアス−熱ストレス試験において、再現性の高い測定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタを、遮光性を有する測定室に配置し、前記測定室内に、乾燥空気、窒素、又はアルゴンを導入し、露点−１１０℃以上−３０℃以下の雰囲気下に保持された前記測定室内で、前記トランジスタのゲート電極に所定の電圧を一定時間印加して、しきい値電圧の経時変化を測定するトランジスタの測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程数を減少させること、半導体装置の歩留まりを向上させること、半導体装置の作製コストを低減することを課題とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース領域１４４及びドレイン領域１４６並びにチャネル領域１４２を含む酸化物導電体層１４０と、チャネル領域１４２の導通状態を制御するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０とチャネル領域１４２との間に形成され強誘電体材料からなるゲート絶縁層１３０とを備え、チャネル領域１４２の層厚は、ソース領域１４４の層厚及びドレイン領域１４６の層厚よりも薄い電界効果トランジスタ。酸化物導電体層１４０は、型押し成形技術を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第１工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層を８０℃〜２００℃の範囲内にある第１温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第３工程と、前駆体組成物層を８０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第４工程と、前駆体組成物層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第５工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にマスクを形成し、マスクにスリミング処理を行い、マスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行い、絶縁膜を覆うように導電膜を形成し、導電膜および絶縁膜に研磨処理を行うことにより、導電膜および絶縁膜の厚さを等しくし、導電膜をエッチングして、導電膜より厚さの小さいソース電極およびドレイン電極を形成し、絶縁膜、ソース電極、およびドレイン電極と接する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）