【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体集積回路を挟むように覆う一対の導電性遮蔽体により、半導体集積回路の静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。また半導体集積回路を挟持する一対の絶縁体によって、薄型化及び小型化を達成しながら耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた動作特性を有する、グラフェン膜をチャネルに用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の作製時に用いた基板から、半導体素子を含む素子形成層を剥離するときに、剥離によって発生した静電気による放電を抑える。
【解決手段】基板１０上に剥離層１２、素子形成層１１を形成する。素子形成層１１の上面には、後で剥離可能な支持基材１３が固定される。支持基材１３を介して、素子形成層１１を変形させ、素子形成層１１と剥離層１２の界面で剥離を生じさせる。剥離によって逐次現れる素子形成層１１および剥離層１２が純水などの液体１５で濡れるように、液体１５を供給しながら剥離を行う。液体１５により素子形成層１１および剥離層１２の表面に発生した電荷が拡散され、剥離帯電による放電をなくすことができる。 （もっと読む）

【課題】集積回路の高集積化を妨げることなく、静電気放電（ＥＳＤ）による集積回路の破壊を防止するための保護回路を設ける。
【解決手段】高電源電位が印加される端子に電気的に接続される配線、および低電源電位が印加される端子に電気的に接続される配線を、それぞれ、誘電体を介して隣接させ、かつ集積回路を取り囲むように形成する。このことにより、端子と集積回路の間に配線抵抗が付加され、かつ２本の配線間に容量を付加することができる。ＥＳＤなどにより端子に過電圧が印加されても、そのエネルギーが配線抵抗および付加容量により消費されるため、集積回路の破壊を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、生長基板を提供する第一ステップと、前記生長基板の表面に触媒層を形成する第二ステップと、前記触媒層が形成された生長基板を反応炉に置き、保護ガスの雰囲気で加熱した後で、体積比が１００：１〜１００：１０のキャリヤーガス及びカーボンを含むガスを導入して、カーボンナノチューブ構造体を生長させ、該カーボンナノチューブ構造体を薄膜トランジスタの半導体層とする第三ステップと、前記半導体層にソース電極及びドレイン電極を分離して形成し、該ソース電極及びドレイン電極を前記半導体層に電気的に接続させる第四ステップと、前記半導体層に絶縁層を形成する第五ステップと、前記絶縁層の表面にゲート電極を形成し、薄膜トランジスタを形成する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子と、半導体素子上の絶縁膜と、絶縁膜中に、欠陥の多い領域と欠陥の少ない領域とを有し、欠陥の多い領域は、金属元素が拡散され、絶縁膜の表面の一部と裏面の一部をつなぐ導電領域である半導体装置、及び、基板上に半導体素子を形成し、半導体素子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に、半導体素子と電気的に接続された第１の導電膜を形成し、絶縁膜中にイオンを添加して、あるいはレーザビームを照射して、欠陥の多い領域を形成し、欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、欠陥の多い領域に、金属元素を拡散させ、絶縁膜中に、第１の導電膜と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する表示装置を作製するための技術を提供する。
【解決手段】固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い仮基板から耐熱性の低いフィルム基板に移載して形成薄膜トランジスタパネルにおいて、絶縁膜の貫通孔内に設けられた有底筒状の画素電極（薄膜）の底部周辺部が破損しにくいようにする製造方法の提供。
【解決手段】仮基板５１上に分離層５２、下地絶縁膜１およびゲート絶縁膜４を形成する。下地絶縁膜１およびゲート絶縁膜４に貫通孔１２を形成して、分離層５２の上面側に凹部１２ａが形成される。貫通孔１２および凹部１２ａの部分に有底筒状の画素電極１３を形成する。画素電極１３およびゲート絶縁膜４上に窒化シリコン等からなる補強膜４１を形成し、その上にフィルム基板４２を接着層４３を介して接着した後、仮基板５１および分離層５２を除去する。この状態では、画素電極１３の底部が下地絶縁膜１の下側に突出されるが、補強膜４１により、画素電極１３の底部周辺部が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン基板上の第１の酸化シリコン膜と、第１の酸化シリコン膜上の第２の酸化シリコン膜と、第２の酸化シリコン膜上のチャネル形成領域、シリサイドを有するソース領域及びドレイン領域を有する島状の単結晶シリコン薄膜と、チャネル形成領域上の熱酸化膜でなるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、上面にシリサイドが形成されたポリシリコンでなるゲート電極と、ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールとを有し、第１の酸化シリコン膜は第２の酸化シリコン膜より薄く、ゲート電極、サイドウォール及び島状の単結晶シリコン薄膜を覆い、ソース領域及びドレイン領域と接する窒化シリコンからなる層間絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ビット線の容量を小さくし、高速動作が得られるダイナミックランダムアクセスメモリを得ること。
【解決手段】ソース／ドレイン領域の一方になる第１の導電層６の上に、第１の半導体層１１、チャネル半導体層１２、ソース／ドレイン領域の他方になり、かつストレージノード２６にもなる第２の導電層１３が設けられている。第２の導電層１３の上にキャパシタ絶縁膜２１が設けられる。キャパシタ絶縁膜２１を介在させて、ストレージノード２６の上にセルプレート２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特性の向上を図ることのできる半導体装置（アレイ基板）の構成を提供する。
【解決手段】本発明に係るフレキシブル基板上に形成された半導体装置は、配線の一部を構成する第一配線層（ＧＬ１）と第二配線層（ＧＬ２）と、第一絶縁層（１５）と第二絶縁層（２３）とを少なくとも有し、該第一配線層は該第一絶縁膜上に形成されており、該第二配線層は該第二絶縁膜上に形成されており、該第二絶縁層は該第一配線層と該第二配線層との間に位置し、該第二配線層においては他の配線（ＳＬ１、ＳＬ２）との交差部を有さず、該第二配線層は、該第二絶縁層の一部を取り除いて該第一配線層と接続されている。かかる構成によれば、配線の一部を第一配線層と第二配線層とに分割したので、第一配線層下に第一絶縁層を分割して配置することができる。よって、機械的、または熱的な応力が加えられた場合であっても、下地絶縁膜におけるクラックの発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に、単結晶半導体層を多層構造とした、多層集積回路を形成する場合の、工程数の簡略化を図る。また同集積化の向上を図る。
【解決手段】複数の半導体素子が絶縁層を介して積層される半導体装置において、絶縁層を介して半導体素子を構成する半導体層が積層された構造を有し、一の半導体層が配線とコンタクトする領域が、絶縁層を介して設けられる他の半導体層と重畳するように配置された構成とする。当該コンタクトする領域は、該一の半導体層に設けられる一導電型不純物領域から延在するシリサイド層によって形成される。すなわち、一の半導体素子と配線とのコンタクト領域をシリサイドで形成すると共に上層半導体素子と重畳する位置に配置させ、該半導体素子を構成する一導電型不純物領域と配線とのコンタクト領域との間をシリサイドで連結する構成を有する。 （もっと読む）

【課題】剥離を容易に行うことができる剥離方法を提供する。また、剥離精度を向上させることにより、装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層を剥離後の半導体基板を再利用しつつ、特性が均一なチャネル領域とソース／ドレイン領域とを提供することを課題とする。
【解決手段】予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 重ね印刷工数の低減、精密な重ねパターン位置精度（アラインメント精度）および、実質的に無段差の積層を可能とすることにより、生産性の向上、寸法精度の向上、欠損・欠陥解消を可能とする新規な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 凸版オフセット法を用いて転写板の離型性面上に、複合インキパターン層を形成した後、該複合インキパターン層を被印刷体上に同時に反転転写する工程を有する電子部品の製造方法。導電性インキ、絶縁性インキ及び半導体を含有するインキを組み合わせることで、各種有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】支持基板上に、単結晶半導体層を多層構造とした、多層集積回路を形成する場合の、工程数の簡略化を図る。また同歩留まりの向上を図る。
【解決手段】基板面内の半導体素子の半導体接合界面領域は、支持基板側から、すなわち基板の素子が形成されていない面からレーザを直接照射し加熱することができるよう配置される。１層目の半導体素子層、２層目の半導体素子層が形成された後、支持基板側からレーザを照射することで、１層目の半導体素子層及び２層目の半導体素子層の、半導体接合界面領域の活性化を同時に行う。支持基板と前記半導体素子層との間の層は光透過性とし、レーザを減衰しない構造とする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】集積回路デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路は、複数のＴＦＴと電気的接続構造を含む。本発明のプロセスにおいては、ＴＦＴの少なくとも一部の構成要素を第１基板１０上に形成する。少なくとも相互接続構造を第２基板４０上に形成する。この２枚の基板１０、４０を積層して、ＴＦＴを有する集積回路デバイスを形成する。 （もっと読む）

【課題】交流信号によるダイオード接続されたトランジスタへのストレスを抑制し、整流回路の劣化を低減することを課題とする。
【解決手段】ソースまたはドレインとするための不純物元素が導入された第１の領域及び第２の領域、第３の領域、並びにチャネル領域を具備する半導体層と、ゲート絶縁膜を介して半導体層と一部重畳するよう設けられたゲート電極と、を有し、半導体層において、第１の領域は、交流信号が入力される第１の電極を介してゲート電極に電気的に接続されており、第２の領域は、第２の電極を介して容量素子に電気的に接続されており、第３の領域はゲート電極と重畳して設けられ、当該第３の領域が不純物元素を第１の領域及び第２の領域より低濃度に含む領域とする。 （もっと読む）

本明細書においては、デバイスを作成するための、伸張可能、折畳み可能、及び任意にはプリント可能なプロセスと、伸張、圧縮、撓曲、又は他の態様で変形される場合に良好な性能を示すことが可能な、半導体、電子回路、及びそれらの構成要素などの、伸張可能、折畳み可能、及び任意にはプリント可能なデバイスとが、開示される。歪み隔離層は、機能デバイス層に対して良好な歪み隔離をもたらす。多重層デバイスは、歪み誘起破損を受けやすい材料を含む機能層に対してコインシデントである又は近位に位置するようにニュートラル機械表面を位置決めするように、構築される。ニュートラル機械表面は、多重層デバイスの層のいずれかをパターニングすることなどにより、空間的に不均一である特性を有する１つ又は複数の層によって位置決めされる。 （もっと読む）