【課題】
転写型に形成された薄膜電子材料層を、転写型から良好に離型して転写することのできる薄膜電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型４に親液処理をする親液処理工程と、親液処理がされた転写型４に剥離層を形成する剥離層形成工程と、剥離層が形成された転写型４に薄膜電子材料層を形成する薄膜電子材料層形成工程と、前記転写型４に形成された薄膜電子材料層を基板上に転写する転写工程と、を備えている。剥離層を形成する前に親液処理を行うことで、剥離層をムラなく均一に広がるように形成することができる。それにより、転写型４に形成された薄膜電子材料層を転写型４から良好に離型して転写することができる。 （もっと読む）

【課題】 活性化率を十分に向上することができ、活性化の不均一さを軽減することが可能で、工程の変更や工数の増加を招くこともない薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 素子形成基板（透明基板）１上にアンダーコート層２を介して多結晶シリコン層４を形成し、不純物注入及び電極形成を行って薄膜トランジスタを形成した後、アンダーコート層２上の薄膜トランジスタを素子形成基板１から分離し、他の基板７上に転写する。素子形成基板１とアンダーコート層２の間に光吸収層３を犠牲層として設け、素子形成基板１側からレーザ照射することにより多結晶シリコン層４に注入した不純物の活性化を行う。 （もっと読む）

【課題】
薄膜トランジスタのソース・ドレイン間のＯＮ抵抗を低下することができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型に真空中にて半導体膜６を形成し、半導体膜６が形成された転写型に真空中にて連続してゲート絶縁膜７を形成する。そして、基板１上に予め形成されたゲート線２上に接着用樹脂４を介して前記ゲート絶縁膜７および前記半導体膜６を転写する。そして、基板１上に転写された前記半導体膜６に水素イオンをドープする処理を行う。それにより、半導体膜６の抵抗率を低下させることができるので、薄膜トランジスタのゲートがＯＮ状態のときのソース・ドレイン間の接続抵抗を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する電子デバイスを、素子の劣化を防いで簡易に且つ短時間で製造することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１２上に、特定の刺激によって発泡する発泡材を含む剥離層１４を形成する工程と、前記剥離層上に電子デバイスを構成する素子を含む構造体１１を形成する工程と、前記剥離層に前記特定の刺激を加えることにより該剥離層に含まれる前記発泡材を発泡させ、該剥離層を介して前記構造体を前記支持基板から剥離させる工程と、を有する電子デバイス１０の製造方法。好ましくは、発泡材として熱膨張性マイクロカプセル１５を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製方法において、不純物元素を選択的に偏析させる方法を提供する。また、ディープサブミクロン領域の微細素子を形成することを可能とする。
【解決手段】シリコン基板上に形成された酸化珪素膜と、酸化珪素膜上に形成された単結晶シリコン層を有する半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン層に不純物元素を注入し、単結晶シリコン層に電気的に不活性な元素を注入し、単結晶シリコン層を熱酸化し、不活性な元素を注入した領域に選択的に酸化領域を形成し、酸化領域に不純物元素を偏析させる半導体装置の作製方法により、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れたフレキシブル半導体装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置１００であり、樹脂フィルム３０と、樹脂フィルム３０の上に形成された金属層１０とを備え、金属層１０は、絶縁壁５１によって分断され、且つ、絶縁壁５１の一端５３は樹脂フィルム３０に接しており、絶縁壁５１によって金属層１０から、ゲート電極１０ｇ、ソース電極１０ｓおよびドレイン電極１０ｄが形成されている。ゲート電極１０ｇの上には、絶縁壁５１に接するゲート絶縁膜２２が形成されており、ゲート絶縁膜２２の上には半導体層２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した薄膜層を転写部材に歩留りよく簡単に転写する方法、および薄膜層転写用粘着テープを提供することである。
【解決手段】基板１上に形成された分離層２上にＴＦＴ１０（薄膜層）を形成する工程と、このＴＦＴ１０上に、側鎖結晶性ポリマーを含有する粘着剤層１６を基材フィルム１７の片面に設けてなり、かつ前記側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度で粘着力が低下する粘着テープ１５を貼付する工程と、分離層２に光を照射してＴＦＴ１０と基板１とを分離し、ＴＦＴ１０を基板１から粘着テープ１５に転写する工程と、転写したＴＦＴ１０を、接着層２０を介して転写部材２１上に接着する工程と、粘着テープ１５の粘着力を低下させ、ＴＦＴ１０を粘着テープ１５から転写部材２１に転写する工程と、を含む薄膜層の転写方法であり、粘着テープ１５からなる薄膜層転写用粘着テープである。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を介して基板同士を貼り合わせることで、一方の基板上に形成された半導体層を他方の基板に形成できると共に、半導体層の結晶構造を損傷させることなく高品質に維持できる半導体デバイス及びその製造方法を提案する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層７及びＳｉ基板４上に酸化膜6a，6bを形成するようにしたことで、当該III−Ｖ族化合物半導体層７及び酸化膜6a，6bへのダメージが低減され、酸化膜6a，6bを平坦に形成できると共に、III−Ｖ族化合物半導体層７の結晶構造も損傷させることなく高品質に維持できる。これにより酸化膜6a，6bを介しＳｉ基板４及びＩｎＰ基板12同士を貼り合わせることで、一方のＩｎＰ基板12上に形成されたIII−Ｖ族化合物半導体層７を他方のＳｉ基板４に形成できると共に、III−Ｖ族化合物半導体層７の結晶構造を損傷させることなく高品質に維持できた半導体デバイス１を提案できる。 （もっと読む）

【課題】フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。
【解決手段】不揮発性メモリ素子の島状半導体領域とフローティングゲート電極間、および、トランジスタの島状半導体領域とゲート電極間には、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積層膜が形成されている。第１の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。トランジスタはフローティングゲート電極と同じ層に形成されている導電膜と、コントロールゲート電極と同じ層に形成されている導電膜とを有し、これら２つの導電膜は電気的に接続され、トランジスタのゲート電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】転写技術を利用した薄膜装置の製造工程、およびその製造後に、誘導によって生じる帯電を防止することが可能な薄膜装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｓ１）を準備する工程と、テンプレート（Ｓ２）を準備する工程と、前記テンプレート表面にゲート電極（１０）を形成する工程と、前記基板およびテンプレートを貼り合わせる工程と、前記テンプレートから前記基板および前記ゲート電極を一体的に剥離して前記ゲート電極を前記テンプレートから前記基板に転写するする工程と、を有する。かかる方法によれば、ゲート電極の表面の平坦性が向上し、その上に形成されるゲート絶縁膜（１２）の表面の平坦性も向上する。その結果、ゲート絶縁膜の薄膜化が容易となり、半導体装置の消費電力の低減ができる。 （もっと読む）

【課題】 製造に際し、当初、耐熱性の高い仮基板を用い、最終的に、耐熱性の低いフィルム基板を用い、仮基板を除去し、これにより得られた薄膜トランジスタパネルにおいて、画素電極（薄膜）が破損しにくいようにする。
【解決手段】 仮基板５１上に形成された分離層５２上に画素電極２を形成する。この場合、画素電極２下以外の領域における分離層５２が膜減りしたとしても、その上に下地絶縁膜１を形成し、仮基板５１および分離層５２を除去すると、下地絶縁膜１の下面に平板状の画素電極２が凹んだ状態で埋め込まれることになるので、画素電極２が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

グラフェン含有プレートレットおよび表面からグラフェンを剥離する方法を記載する。該方法は、タンパク質で処理して剥離を促進することを含む。一実施形態において、該タンパク質はグラフェンの表面に接着し、そして製造したプレートレットはグラフェン層およびグラフェン層表面上のタンパク質層を含む。かようなプレートレットを有する電子デバイスもまた記載する。 （もっと読む）

【課題】基板上にダイを効率良く配置する。
【解決手段】フォトリソグラフィ及びエッチングによって、基体層及び平坦化膜を所定領域７０の周囲において除去し、所定領域７０を含むと共に、基体層の厚み方向から見て、構造物６２，６４に沿うように湾曲又は屈曲した側面を有する凸状部５１を形成する。次に、基体層を凸状部の周囲において厚み方向に分断することにより、凸状部５１を有するダイＤを形成する。その後、基板に貼り付けられたダイＤにおける基体層の一部を剥離層に沿って分離除去する。 （もっと読む）

【課題】素子基板の剛性を確保することと、ゲート絶縁膜に効率良く水素を供給することを、両立させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、素子基板２の第１面側にトランジスタ３とこれに電気的につながる配線層１２，１６を形成する工程と、素子基板２の第１面と反対側の第２面に複数の孔２１を形成する工程と、それらの孔２１を通して素子基板２の第２面からトランジスタ３のゲート絶縁膜５に水素を供給する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な安価な半導体装置及びその作製方法の提供する。
【解決手段】基板３２に、メモリセルの有機化合物層２０ｂに流れる電流を制御する素子であるＴＦＴ、ビット線である第１の電極層１８ａ〜１８ｃ、ソース線１７ａ〜１７ｃ、第２の電極層２１、第１の電極層１８ａ〜１８ｃと第２の電極層２１の間に有機化合物を含む積層（第１層（バッファ層２０ａ）と第２層（有機化合物層２０ｂ）の積層）を設けている。有機化合物層２０ｂは、導電性を有する有機化合物材料からなる層を単層または積層構造で設ける。導電性を有する有機化合物材料の具体例としては、キャリア輸送性を有する材料を用いることができる。集積回路部の接続電極２８、電極２９上にアンテナ３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板容量及び基板抵抗を低減することにより、高速及び高周波で動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、第１導電型の半導体基板に第２導電型の第１の不純物層を形成することにより、半導体基板にＰＮ接合を形成する工程（ａ）と、第１の不純物層の上面の半導体基板表面に、半導体素子と、第１の不純物層と電気的に接続される導電層とを形成する工程（ｂ）と、導電層を、エッチング用電源の正電極と接続し、対向電極をエッチング用電源の負電極と接続し、半導体基板と対向電極とをエッチング液に浸し、半導体基板の内部に形成されたＰＮ接合に逆バイアスを印加することにより、第１の不純物層をエッチング停止層として、第１導電型の半導体基板を除去する工程（ｃ）と、第１の不純物層の下面に、恒久支持基板を取り付ける工程（ｄ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。
【解決手段】基板１０の表面側に形成された拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎと、前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎの表面に形成されていて前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎよりも抵抗が低い低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎと、前記基板１０の裏面側より前記基板１０を貫通して前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎを通して前記低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎに接続された裏面コンタクト電極６３Ｐ、６４Ｐ、６３Ｎ、６４Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに半導体基板の薄膜化を可能にし、コスト低減を図った、固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１に、光電変換素子と複数のＭＯＳトランジスタとからなる画素が配列された撮像領域と、周辺回路と、半導体基板２１の表面から厚み方向に半導体基板２１より硬度が大きく且つ厚み方向の底面に、より硬度の大きい材料膜６６を形成した柱状の終端検出部６３とを有し、半導体基板が裏面からの化学機械研磨により前記終端検出部６３が露出する位置まで薄膜化され、半導体基板２１の表面にＭＯＳトランジスタＴｒ１が形成され、半導体基板２１の裏面から入射光を取り込むようにして成る。 （もっと読む）