【課題】気泡の除去を容易にするとともに変形を抑えた転写印刷用スタンプの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】転写印刷用スタンプ５は、通気性シート３に樹脂を含浸させて通気性シート３を第１樹脂層１００中に含まれるように構成させている。これにより、第１樹脂層１００中に含まれる気泡を通気性シート３の隙間を通して容易に脱気させることができる。そのため、気泡によるパターン欠損などの問題を解消することができる。また、通気性シート３は、第１樹脂層１００中で骨格として機能するので、転写印刷用スタンプ５の強度を高めることができ、変形を抑えることができる。そのため、転写の寸法精度を高めることができ、大面積化させることができる。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑制することが可能な非平面形状ディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 非ガラス素材によって形成された非平面形状の絶縁基板、前記絶縁基板に接着された下地絶縁層、前記下地絶縁層上に形成されたスイッチング素子、及び、前記スイッチング素子に接続された画素電極を備えたアレイ基板と、非ガラス素材によって形成され、前記アレイ基板に貼り合わせられた対向基板と、を備えたことを特徴とする非平面形状ディスプレイ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第１の支持体に移し替え、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】粘着材の耐熱性に関わらず高温での処理を行うことを可能とする半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体による薄膜トランジスタなどからなる半導体素子層１と、金属、ガラス、ポリマーなどの基板２と再剥離性有す粘着剤層３と支持材層４をこの順に積層させ、高温処理が必要な加熱工程の前で、基板２を粘着材層３から剥離し、半導体素子層１と基板２を加熱する。高温処理終了後、基板２を粘着材層３に再度積層する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタにおけるソースの高キャリア濃度化をプロセス面での負荷を抑えつつ実現する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３０は、３−５族化合物半導体のチャネル層２０の第１面のゲート領域に形成される。ソースコンタクト層３４およびドレインコンタクト層３８は、チャネル層２０の第１面にゲート領域を挟むように位置するドレイン領域およびソース領域それぞれに形成される。裏面絶縁膜５０は、チャネル層２０の第１面と反対側の第２面側に形成される。ソース下面電極５２は、裏面絶縁膜５０のチャネル層２０と反対の面側に、ソースコンタクト層３４と対向する領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体領域に酸化物半導体を用いた、高耐圧で、大電流の制御が可能であり、かつ量産性に優れた半導体素子を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体領域に酸化物半導体を用いたトランジスタと、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層の各々と電気的に接続した貫通電極を備えた半導体チップを積層し、トランジスタを電気的に並列接続することによって、実質的にＷ長の長い半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気的特性のばらつき及び電気的特性の劣化は、半導体装置の信頼性を著しく低下させる。
【解決手段】基板上に形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する、端部がテーパー角を有し、かつ上端部が曲面形状を有するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層の一部と接し、かつ酸化物半導体層、ソース電極及びドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、酸化物半導体層と重畳する、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
転写型に形成された絶縁膜を基板上に形成された接着膜に転写する際、接着膜の膜厚の不均一を低減する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型に半導体膜を形成する半導体膜形成ステップＳ１１と、半導体膜が形成された転写型に絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップＳ１２と、基板上に予め形成された電極上に接着膜を形成する接着膜形成ステップＳ０２と、接着膜を硬化させる硬化ステップＳ０３と、硬化した接着膜を介して電極上に絶縁膜および半導体膜を転写する転写ステップＳ２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で動作し、記憶情報の信頼性が高く、小型で軽量、安価な記憶装置と
その駆動方法を提供することを課題とする。さらに低消費電力で動作し、記憶情報の信頼
性が高く、無線通信距離の長い、小型で軽量、安価な半導体装置とその駆動方法を提供す
ることを課題とする。
【解決手段】記憶装置は、少なくとも記憶素子がマトリックス状に配置されたメモリセル
アレイと、書き込み回路とを有し、記憶素子は第一の導電層と、第二の導電層と第一の導
電層と第二の導電層とに挟まれて設けられた有機化合物層とを有し、書き込み回路は、複
数回印加する電圧を発生させる電圧発生回路と、電圧の出力時間を制御するタイミング制
御回路とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一とする。周囲が明るい環境でも薄暗い環境でもその環境に合わせて画像表示を認識できる液晶表示装置を提供する。或いは、外光を照明光源とする反射モードと、光源を用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の領域及び第２の領域を有する画素部と複数の光源とを有し、第１の領域及び第２の領域は、入力される画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。フルカラー画像の表示を行う場合、光源から、第１の領域に異なる色相を有する光が第１の輪番に従い順次供給されると共に、第２の領域にも異なる色相を有する光が、第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い順次供給される。モノクロ画像の表示は画素電極が有する反射領域で外光を反射することで行う。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが分散媒体中に均一に分散されており、成膜性および成形性に優れ、かつ、簡便な方法で基板に塗工することができる組成物、ならびに該組成物から形成されたカーボンナノチューブ含有膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る組成物は（Ａ）カーボンナノチューブと、（Ｂ）金属塩およびオニウム塩から選ばれる少なくとも一種と、を含有する組成物であって、前記組成物中の前記（Ａ）成分の濃度Ｍ_Ａ（質量％）および前記（Ｂ）成分の濃度Ｍ_Ｂ（質量％）がＭ_Ｂ／Ｍ_Ａ＝２．０×１０^−４〜４．０×１０^−２である。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に形成された能動素子をフィルムに転写した後、ガラス基板を除去し、フィルム上に能動素子を残すことで、薄膜化および軽量化された能動素子基板を形成する技術が知られているが、この技術を用いた場合、例えばクラックや、転写欠陥、物理的欠陥が見られないのにも係わらず、電気的動作不良による歩留まりが低いという課題がある。
【解決手段】製造工程として、プラスチックフィルム１０２が露出した水蒸気を含む雰囲気で熱処理する工程を追加した。水蒸気中での熱処理を行うことで、水分がプラスチックフィルム１０２中に浸透する。この水蒸気熱処理の作用として、トランジスターの閾値電圧値を０Ｖ近傍の正常値に引き戻し、さらに半導体回路の消費電流とその標準偏差を低減することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板に転写方式で薄膜トランジスタを備える画像表示装置を製造することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
支持基板の主面側に有機材料からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の上層に半導体回路または表示回路を形成する工程と、前記樹脂膜に吸収される波長の光を前記支持基板側から照射して、前記支持基板から前記樹脂層を剥離する工程と、前記樹脂層を薄膜化又は除去する工程と、前記樹脂層の側から第１基板を貼る工程とを有する画像表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第２の絶縁膜中に酸素原子を供給し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理及び酸素ドープ処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）