【課題】ＳＯＩ基板を用いずに半導体基板の薄膜化を可能にし、コスト低減を図った、固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１に、光電変換素子と複数のＭＯＳトランジスタとからなる画素が配列された撮像領域と、周辺回路と、半導体基板２１の表面から厚み方向に半導体基板２１より硬度が大きく且つ厚み方向の底面に、より硬度の大きい材料膜６６を形成した柱状の終端検出部６３とを有し、半導体基板が裏面からの化学機械研磨により前記終端検出部６３が露出する位置まで薄膜化され、半導体基板２１の表面にＭＯＳトランジスタＴｒ１が形成され、半導体基板２１の裏面から入射光を取り込むようにして成る。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板上に設けられた第１の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第２の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０からその上面までの高さが高い駆動回路部６０と、駆動回路部６０と所定の距離を隔てて絶縁性基板１０上に設けられたＴＦＴ３５とを接続する配線層３０によって接続する前に、ＴＦＴ３５と駆動回路部６０との間にＳＯＧ膜２６を形成する。そして、さらに駆動回路部６０の上面に形成されたＳＯＧ膜２６をエッチバックすることによって除去することによって駆動回路部６０の上面と絶縁性基板１０との間の段差を緩和し、駆動回路部６０の底部近傍で配線層３０が断線することを防止する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体装置の入出力電極の取出し抵抗を低下させるとともに、有機半導体装置を簡便に製造する。
【解決手段】共役ポリマーを有する活性層と、活性層に接する一対の入出力電極とを備え、一対の入出力電極の少なくとも一方は、活性層に接するオーミック層と、オーミック層に接する導電層とを有する。上記有機半導体基板において、導電層とオーミック層とは、導電層とオーミック層との界面に垂直な方向から見て略同一のパターンであってよい。オーミック層は、電荷移動錯体分子または電子受容性有機分子を有してよい。共役ポリマーは、フルオレン−チオフェン コポリマーであってよい。 （もっと読む）

【課題】加熱による不具合の発生を回避した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１の製造方法は、表面に酸化膜、ゲートパターンおよび不純物イオン注入部を有し所定の深さに水素イオン注入部４１が形成されているＳｉ基板を用いてＳｉ薄膜トランジスタを形成しており、水素イオン注入部４１にマイクロ波Ｍ１を照射して水素イオン注入部４１を熱処理する照射工程と、照射工程の後、水素イオン注入部４１においてＳｉ基板を劈開剥離して、酸化膜、ゲートパターンおよび不純物イオン注入部を有するＳｉ薄膜を分離する剥離工程と、Ｓｉ薄膜を絶縁基板上に接合する接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 薄くて軽く、しかも、酸素や水などの外部物質の侵入を阻止する封止性能に優れた封止部材を備えた、カラ−ディスプレイなどに好適な機能性有機物素子及び機能性有機物装置を提供すること。
【解決手段】 まず、絶縁性基板１の上に、有機半導体層４を有する有機薄膜トランジスタを形成する。次に、有機半導体層４への外部物質の侵入を阻止する第１の封止層３１を、形成時に有機半導体層４にダメージを与えることが少ない蒸着法や塗布法などで、有機薄膜トランジスタを被覆するように形成する。これとは別に、プラズマＣＶＤ法などによって、封止性能の高い第２の封止層３３を有機高分子樹脂材３２に形成する。次に、第１の封止層３１が設けられた基板１に、第２の封止層３３が設けられた有機高分子樹脂材３２を、防湿性樹脂３４によって貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】全体的な工程を簡素化するとともに薄膜素子を効果的に転写することのできる、薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜素子の製造方法は、第１基板１１上に犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層のうち、薄膜素子が形成される領域を除いた部分を選択的に除去する段階と、前記犠牲層上に物質膜１２ｂを形成する段階と、前記物質膜上に所望の薄膜素子のための薄膜積層体１５を形成する段階と、前記薄膜積層体１５から前記所望の薄膜素子を形成する段階と、前記犠牲層の露出領域から前記犠牲層を除去する段階と、前記薄膜素子が形成された前記薄膜積層体１５上に支持体１７を臨時接合して、前記薄膜積層体１５から前記薄膜素子を分離する段階と、前記支持体１７に臨時接合された薄膜素子を第２基板上２１に転写する段階とを含み、前記選択的に除去された領域に充填された前記物質膜部分がアンカーとして提供される。 （もっと読む）

【課題】製造時或いは使用時における薄膜素子等の破損を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】薄膜体と当該薄膜体を支持する基板とを含む薄膜装置の製造方法であって、第１基板(11)の一面に薄膜体(15)を形成する第１工程と、前記薄膜体を第２基板(18)の一面に接合する第２工程と、前記第１基板を前記薄膜体から取り外すことによって、前記薄膜体を前記第２基板上へ転写する第３工程と、を含み、前記薄膜体は、平面視において複数の隅部を有し、当該複数の隅部のうち少なくとも１つの隅部(15a)が面取りされており、前記第３工程において、前記第１基板は、前記薄膜体の前記１つの隅部と接する側から剥がされる、薄膜装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体集積回路を接続する配線の位置を容易に決定することを課題にする。
【解決手段】第１の基板上に第１の分離層と第１の半導体素子層を形成し、第１の半導体素子層に第１のレーザビームを照射することにより第１の開口部を形成し、第１の開口部に第１の半導体素子層と接続する第１の配線を形成し、第１の半導体素子層上に第１の保護材を形成し、第１の保護材に第１の配線に接続する第１の電極を形成し、第１の分離層に沿って第１の基板と第１の半導体素子層を分離し、上述の作製工程により第２の基板上に、第２の分離層、第２の半導体素子層、第２の配線、第２の保護材、第２の電極を作製し、第２の電極と第１の配線を接続するように第２の保護材上に第１の半導体素子層を貼り合わせ、第２の分離層に沿って第２の基板と第２の半導体素子層を含む積層構造を分離する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧のばらつきが小さい記憶素子部と、低消費電力で高速な論理素子部を有する半導体装置を可能にする。
【解決手段】記憶素子部１２と論理素子部１３とに素子分離領域１４で分離された半導体層１１の記憶素子部１２の第１面Ｓ１側に第１ゲート電極２３を有する第１電界効果トランジスタ２１と、記憶素子部１２の第２面Ｓ２側に第２ゲート電極３３を有し、第１電界効果トランジスタ２１とソース・ドレイン領域を共通とする第２電界効果トランジスタ３１と、論理素子部１３の第１面Ｓ１側に第３ゲート電極４３を有する第３電界効果トランジスタ４１と、第１面Ｓ１側に形成された第１絶縁膜５１と、第２面Ｓ２側に形成された第２絶縁膜６１を有し、第１、第２電界効果トランジスタ２１、３１は完全空乏型の電界効果トランジスタであり、第１、第２ゲート電極２３、３３は電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】メモリ回路において、トランジスタの特性に依存することなく情報を保持できる時間のバラツキを是正する半導体装置を提供することである。
【解決手段】トランジスタの漏洩電流に対して別の電流経路を追加する。別の電流経路に流れる電流をトランジスタの漏洩電流に比べて大きくすることでトランジスタの特性に依存することなく情報を保持できる時間のバラツキを是正させる。構成としては、トランジスタに漏洩電流を流させないように容量と並列に素子を追加し、別の電流経路を設ける。 （もっと読む）

【課題】メモリ回路の高集積化、あるいは小型化を果たす上で、メモリセルの面積を縮小することが重要になると考えられる。特別なプロセスを増やすことなくメモリセルの面積を縮小化した記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】選択トランジスタと、メモリ素子と、アシスト容量とを有する半導体装置であって、メモリ素子の一方の電極とアシスト容量の一方の電極は共通電極であり、アシスト容量の他方の電極は不純物を有する半導体膜から形成され、メモリ素子の一方の電極とアシスト容量の他方の電極は絶縁膜を介して重畳している。 （もっと読む）

【課題】静電気放電に起因する特性の不良を低減した半導体装置及びその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、（１）回路部の周辺領域において、第１及び第２の絶縁膜が直接接する構成、（２）第１及び第２の絶縁体が密着する構成、（３）第１及び第２の絶縁体の外側の面にそれぞれ第１及び第２の導電層が設けられ、第１及び第２の導電層は、周辺領域の外側の側面で導通をとっている構成の少なくとも一を備える。なお、側面での導通は、半導体装置分断の際に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題（静電気破壊の問題）を解決することを目的とする。
【解決手段】第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、を有し、前記第１の絶縁体と前記回路との間に第１の導電膜が設けられ、前記第２の絶縁体と前記アンテナとの間に第２の導電膜が設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置Ｓは、各第２領域Ｒ２の少なくとも一部の平坦な領域に互いに同じ厚みで形成された第１平坦化膜１３と、各第１平坦化膜１３の間にゲート電極８ａ，８ｂを覆うように設けられて第１平坦化膜１３よりも研磨選択比が小さい材料により構成され、第１平坦化膜１３の表面と面一になるように研磨されることにより第１平坦化膜１３の表面に連続する平坦な表面を有する第２平坦化膜１４とを備えている。基体層１の一部は、第１平坦化膜１３又は第２平坦化膜１４を介して剥離用物質がイオン注入されることにより形成された剥離層に沿って分離されている。 （もっと読む）

【課題】高機能化、高感度化が可能な有機半導体装置、検出装置および検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、有機半導体からなる活性層２０と、活性層２０にキャリアを注入するソース電極１６と、活性層２０からキャリアを受けるドレイン電極１８と、活性層２０の一面に設けられ、キャリアの伝導を制御するゲート電極１２と、活性層２０の前記一面と反対の面のソース電極１６とドレイン電極１８との間の領域の少なくとも一部上に設けられ、ターゲット分子に対し感応性を有する感応膜２２と、を具備する有機半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】結晶質シリコンを用いたＴＦＴを備えた、画質の良好なフレキシブル発光装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０２と、下地絶縁膜１０２の第１の面に形成された薄膜トランジスタと、下地絶縁膜１０２の第１の面に、薄膜トランジスタを介して形成された層間絶縁膜１１１と、該第１の面の裏面である第２の面に形成された第１の画素電極１１６と、該第２の面に、第１の画素電極１１６を介して形成されたエレクトロルミネッセンス層と、該第２の面に、第１の画素電極１１６及びエレクトロルミネッセンス層を介して形成された第２の画素電極１１９と、層間絶縁膜１１１に設けられたコンタクトホールにおいて薄膜トランジスタの半導体層と電気的に接続し、且つ少なくとも層間絶縁膜１１１及び下地絶縁膜１０２を貫通する貫通孔１１２において第１の画素電極１１６と電気的に接続する配線１１３ｅと、を有するフレキシブル発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】構造的に安定でありながらもチャネル部におけるキャリア移動度が確保された特性の良好なボトムコンタクト・トップゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１の表面側に埋め込まれたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄと、ソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄとこれらの間の基板１１とに接する状態で基板１１上に設けられた半導体層１５と、半導体層１５上に設けられたゲート絶縁膜１７と、ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間における半導体層１５上にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを備えた半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】活性層に金属酸化物を用いたトランジスタの、閾値電圧を安定化させる。
【解決手段】第１の金属酸化物層と、シート抵抗の値が前記第１の金属酸化物より大きい第２の金属酸化物層と、前記第１の金属酸化物層と電気的に結合される一対の入出力電極と、前記一対の入出力電極の間におけるインピーダンスを制御する制御電極とを備え、前記制御電極と、前記第１の金属酸化物層と、前記第２の金属酸化物層とが、この順に配される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶性有機半導体材料が用いられることにより、半導体特性に優れた有機半導体素子を製造することが可能な有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、第１基板と、上記第１基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成され、液晶性有機半導体材料からなる有機半導体層とを有する有機半導体素子用基板、および、第２基板を用い、上記第２基板を、上記有機半導体層上に配置し、上記有機半導体層を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度以上に加温することによって、上記有機半導体層を介して上記ゲート絶縁層と上記第２基板とを接着する接着工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）