【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 （もっと読む）

【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第１の導体パターンを形成し、第１の導体パターンより微細な第２の導体パターンを形成し、前記第２の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第２の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな出力のレーザー光照射を必要とせず、被剥離層等に損傷を与えることなく、被剥離層を転写した発光装置。
【解決手段】バリア膜が設けられたプラスチック基板に被剥離層が転写された発光装置であって、プラスチック基板に選択的に金属酸化物が残存している。金属酸化物は、ガラス基板上の剥離層に加熱処理を行ってから剥離したときに残存したものである。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ領域におけるゲート間距離などのレイアウトに依存することなく、半導体層のチャネル領域に有効に応力を作用させることができる半導体装置を実現する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の構成として、素子分離層４で素子分離されたトランジスタ領域を有する半導体層３と、トランジスタ領域で半導体層３の第１の面上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６と、トランジスタ領域で半導体層３の第１の面と反対側の第２の面上に形成された応力膜３１とを備え、応力膜３１は、シリサイド膜を用いて形成されている。
【選択図】図１３
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【課題】小型のレーザ照射装置で光干渉がなく、連続した結晶成長を実現することである。
【解決手段】メガヘルツレーザビームを用い、分割したレーザビームを半導体膜に照射して、半導体膜を結晶化する。その際に分割ビームに光路差を設けて光干渉を抑える。光路差はメガヘルツレーザビームのパルス幅に相当する長さ以上、パルス発振間隔に相当する長さ未満に設定され、非常に短い光路差で光干渉を抑えることができる。そのためレーザのエネルギー劣化がなく効率的に且つ連続的にレーザビームを照射することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成した後、基板から剥離を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微小なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため、搬送時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。
【解決手段】
本発明は、分離層に対して少なくとも異なる２種類の方法を用いてダメージ（レーザ光照
射によるダメージ、エッチングによるダメージ、または物理的手段によるダメージ）を複
数回与えることにより、基板から被剥離層を効率よく剥離する。また、剥離後のデバイス
に反りを持たせることによって、個々のデバイスの取り扱いを容易とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ない工程で多層配線化を実現し、小面積で高機能な機能回路を有する配線基板及び半導体装置を提供する。またこのような高機能な機能回路を表示装置と同一基板上に一体形成した半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、絶縁表面を有する基板上に、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜と、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールを有し、前記第２の配線の幅を前記第１の配線の幅より広いか、あるいは前記第３の配線の幅を前記第１の配線の幅もしくは前記第２の配線の幅より広く、且つ前記第２のコンタクトホールの直径を前記第１のコンタクトホールの直径より大きく形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いる半導体装置において、電気特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜の側面は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟んで形成されたドーパントを含む領域とを含み、酸化物半導体膜上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲート電極と、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソース電極およびドレイン電極とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】消費電力を極力抑制することで電源の安定化を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】ロジック部１１、メモリ部１２、ロジック部とメモリ部の一方又は両方の動作頻度を検出する検出部１３、検出部の検出結果に基づきロジック部及びメモリ部の一方又は両方にしきい値制御信号を供給するしきい値制御部１４を有する半導体装置である。ロジック部とメモリ部の各々は複数のトランジスタを有しており、複数のトランジスタの各々は、論理信号が入力される第１のゲート電極と、しきい値制御信号が入力される第２のゲート電極と、半導体膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカ
ードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供
することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装
置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソ
ース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導
電層とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製
方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を
有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけら
れた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとし
て機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向
に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向
と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面
を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】完全空乏型ＳＯＩデバイスの製造に適したセミコンダクタオンインシュレータ（ＳｅＯＩ）ウェーハおよびそれを用いたデバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、第１の基板の表面領域にドープ層、ドープ層上に埋め込み酸化物層、埋め込み酸化物層上に半導体層を形成してＳｅＯＩウェーハを得る。ＳｅＯＩウェーハの第２の領域の埋め込み酸化物層および半導体層を維持しながらＳｅＯＩウェーハの第１の領域から埋め込み酸化物層および半導体層を除去し、第２の領域に上部トランジスタを形成する。第１の領域にリセスチャネルアレイトランジスタを形成し、第２の領域にｐチャネルトランジスタおよび／またはｎチャネルトランジスタを形成する。ドープ層内またはこの近傍にバックゲートを形成し、第１の領域にリセスチャネルアレイトランジスタを形成し、ドープ層内またはその近傍にソース領域およびドレイン領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスにおける接着層からの脱ガスを抑制するフレキシブル電子デバイスの製造方法、および脱ガスが少ないフレキシブル電子デバイス製造用の樹脂層付積層基板ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材を提供する。
【解決手段】寸法安定性に優れた支持基板３０に接着層２０を介して可撓性基板２２を接着した後に熱処理を行うことで接着層２０の揮発成分の少なくとも一部を放出させ、かつ接着層２０の露出部を覆う樹脂層２４を設けることにより、接着層２０からの脱ガスを抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）