【課題】半導体チップ１と放熱部材２、３との間でショートすることを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】各放熱部材２、３のうち半導体チップ１と対向する面に第１の絶縁膜５または第２の絶縁膜６を形成し、半導体チップ１の側面の全面およびガードリング９を覆うように表面に第３の絶縁膜１０を形成する。このような半導体装置とすることで、異物が混入された状態で半導体装置が形成されたとしても、半導体チップ１と放熱部材２、３との間でショートすることを抑制することができ、また、放熱部材２、３の間でショートすることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】応力緩和構造を必要とせず、しかもスルーホールを用いてグランドをとることができる半導体素子冷却装置を提供する。
【解決手段】半導体素子冷却装置１０は、内部に冷媒流路１４ａが形成された金属製の冷却器１１と、冷却器１１上に半田付けされた金属ベース基板２０とを備えている。冷却器１１及び金属ベース基板２０には、半田付けを行う前に、半田付け用の表面処理がなされており、冷却器１１の表面上及び金属ベース基板２０の半田付け面には表面処理層１１ａ，２１が設けられている。即ち、冷却器１１の表面上には、第１表面処理層１１ａ、半田層２７ａ、第２表面処理層２１、金属ベース２２、絶縁樹脂層２３、回路層２４が順に積層されている。そして、ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６は、回路層２４上に形成された半田層２７ｂを介して回路層２４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】フェースダウンの実装構造とされる半導体装置の製造方法において、ヒートシンクと筐体との間の絶縁性を保つために配置される絶縁膜の形成工程の簡略化を図る。
【解決手段】半導体チップ２を形成する際のウェハ状態のときにヒートシンク２ｃおよび絶縁層２ｄを半導体素子が形成された半導体ウェハに貼り合せ、これらを同時にダイシングカットすることにより、ヒートシンク２ｃの表面に絶縁層２ｄが備えられた半導体チップ２を複数個一度に形成する。これにより、素子部２ａに貼り合わせたヒートシンク２ｃを筐体４に固定するたびに絶縁性フィルムを配置する場合と異なり、既に半導体チップ２に絶縁層２ｄが備えられた状態となっているため、ヒートシンク２ｃと筐体４との間の絶縁性を保つために配置される絶縁膜の形成工程の簡略化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにおいて生じる熱を外方に放熱させるヒートシンクを備える半導体装置において、ヒートシンクの剥離を防止でき、また、ヒートシンクを封止するモールド樹脂中にボイドが発生することを防止できるようにする。
【解決手段】板状に形成されたヒートシンク３と、その表面３ａ側に固定される半導体チップ７と、ヒートシンク３の裏面３ｂが露出するようにヒートシンク３及び半導体チップ７を封止するモールド樹脂９とを備え、ヒートシンク３の側面３５ａのうちモールド樹脂９によって覆われる部分に、前記側面３５ａから前記表面３ａに沿って延びる突起３７が、前記ヒートシンク３の表面３ａ及び裏面３ｂとの間に段差を有して形成されている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップにおいて生じる熱を外方に放熱させるヒートシンクを備える半導体装置において、ヒートシンクの剥離防止及び半導体チップの保護を図り、さらに、容易に製造できるようにする。
【解決手段】略板状に形成されたヒートシンク３の表面３ａに基板５及び半導体チップ７を順次重ねて固定されると共に、ヒートシンク３の裏面３ｂが外方に露出するように、ヒートシンク３、基板５及び半導体チップ７をモールド樹脂９により埋設して構成され、基板５は、ヒートシンク３の表面３ａに沿う基板５の少なくとも一方向の長さ寸法が前記一方向に沿うヒートシンク３の長さ寸法よりも長くなるように形成され、基板５は、その一方向の端部５５がヒートシンク３の表面３ａの周縁から突出するように配されている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱電変換を効果的に行うことが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、主表面に発熱源１１が形成された半導体チップ１０と、半導体チップ１０が信号バンプ１３を介してフリップチップ実装されたモジュール基板１６と、半導体チップ１０の主表面の最高温度領域の近傍に接続された高温側端子１５ａと、低温側端子１５ｂとを有するゼーベック素子１５と、低温側端子１５ｂに接続された放熱部１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】設置領域が発光素子の真下部分近傍に限定された厳しい使用環境の下で、ファンを使用することなく、効果的に発光素子を冷却することができる、小型筐体内に配置される光源冷却装置を提供する。
【解決手段】一方の面が光源に熱的に接続されて水平から所定角度で傾斜して配置された金属板材と、前記金属板材に熱的に接続された複数の第１の放熱フィンからなる放熱フィン部と、前記金属板材に一方の端部が熱的に接続され、屈曲部と前記光源の垂直下方からずらして配置される垂直部からなるヒートパイプと、前記ヒートパイプの前記垂直部に挿通された複数の第２放熱フィンとからなる、小型筐体内に配置される光源冷却装置。 （もっと読む）

【課題】 放熱板の放熱性能の低下を抑えつつ、放熱板と半導体素子部との接着部の熱膨張の差に起因するダメージを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体素子２２と、冷却器３２と、半導体素子２２と冷却器３２の間に設けられているとともに半導体素子２２の裏面が接着されている放熱板１２とを備えるモジュール１０であって、放熱板１２は、半導体素子２２が接着する接着範囲に第１領域と第２領域を有しており、第１領域は、前記接着範囲の周縁に設けられており、第２領域は、前記接着範囲の中央部に設けられており、半導体素子２２の裏面の熱膨張率と第１領域の熱膨張率の差は、半導体素子２２の裏面の熱膨張率と第２領域の熱膨張率の差よりも小さく、第２領域の熱伝導率が第１領域の熱伝導率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながらパッケージ基板とＬＳＩとの接合部やＬＳＩとヒートスプレッダの接合部の破壊を防止して信頼性を向上することができるパッケージ構造、それを搭載したプリント基板、並びに、かかるプリント基板を有する電子機器を提供する。
【解決手段】外部のプリント基板２００に搭載可能なパッケージ構造であって、発熱性回路素子１０２を搭載したパッケージ基板１１０と、発熱性回路素子からの熱を、発熱性回路素子を放熱するためのヒートシンク１９０に伝達するヒートスプレッダ１５０と、発熱性回路素子とヒートスプレッダとの間を封止し、発熱性回路素子及びヒートスプレッダと協同して封止空間ＣＡを形成する接合部材１４０と、封止空間に封止される液体金属１６０とを有し、接合部材は、発熱性回路素子の外周において発熱性回路素子とヒートスプレッダとを接続する銅又はアルミニウムを含有する固体金属である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子２００ａとヒートシンク１００ａの接合時の熱応力を低減するとともに、放熱効率を向上させる。
【解決手段】ヒートシンク１００ａは、表面に、半田と合金化しない非合金化電極層４と、この非合金化電極層４を挟むように形成される半田層３と、を有している。非合金化電極層４は、半導体レーザ素子２００ａの発光部８の直下において、半導体レーザ素子２００ａの下面に形成された合金化電極層１０と電気的に接続し、非合金化電極層４の周辺において半田層３は、合金化電極層１０と合金化することにより半導体レーザ素子と接合する構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性および冷却機能の高いパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体素子が形成された半導体チップ１１ａ，１１ｂと、半導体チップ１１ａ，１１ｂで発生した熱を熱交換媒体に放出するためのヒートシンク部材２１と、ヒートシンク部材２１と半導体チップ１１ａ，１１ｂとの間に介在する金属配線２３及び絶縁樹脂層２６とを備えている。ヒートシンク部材２４は、半導体チップ１１ａ，１１ｂと熱膨張係数差が小さく熱伝導率の高いＳｉ−ＳｉＣからなり、平板部２１ａと、平板部２１ａから熱交換媒体にさらされる領域に突出するフィン部２１ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】
絶縁性を確保しつつモジュールの薄型化を図ることのできるパワーモジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】
上部電極１と下部電極２との間に半導体素子３Ａ及び３Ｂが配設されており、上部電極１と半導体素子３Ａ及び３Ｂとの間は、絶縁層５を介して半田４Ａによって電気的に接続されている。また、下部電極２と半導体素子３Ａ及び３Ｂとの間は、半田４Ｂによって電気的に接続されている。下部電極２の下側には、絶縁基板６を介して放熱板７及び冷却器８が接続されている。絶縁層５は、半導体素子３Ａ用の開口部５Ａと、半導体素子３Ｂ用の開口部５Ｂとを有する。半導体素子３Ａ及び３Ｂは、開口部５Ａ及び５Ｂ内に嵌着された状態で半田４Ａにより上部電極１に接合される。このため、上部電極１又は半田４Ａと、下部電極２又は半田４Ｂとの間における絶縁を確保することができ、信頼性の高い絶縁構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性や組み立て性を低下することなく良好な放熱特性と高速信号伝送特性を備える半導体素子の実装構造を提供する。
【解決手段】金属板１５と、金属板１５に固着させる半導体素子１０及び多層配線層１１と、半導体素子１０と多層配線層１１とを電気的に接続するための接続部とからなる半導体素子１０の実装構造において、金属板１５上の半導体素子１０を固着する半導体素子搭載部には、複数の溝１３が形成され、半導体素子１０の表面と前記多層配線層１１の表面とが、ほぼ同一平面上にある。 （もっと読む）

【課題】金属配線層のクラックを抑制し，高放熱性を確保する半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１００は，絶縁基板２０の一方の面を応力緩和層４０と接合し，他方の面上に半導体素子１０を搭載する。半導体モジュール１００は，次の２つの条件を満たしている。すなわち，条件（１）が「応力緩和層４０の降伏応力＞絶縁基板２０の金属配線層２２の降伏応力」であり，条件（２）が「金属配線層２２の線膨張率＞絶縁材２３の線膨張率」である。また，半導体モジュール１００では，金属配線層２２の外周部が弾性樹脂の樹脂モールド５０によってモールドされている。すなわち，樹脂モールド５０は，応力緩和層４０と絶縁基板２０の絶縁材２３との隙間を充填し，両者を接合している。 （もっと読む）

【課題】放熱基板から離間した位置に存在する各種部品や部材の熱を効率よく放熱し得る回路装置を提供すること。
【解決手段】放熱基板１上の電気絶縁層２の上面には、複数の回路パターン３および回路パターン３とは隔離して配置された熱伝導性シート部材４が形成されていて、離間回路部材５は、回路パターン３と電気的に接続された電気接続部５１、回路パターン３から離間して配置された離間部５２、および電気接続部５１と離間部５２とを繋ぐ繋部５３とから構成されている。離間部５２と熱伝導性シート部材４との間には柱状あるいはブロック状の熱伝導部材６が設置されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性能に優れた半導体モジュールを提供しようとするものである。
【解決手段】半導体素子２を内蔵すると共に一対の主面に放熱板３を配設してなる半導体モジュール１。一対の放熱板３のうちの一方の放熱板である第一放熱板３１は長方形状を有し、一対の放熱板３のうちの他方の放熱板である第二放熱板３２は、第一放熱板３１と同形状の長方形における四つ角のうちの少なくとも対角の二つの角部に切欠部３２１を設けた形状を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板の一面に第１の電子部品、他面に第２の電子部品を搭載するとともに、このセラミック基板の他面に放熱などの機能を有する金属板を取り付け、これらをハーフモールドしてなる電子装置において、モールド工程にて、セラミック基板の一面側から印加されるモールド樹脂による基板への応力を低減する。
【解決手段】セラミック基板１０の一面側に第１の電子部品２０を搭載し、セラミック基板１０の他面に第２の電子部品３０を搭載し、第２の電子部品３０をモールド樹脂８０で封止し、金属板５０は、セラミック基板１０の他面のうち第２の電子部品３０が位置する部位以外の部位に接着剤４０を介して接着した。 （もっと読む）

【課題】小型のファンを搭載し、冷却能力に優れた電子素子の冷却装置を提供する。
【解決手段】密閉容器の内部に、蒸発潜熱として熱を輸送する凝縮性の作動流体が封入されているヒートパイプ４と、このヒートパイプ４の放熱部側に取り付けられている放熱用部材６とを有する冷却装置において、前記放熱用部材６に対して送風可能とするようにこの放熱用部材６の両側に設けられたファン７と、前記放熱用部材６の一方の側に設けられた前記ファン７に隣接されて風の流入を可能とする第１の通風口９と、前記放熱用部材６の反対側に設けられた前記ファン７に隣接されて風の流出を可能とする第２の通風口１０とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ヒートシンク２０と、ヒートシンク２０上に搭載されたトランジスタ１０と、トランジスタ１０を取り囲んで外部との間を絶縁する絶縁樹脂６０と、絶縁樹脂６０よりも熱伝導率の高い素材からなり、ヒートシンク２０とトランジスタ１０との間に配置され、絶縁樹脂６０からその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材４０と、トランジスタ１０を外部と電気的に接続するリードフレーム５０とを備えている。ヒートシンク２０は、高熱伝導性絶縁部材４０よりも突出する突出部２１を含んでいる。そして、突出部２１には、ヒートシンク２０を貫通する貫通孔２９が形成されており、リードフレーム５０は貫通孔２９を貫通している。 （もっと読む）

【課題】実質的に均一な高い熱伝導率及び望ましい界面特性を有するインジウムＴＩＭの提供。
【解決手段】電気化学的に堆積されたインジウム複合体が開示されている。このインジウム複合体は、１種以上のセラミック材料と共に、インジウム金属又はインジウムの合金を含有する。このインジウム複合体は、高いバルク熱伝導率を有する。このインジウム複合体を含有する物品も開示されている。 （もっと読む）