【課題】密着性の悪い非晶質炭素被膜の密着性を向上し、より簡便に非晶質炭素被膜の表面に接合する部材に対して優れた接着性を有する放熱部材、その放熱部材を用いた半導体装置さらにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導性を有する基材と、該基材の表面の少なくとも一部に被覆され、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜と、非晶質炭素被膜の表面に固定され、非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合する（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）Ｍを含む樹脂からなる接合層と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合部の劣化の進行度合いに相関する指標が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置に加わったヒートサイクルの温度変動幅とサイクル数に追従して特性が変化するモニタ部６を実装基板２に形成する。純度９９．９９％以上のモニタ用アルミニウム膜６を実装基板２に密着させておくと、接合部に加わったヒートサイクルの温度変動幅とサイクル数に追従して、モニタ用アルミニウム膜６が波打つように変形し、接合不良面積比率、抵抗値、凹凸の高さ等が変化する。これらの値は、接合部の劣化の進行度合いによく相関する。モニタ用アルミニウム膜６の接合不良面積比率、抵抗値、凹凸の高さ等を測定することによって、接合部の劣化の進行度合いを精度よく知ることができる。 （もっと読む）

【課題】小型で放熱特性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】離間して配置された第１および第２電極リード１１、１２と、第１電極リード１１の第１の面１１ａに載置された半導体チップ１３と、第１電極リード１１の第１の面１１ａと対向する第２の面１１ｂ、および第２電極リード１２の第１の面１２ａと対向する第２の面１２ｂをそれぞれ露出させて、第１電極リード１１、第２電極リード１２および半導体チップ１３を封止する樹脂１４と、樹脂１４上に形成され、一方１５ａが樹脂１４の半導体チップ１３に対応する部位を貫通して半導体チップ１３に接続され、他方１５ｂが樹脂１４の第２電極リード１２に対応する部位を貫通して第２電極リード１２に接続された配線１５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子のダメージを抑制し、且つ、放熱性を向上することのできる半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子における半導体層側表面に、開口部を有する絶縁膜を形成するとともに開口部を覆いつつ絶縁膜と重なる電極を形成し、物理的堆積により、共晶点を有する単一組成の合金膜を、絶縁膜及び電極を覆いつつ絶縁膜と電極とを積層してなる突起部に倣った凸部を有するように形成する。そして、ヒートシンク上の金属膜に合金膜の凸部が接するように半導体レーザ素子をヒートシンクに積層配置し、積層方向に半導体レーザ素子とヒートシンクを加圧しつつ合金膜の共晶点未満の温度で加熱した状態で、積層方向とは略垂直な方向に超音波振動を印加して合金膜における凸部を含む一部のみを溶融させ、少なくとも突起部及び開口部に対応する部位にて合金膜と金属膜とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも片面に電気配線を有し、発熱部品を実装した配線板において、放熱特性を向上させ、かつ、第１金属層３と第３金属層７の熱膨張率差が大きい場合にも、金属層と樹脂絶縁層との密着性を向上させる。さらに、前記配線板の製造工程を簡略化する。
【解決手段】厚み０．５mm以上の第１金属層３と、第２金属層５と、厚み１mm以上の第３金属層６がこの順に配置され、第１金属層３と第２金属層５がクラッド構造で一体化され、第２金属層５と第３金属層７は樹脂絶縁層６で一体化されている。そして、第１金属層３の熱膨張率をα１、第２金属層５の熱膨張率をα２、第３金属層７の熱膨張率をα３としたとき、α１とα３の差が７ppm/℃以上であるときに、α１＜α２≦α３の関係になるように設定される。さらに、第２金属層５の厚みが第１金属層３の厚みの２０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ビス止めの押圧力が回路基板に作用する状況でも、回路基板を被覆する絶縁層にクラックが発生することによる耐圧の劣化が防止された回路装置を提供する。
【解決手段】混成集積回路装置１０は、導電パターン２２および半導体素子２４から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１８と、額縁状の形状を有して回路基板１８に当接することで混成集積回路が封止される領域を形成するケース材１２と、ケース材１２に囲まれる領域に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂１６とを有する構成となっている。更に、混成集積回路装置１０では、回路基板１８を貫通する貫通孔３４の周辺部の絶縁層２０を部分的に除去して除去領域３２を設け、この除去領域３２によりクラックの進行を抑制している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】発熱部材の表面に固定される放熱構造体であって、パターン化されたカーボンナノチューブアレイと、固定層と、を含み、前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイは、前記固定層により前記発熱部材に固定されることを特徴とする放熱構造体。又、本発明は、放熱構造体の製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】回路基板に接合された半導体素子上にヒートマスが接合されたままの状態で、Ｘ線による半田接続状態の検査を行うことのできる半導体装置の提供にある。
【解決手段】半導体素子１２と、半導体素子１２を載置して接合させる回路基板１１と、半導体素子１２上に半田で接合されるヒートマス１７とを備えた半導体装置１０において、ヒートマス１７の半導体素子１２と接合する側は、半導体素子１２と半田Ｈで接合される複数の突出部１９ａと、接合されない複数の非突出部１９ｂとを有し、ヒートマス１７の半導体素子１２と接合する側の反対側に、ヒートマス１７の突出部１９ａと非突出部１９ｂにおけるそれぞれの厚さ方向の距離ｄ４、ｄ５が同じとなるように突出部１９ａに対応して凹部２０が形成されている。
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【課題】ヒートシンクの放熱性能の低下を抑え、ヒートシンクにおける応力緩和機能を向上させること。
【解決手段】半導体装置１０は、絶縁回路基板１１と、半導体素子１２の冷却を行うヒートシンク１６とを、互いに熱伝導可能な状態で結合している。また、複数の半導体素子１２と絶縁回路基板１１とヒートシンク１６とは、一体化されている。そして、ヒートシンク１６は、ケース部１７を備え、ケース部１７の内側壁部１７ａの内側に設けられた複数の仕切り壁１８によって複数の冷媒通路１９が区画されている。全ての仕切り壁１８は、ケース部１７の上側内面１７ｂからケース部１７の下側内面１７ｃに亘って設けられるとともに、いずれかの半導体素子１２の直下に位置するように設けられ、各半導体素子１２の直下には、少なくとも一つの仕切り壁１８が配設されている （もっと読む）

【課題】半導体素子からヒートシンクに至るまでの熱伝導性を低下させずに、ヒートシンクに十分な熱応力緩和機能を付与し、なおかつ、ヒートシンクの剛性が過度に低下することを回避できる。
【解決手段】ヒートシンク１６のケース部１８には、第２金属板１５が接合されている接合領域Ｓと、第２金属板１５が接合されていない非接合領域Ｐとが形成されている。ケース部１８内には、上端部２０ａがケース部１８の上側内面１８ｄに接合されるとともに下端部２０ｂがケース部１８の下側内面１８ｅに非接合である第１の仕切り壁２０と、上端部２１ａ及び下端部２１ｂの両方がケース部１８の上側内面１８ｄ及び下側内面１８ｅに接合される第２の仕切り壁２１とが設けられている。接合領域Ｓと対応する位置を通る仕切り壁として第１の仕切り壁２０が配設され、第２非接合領域Ｐ２と対応する位置のみを通る仕切り壁として第２の仕切り壁２１のみが配設されている。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れ、プリント基板との熱膨張率差に起因する破壊を防止し、光の出射方向の傾きを生じない発光装置、光走査装置及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】上下面に個別電極１２及び共通電極１３が設けられる面発光レーザ１０と、面発光レーザ１０を搭載するための搭載部３１が開口部２２の底面２６に設けられ、面発光レーザ１０の共通電極１３が搭載部３１と電気的に接続されるセラミックパッケージ２０とを備える発光装置５０であって、セラミックパッケージ２０は、下面の周縁に設けられた裏面電極３２と、下面の中央に設けられた裏面放熱電極３３とを有し、搭載部３１は、セラミックパッケージ２０に設けられた共通電極引出配線を介して裏面電極３２と電気的に接続されると共に、開口部底面２６とセラミックパッケージ２０の下面との間を貫通する貫通電極３６を介して裏面放熱電極３３と熱的に接続されることを特徴とする発光装置５０、及びこの発光装置５０を用いた光走査装置及び画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】放熱性能を十分に確保し、かつ、接合材に発生する熱応力を低減することで、接合材の熱疲労を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、半導体チップ１の下側に第一の接合材２を介して接合された導電性を有するベース電極３と、半導体チップ１の上側に第二の接合材４を介して接合された導電性を有するリード電極５と、半導体チップ１とベース電極３の膨張量差に起因して発生する第一の接合材２の応力を低減するための第一の応力緩衝材６とからなる半導体装置において、第一の接合材２の下面にベース電極３と第一の応力緩衝材６が各々直接接触する領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】冷凍サイクルに使用する冷媒が内部に流通する冷媒ジャケットを用いてパワーデバイスを冷却する際に、冷却ジャケットから漏れ出る高周波電流を低減させる。
【解決手段】冷凍装置において、パワーデバイス（14）を有したインバータ回路（13）を含んだ電気回路（10）と、パワーデバイス（14）と熱的に接続されるとともに冷凍サイクルに使用する冷媒が内部に流通する冷媒ジャケット（30）とを設ける。また、パワーデバイス（14）と冷媒ジャケット（30）との間に、シールド板（40）と絶縁部材（50）とをシールド板（40）をパワーデバイス（14）側にして積層し、シールド板（40）、絶縁部材（50）、及び冷媒ジャケット（30）によってコンデンサ（C2）を構成する。そして、インバータ回路（13）の入力側とシールド板（40）とを、導体からなる帰還部（60）によって電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕが用いられた放熱体に対して、ＡｌＮまたはＳｉ3Ｎ4の絶縁基板を組み合わせた場合において、冷熱サイクル寿命を向上させ、信頼性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２と、絶縁基板１２の第１の主面上に搭載された、少なくとも１つの半導体素子１１と、絶縁基板１２の半導体素子１１が搭載された第１の主面とは反対側の第２の主面にはんだ部材１４を介して接合された放熱体１３と、を有し、はんだ部材１４は少なくとも錫、アンチモンを含有し、アンチモンの含有量が７重量％以上、１５重量％以下である半導体装置１０が提供される。これによって、半導体装置１０の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する複数の半導体モジュールの一部を交換、修理できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子２２の両側に放熱フィン２８が対称配置される半導体モジュール２０と、内部に冷媒流路５２が形成される冷却器５０と、を備え、半導体モジュール２０が冷却器５０に装着された状態で、放熱フィン２８が冷媒流路５２内に配置される半導体装置１０において、半導体モジュール２０は、複数であって、それぞれが、冷却器５０に着脱可能である。 （もっと読む）

【課題】冷却効率の高い電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電子機器は、発熱源となる電子デバイス（１０）と、低熱膨張で高熱伝導の基部（２１）と基部上に設けられ電子デバイスがハンダ接合される配線層を有する配線部（２２）と基部上で配線部の反対面側に設けられ基部を通過した電子デバイスからの発熱を放熱する放熱部（２３）とからなる基板（２０）と、基板を保持する筐体（３０）と、からなる電子機器であって、さらに、前記基板の放熱部に冷媒を直接導く冷媒誘導体（４０）を有することを特徴とする。冷媒が基板の放熱部へ直接誘導されるので、高い冷却効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル等に対する応力の影響を低減した電子部品の提供。
【解決手段】電子素子２０を搭載する絶縁部材２２と、絶縁部材２２を搭載する熱拡散部材２４とを備える電子部品であって、絶縁部材２２の熱膨張係数は熱拡散部材２４の熱膨張係数よりも小さく、熱拡散部材２４の表面に設けられた凹み部２４ｂ内に絶縁部材２２が埋め込まれるように搭載する。 （もっと読む）

【課題】小型で冷却性能に優れた電力変換装置を提供する。
【解決手段】直流電力を交流電力に変換して、モータに駆動電力を供給する電力変換装置であって、モータのハウジング内に、通電により発熱するスイッチング素子が構成された複数の半導体素子と、金属材料からなり、半導体素子の電極と電気的に接続された複数のバスバーと、が配置されており、半導体素子は、少なくとも１つのバスバーの表面に固定されつつ、この固定によって電極がバスバーと電気的に接続されている。そして、ハウジング内において、半導体素子及び該半導体素子が固定されたバスバーの少なくとも一方が、モータ内に配置された電気絶縁性の潤滑油の一部と接触されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発熱を効率良く放熱することができると共に、半導体装置の発熱を抑制することができる半導体装置、半導体モジュール、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の貫通孔１４が形成された半導体素子１１と、前記第１の貫通孔１４に対応した位置に第２の貫通孔１５が形成され、半導体素子１１に接する放熱板１３と、第１の貫通孔１４及び第２の貫通孔１５を貫通する突起部１７が形成され、突起部１７は、絶縁層１８を介し、第１の貫通孔１４及び第２の貫通孔１５の順に嵌合される電極板１２とを有する半導体装置１０、及び第１の絶縁部材５１と第２の絶縁部材５２とを介して半導体装置１０と接する第１の冷却器５３と第２の冷却器５４を有する半導体モジュール５０、並びにこれらの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ１と放熱部材２、３との間でショートすることを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】各放熱部材２、３のうち半導体チップ１と対向する面に第１の絶縁膜５または第２の絶縁膜６を形成し、半導体チップ１の側面の全面およびガードリング９を覆うように表面に第３の絶縁膜１０を形成する。このような半導体装置とすることで、異物が混入された状態で半導体装置が形成されたとしても、半導体チップ１と放熱部材２、３との間でショートすることを抑制することができ、また、放熱部材２、３の間でショートすることを抑制することができる。 （もっと読む）