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Fターム[5F136BC02]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 発熱体と放熱部材間の熱伝導部材 (3,299) | 半田、低融点金属 (301)

Fターム[5F136BC02]に分類される特許

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【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ11等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部21にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部21の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部22にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部22によって水路30の一部を構成し、半導体チップ11等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部21および熱可塑性樹脂モールド部22にて覆ったユニット10を積層することで、冷却機構を構成する水路30が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部22のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部22を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部22以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。 (もっと読む)


【課題】加熱もしくは冷却時の温度変化に伴う反りを解消し、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板2の両面に異なる厚さの金属層6,7が積層されたパワーモジュール用基板3であって、両金属層6,7を構成する結晶粒の平均粒径が、厚みの厚い金属層7よりも厚みの薄い金属層6の方が小さく形成されていることから、ろう付け等の加熱処理あるいはその後の温度環境に伴う反りの発生を防止して、接合の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】熱膨張差によって合わせ面に剥離が生じることがなく、半導体モジュールの積層体の組付が容易であり、長期の使用に対して合わせ面の封止状態を持続させることができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール2の積層体1は、半導体素子3をモールド樹脂4によってモールド成形してなる半導体モジュール2を複数積層してなる。モールド樹脂4には、半導体素子3を冷却する冷媒Cを流すための冷媒流路41が形成してある。積層体1は、モールド樹脂4が互いに合わさる合わせ面42に設けた接合材61を溶着させることにより、半導体モジュール2を複数積層してなる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の温度勾配を低減するとともに、半導体装置における放熱性能を向上すること。
【解決手段】電気回路に実装されるIGBT(半導体素子)11と、電気回路100に形成されIGBT11との間で電気的に接続される回路パターン21と、IGBT11と回路パターン21との間に介在して両者を電気的に接続する接続層30と、を備える。接続層30は、IGBT11と回路パターン21とを機械的に接合するはんだ層32と、駆動時に温度が最大になるIGBT11の一部に臨んで設けられはんだ層32と比較して電気抵抗が高いダイオード31と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の小型化を図りつつ、放熱板との熱膨張係数の差によって生じる配線基板の反りを防止する。
【解決手段】四隅を面取りした矩形の配線基板10と、配線基板10に実装されている半導体チップ20と、半導体チップ20を覆うように配線基板10に装着されている、平面形状が四隅を面取りした矩形である放熱板40と、を備え、放熱板40は、配線基板10の面取りにより形成された面に沿うように、放熱板40の面取り部から配線基板10側に突出した凸部90を有しており、放熱板40の面取り幅は、配線基板10の面取り幅よりも狭い。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールおよび冷却フィン付きプレートを冷却器上に設置した半導体装置において、エアが溜まることを抑制し、冷却効率の低下を抑制する。
【解決手段】冷却フィン22よりも液冷媒出口30b側において、冷媒パイプ32の底面から上方に向かって突出させたダム部35を備える。このように、冷媒パイプ32に対してダム部35を備えると、このダム部35によって液冷媒の流れが堰き止められ、液冷媒がダム部35の高さ以上に溜まってから液冷媒出口30b側に流れることになる。このため、開口部31内にエアが溜まったとしても、液冷媒がダム部35の高さに至るまで液面が上昇させられることになるため、溜まったエアを排出させることが可能となる。また、液冷媒が高い位置まで溜まることになるため、冷却フィン付きプレート20に備えられた冷却フィン22の根元近傍まで液冷媒を接触させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置のパワー半導体を効率的に冷却し、装置の小型化を図る。
【解決手段】複数のパワー半導体素子,受熱部材,複数のヒートパイプおよび複数の放熱フィンを有し、前記複数のパワー半導体素子は前記受熱部材の一方の側に取り付けられ、前記複数のヒートパイプは前記受熱部材の他方の側に取り付けられ、前記複数のヒートパイプの少なくとも一部は前記受熱部から前記受熱部材の外側に立ち上げられた放熱部を持った電力変換装置において、前記ヒートパイプの受熱部材に取り付けられた部分の長手方向が冷却風の流れ方向と略同じ方向に設置されたヒートパイプと、前記ヒートパイプの受熱部材に取り付けられた部分の長手方向が冷却風の流れ方向と略垂直の方向に設置されたヒートパイプとを備える構造とした。 (もっと読む)


【課題】伝熱部の熱劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体素子10が設置される基板20と、基板20の半導体素子10の設置面とは反対側の面に設置される伝熱部30と、基板20と伝熱部30を接続する接続部25と、伝熱部30の基板20の設置面とは反対側の面に設置される冷却器40と、を備える。この半導体装置100の基板20の一部は、接続部25を介さずに伝熱部30と接続する。これにより、半導体素子10の直下における伝熱部30の温度上昇を低減でき、伝熱部30の熱劣化を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第1層と、前記第1層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第2層と、を有し、前記第2層の熱膨張係数が、前記第1層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発熱部材は通孔の内の金属溶接材により直接放熱ユニットと互いに結合することにより、全体の熱伝導の効率を改善し、全体の組立の効率を高めることができる放熱モジュールの結合方法を提供する。
【解決手段】a)回路板において予め少なくとも一個の通孔を形成し、通孔を回路板の相対する二個の表面に貫穿させる段階S1と、b)回路板を放熱ユニットの上に位置決めし、回路板の一個の表面を放熱ユニットの結合面に接合させる段階S2と、c)金属溶接材を通孔の内に充填させる段階S3と、d)少なくとも一個の発熱部材を回路板のもう一個の表面に固定させ、そして発熱部材は同時に通孔の一端を位置合せするように被覆する段階S4と、e)通孔の内の金属溶接材を加熱して熔融することにより、金属溶接材をそれぞれ発熱部材と放熱ユニットに溶接させる段階S5とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】基板2と、基板2上に配設された半導体素子10と、基板2上に配設され、半導体素子10を覆う放熱板18と、半導体素子10の上面と放熱板18の下面とを接続する接続部材16とを有し、接続部材16は、半導体素子10の上面に接し、第1の融点を有する第1の部材21と、第1の部材21に接し、第1の部材21よりも広い面積を有し、第1の融点よりも高い第2の融点を有する第2の部材22と、第2の部材22と放熱部材18とに挟まれ、第2の部材22よりも狭い面積を有し、第2の融点よりも低い第3の融点を有する第3の部材23とを含む半導体装置による。 (もっと読む)


【課題】製造コストの安い絶縁回路基板およびその製造方法、絶縁回路基板を用いたパワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板4は、絶縁板5の一面に回路板6がろう付され、回路板6における絶縁板5にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載部8を有する配線面9となされたものである。絶縁回路基板4の回路板6に、絶縁板5と回路板6とのろう付時に、溶融ろう材が絶縁板5と回路板6との間から配線面9側に流れるろう材流れ部分11が存在している。回路板6の配線面9における電子素子搭載部8とろう材流れ部分11との間に、ろう材を溜めるろう材溜凹部12を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐久信頼性及び放熱性能を一定以上に確保し、かつ小型に構成すること。
【解決手段】上アーム21Uと下アーム21Lとは、基本的に同様の機能及び構成を有しており、同一の放熱用ベース板22に対して第2はんだ52により接合されている。上アーム21U及び下アーム21Lの各々は、絶縁基板41と、IGBT42と、FWD43と、を備えている。絶縁基板41は、金属導体層41F,41Rをそれぞれ有している。金属導体層41Fには、IGBT42やFWD43からなる素子群が、第1はんだ51により接合されている。金属導体層41Rには、放熱用ベース板22が、第2はんだ52により接合されている。金属導体層41Fには、IGBT42を中央にして、その両側にFWD43及びワイヤボンディング領域41Wが配置されるように、長手方向に整列して搭載される。 (もっと読む)


【課題】絶縁板と金属層との剥離を防止しうるとともにコストの安い絶縁積層材のろう付方法を提供する。
【解決手段】絶縁積層材のろう付方法は、パワーモジュール用ベースにおける絶縁積層材としての絶縁回路基板4と応力緩和部材8とのろう付に適用される。絶縁回路基板4は、絶縁板5、絶縁板5の一面に形成されたアルミニウム製配線層、および絶縁板5の他面に形成されたアルミニウム製伝熱層7とからなる。ボロンナイトライドおよびカーボンのうちの少なくともいずれか一方の粉末を液体の有機化合物からなる分散媒に分散させて懸濁液をつくり、当該懸濁液を、伝熱層7の周面7aに塗布することによって、ボロンナイトライドおよびカーボンのうちの少なくともいずれか一方からなるフラックス浸入防止物を伝熱層7の周面に付着させる。この状態で、絶縁回路基板4の伝熱層7と応力緩和部材8とを、フラックスを使用して炉中でろう付する。 (もっと読む)


【課題】冷却装置の製作効率を高めるとともに放熱性能の低下を抑えることができる冷却装置を提供する。
【解決手段】ヒートシンク2の天板9及び底板10はそれぞれ金属材16、18と金属材16及び金属材18のフィン11と接する面に積層されるろう材17、19とからなるクラッド材で構成する。第1金属部材3及び第2金属部材7はそれぞれ第1層の金属材22、26とろう材24、28とからなるクラッド材及び第2層の金属材23、27とろう材25、29とからなるクラッド材を接着して構成する。金属基板5は金属材30と金属材30の下面に積層されるろう材31とからなるクラッド材で構成する。第2絶縁部材8、第2金属部材7、底板10、フィン11、天板9、第1金属部材3、第1絶縁部材4及び金属基板5はこの順に積層され、加圧状態で加熱されることによって、一体接合されるため、冷却装置1の製作効率を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】放熱板の使用面積の効率化を図ることで、効率の良い冷却性能が得られるようにする。
【解決手段】上アームの半導体チップ8aの銅ブロック9aに接合される放熱板10aよりも下アームの半導体チップ8bに接合される放熱板10cの方がサイズが小さくなるようにする。つまり、半導体チップ8aに直接接合されて比較的広い範囲に熱拡散が生じる放熱板10aについては広い幅にし、銅ブロック9bに接合されて比較的狭い範囲にしか熱拡散が生じない放熱板10cについては狭い幅とする。これにより、放熱板10cの放熱に寄与しない部分の幅を狭め、放熱板10aが放熱に十分な幅となるようにできる。このため、放熱板10a、10cの使用面積の効率化が図れ、放熱板10a、10cのトータルの使用面積を従来と同じもしくは従来より少なくしつつ、効率の良い冷却性能が得られるようにすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の故障の可能性を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、半導体素子10と、半導体素子10に積層される第1電極部材21と、半導体素子10を挟んで第1電極部材21の反対側に積層される第2電極部材22と、半導体素子10と第1電極部材21とを接合する第1半田31と、半導体素子10と第2電極部材22とを接合する第2半田32と、を備えている。第2電極部材22は、半導体素子10と電極部材21,22との積層方向に伸びる絶縁性の複数の支柱22a〜22dを有している。また、複数の支柱22a〜22dは、半導体素子10の配置領域Aと異なる領域Bに位置し、且つ、半導体素子10が回転した場合に半導体素子10に接触する領域Cにおいて回転方向に不均一な間隔a,bでそれぞれが配置されている。 (もっと読む)


【課題】大きな電流を制御するためパワー半導体素子を大きくしても、放熱性の悪化を抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子であるパワー半導体素子1と、パワー半導体素子1の上面および下面を接合する接合部4と、接合部4を介してパワー半導体素子1に上下から接合される金属板3、5とを備え、接合部4は、パワー半導体素子1と金属板3、5との間に配置された網状金属体8と、網状金属体8を埋設する接合部材2とを備える。 (もっと読む)


【課題】従来技術によれば、半導体素子が樹脂で封止されたパッケージ型半導体と、配線基板とを接続する、はんだもしくは導電性接着剤部分においては、その厚みを一定厚確保し、かつパッケージ型半導体の傾きを抑制することについて考慮されていない。
【解決手段】パワー系半導体装置は、金属板と、金属板の上に設置された絶縁層と、絶縁層の上に設置された導体回路パターンと、導体回路パターンのうち回路構成部品が装着される部分以外を覆うレジスト層と、導体回路パターンの上に設置されたダイパッドと、ダイパッドの上に、はんだもしくは導電性接着剤を介して接着されたパワー系半導体素子と、パワー系半導体素子を覆う樹脂と、パワー系半導体素子と外部を接続する端子と、を備え、更に、金属板に押し出し加工によって設けられた突起部を備える。 (もっと読む)


【課題】空冷用ヒートシンクについて強度の向上と半導体モジュールからの発熱を一時的に蓄熱するヒートマス機能の向上とが図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10のヒートシンク11は、半導体モジュール22の主面221,222と熱的に結合される基板部110、及び主面221,222とは反対側に厚み方向に間隔をあけて列を形成するように基板部110からそれぞれ突出する複数個の第1のフィン112を有して構成され、半導体モジュール22を挟む両側それぞれに配される。ヒートシンク11は、厚み方向における両方の最外側に位置する第1のフィン112よりもさらに外側において基板部110から突出するフィンであって、第1のフィン112よりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する第2のフィン113をさらに備える。 (もっと読む)


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