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Fターム[5F136BC02]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 発熱体と放熱部材間の熱伝導部材 (3,299) | 半田、低融点金属 (301)

Fターム[5F136BC02]に分類される特許

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【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう付された放熱装置において、余剰ろう材による応力吸収空間の塞がりを防止する。
【解決手段】 絶縁基板(11)の一面側に電子素子搭載用の回路層(12)が接合され、他面側に応力緩和材(20)を介してヒートシンク(13)が接合された放熱装置(1)であって、前記応力緩和材(20)は、絶縁基板(11)側およびヒートシンク(13)側の両面に開口する少なくとも1つの応力吸収空間(21)を有し、前記応力吸収空間(21)の内壁面(22)に、絶縁基板(11)側およびヒートシンク(13)側の両方の開口部に通じて、応力緩和材(20)と絶縁基板(11)との接合部の余剰ろう材をヒートシンク(13)側に誘導する案内部(23)が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板2と、ベース板2の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子3と、ベース板2の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層4aと、絶縁樹脂層4aの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層4bと、金属層4bの他方の主面が露出するようにベース板2、パワー半導体素子3及び絶縁樹脂層4aを被覆して筐体を形成する樹脂筐体5とを有するパワーモジュール1と、一主面に少なくとも1つの凸状段差部7bが形成され、凸状段差部7bの少なくとも上面において金属層4bの露出面に半田により接合される冷却器7とを備えた半導体装置であって、凸状段差部7bの上面の面積が金属層4bの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板を用いたBGA実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ100は、半導体素子5を直接上に搭載するヒートスプレッダ4と、前記ヒートスプレッダ4の周囲側面と接触して前記半導体素子5の気密性を保持する多層セラミック基板1と、前記ヒートスプレッダ4を下から支え、前記多層セラミック基板1の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板1とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック15と、前記多層セラミック基板1および前記金属ブロック15の下面に接合された複数のはんだボール9とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールに対する冷却効率、冷却性能に優れた電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置1、複数の半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却する複数の冷却管(冷媒流路)81とを交互に積層してなる。半導体モジュール2は、半導体素子3aと、半導体素子3aの積層方向Xの両側に配置されると共に半導体モジュール2の両主面201、202にそれぞれ放熱面211a、221aを露出させた一対の放熱部20aと、半導体素子3a及び一対の放熱部20aを封止する封止部200とを有する。一対の放熱部20aは、放熱面211a、221aから半導体素子3aまでの距離が近い側の近接放熱部21aと遠い側の遠隔放熱部22aとからなる。積層方向Xに隣り合う半導体モジュール2の半導体素子3a同士の間において、冷却管81を挟んで積層方向Xに向かい合う放熱部20a同士のうち、一方が遠隔放熱部22aである。 (もっと読む)


【課題】小電流用配線が自身よりも大電流が流れる部位と導通することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】大電流が流れるエミッタ用パッド12a及びコレクタ用パッド12bと、小電流が流れる小電流用配線(131,133,134)とを含む半導体チップ10と、コレクタ用パッド12bに電気的に接続された金属からなるコレクタ用端子30と、エミッタ用パッド12aに電気的に接続された金属からなる第2部材(ブロック体50及びエミッタ用端子20)とを備え、半導体チップ10、ブロック体50、エミッタ用端子20、コレクタ用端子30が一体的にモールド樹脂60にてモールドされた半導体装置100である。この第2部材(ブロック体50及びエミッタ用端子20)は、一部がモールド樹脂60の外部に露出し、小電流用配線(131,133,134)を覆っている絶縁性保護膜80に対向する位置にスリット部51が設けられている。 (もっと読む)


【課題】外観上で製品寿命を予測することにより、製品寿命による交換を適正に実施することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、半導体チップ1と、半導体チップ1が取り付けられた回路基板2と、回路基板2の半導体チップ1が取り付けられた面と対向する面に取り付けられたベース板3とを備えている。ベース板3は、回路基板2が取り付けられる側の一方面3aおよび一方面3aに対向する他方面3bを有する第1の部材31と、第1の部材31と異なる熱膨張係数を有する第2の部材32とを含んでいる。第2の部材32は、第1の部材31の表面に表れないように第1の部材31に周囲を覆われている。 (もっと読む)


【課題】凹部を含む突起を有する構造において、凹部のエアー抜けを改善し、凹部にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することを第1の目的とする。また、凹部内にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを第2の目的とする。
【解決手段】ヒートシンク10は、当該ヒートシンク10の一面11のうち半導体素子30が実装される実装領域16において、一面11の面方向のうちの一方向に沿って形成された線状の凹部14と、凹部14の両側にそれぞれ位置する突起部15と、により構成された線状突起13を有している。これにより、接合層20は凹部14の延設方向である一方向に沿って濡れやすくなるので、凹部14に位置するエアーが抜けやすく、凹部14にボイドを巻き込まない構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板11の一方の面のうち少なくともアルミニウム層12が形成される領域に、Cuを固着し、Cuを含有する固着層24を形成する固着工程と、固着層24が形成されたセラミックス基板11を鋳型50内に配置し、この鋳型50内に溶融アルミニウムMを充填し、セラミックス基板11と溶融アルミニウムMとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板11と接触した状態で溶融アルミニウムMを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と金属部材のはんだ接合部に生じる熱応力を低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、はんだ17を介して接続された半導体素子11,12と少なくとも金属を含む金属部材16を有する。半導体素子11の一面には、はんだ17を取り囲むように所定厚さを有するはんだ形状制御部材21が設けられている。そして、はんだ形状制御部材21の内周面と、半導体素子11,12の一面とのはんだ17側でなす角度が90度未満となっている。 (もっと読む)


【課題】反りの発生を抑制することができ、かつ、ヒートシンクとパワーモジュールとの接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板、基板製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板11と、前記セラミックス基板11の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板12と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板13と、該第二の金属板13の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンク40とを備え、前記第一の金属板12及び前記第二の金属板13のうち前記セラミックス基板11との接合界面近傍にはAgが固溶されており、前記第二の金属板13及び前記ヒートシンク40の接合界面近傍にはCuが固溶されている。 (もっと読む)


【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。
【解決手段】上アーム回路を構成する第1パワー半導体素子52,56と、下アーム回路を構成する第2パワー半導体素子62,66と、第1パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第1導体板534及び第2導体板584と、第2パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第3導体板544及び第4導体板574とは、リカバリ電流が第1導体板534、第1パワー半導体素子52,56、第2導体板584、第3導体板544、第2パワー半導体素子62,66、第4導体板574の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第1放熱板522と第2放熱板562には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流605,606が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置1は、リードフレーム2に実装された半導体素子3、半導体素子3内に設けられた第1伝熱層4、第1伝熱層4に接続された第2伝熱層5、第2伝熱層5に接続された第3伝熱層6、及び樹脂層7を含む。樹脂層7は、半導体素子3、第1伝熱層4、第2伝熱層5を封止し、樹脂層7からは第3伝熱層6が表出する。半導体素子3で発生した熱は、第1伝熱層4、第2伝熱層5、第3伝熱層6へと効率的に伝熱され、樹脂層7から表出する第3伝熱層6から外部へと放熱される。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れた、抗高圧特性をもち、実装工程を減少し、コストを低減した、発光装置およびその形成方法を提供する。
【解決手段】第一表面200aを含むベース200と、前記第一表面上に形成される導電性線路層300と、基板410及び前記基板上に設置される少なくとも一の発光ダイオード450を含む発光ダイオードモジュール400と、を備え、前記発光ダイオードモジュールの基板が表面実装法で前記導電性線路層に表面実装法で設置され、前記ベースは、表面酸化処理をしたアルミニウム、表面に酸化層を有するアルミニウム、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムからなる群から選ばれる一の材質から構成される。 (もっと読む)


【課題】 樹脂封止型の半導体装置であって、従前の構造に比して、冷却性能の向上が可能な新規な構造を提案すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置10は、半導体素子12とそれが接合された電極板14とが電気絶縁性樹脂から成るモールドM内に包含され封止され、モールドの外面に於いて、放熱用のコルゲート・フィン22が、モールドの外面の樹脂がコルゲート・フィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、コルゲート・フィンの一方の面の樹脂が充填された溝の幅w1がコルゲート・フィンの他方の面の樹脂が充填されていない溝の幅w2よりも広いことを特徴とする。これにより、電極板とコルゲート・フィンとの間の電気絶縁性を担保しながら、それらの間の距離hが短縮可能となり、冷却性能が向上される。 (もっと読む)


【課題】金属ブロックと半導体素子とのはんだ付け性及び金属ブロックと樹脂との密着性を確保すると共に、製造コストの上昇を抑えた半導体モジュール、及びその製造方法等を提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、金属ブロックと、前記金属ブロックの一方の面に設けられた半導体素子設置領域にはんだ層を介して設置された半導体素子と、前記金属ブロック及び前記半導体素子に樹脂をモールドして形成されるモールド部と、を有し、前記金属ブロックの一方の面は、めっき領域と、粗化領域と、を含み、前記半導体素子設置領域は、前記めっき領域に設けられている。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールとヒートシンクをはんだ付けする場合、はんだの溶融時にはんだが外部に流出する恐れがあり、はんだが流出すると本来あるべきはんだ量が足りなくなるため、濡れ面積不足により放熱性能低下が問題となる。
【解決手段】電力用半導体素子1をモールド樹脂2で封入したパワーモジュール10と、パワーモジュールにはんだにより接合されたヒートシンク11とを有する電力用半導体装置において、ヒートシンクのパワーモジュール搭載面には、位置決め部12とはんだ流出止め部13とからなる突起部14を設け、突起部とパワーモジュールとヒートシンクで囲まれた空間であってはんだの周囲には、はんだの溶融時に膨張する体積分以上の容積で、その表面がはんだに濡れない材質で構成された溶融はんだの体積膨張吸収部15を形成した。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、構成部材の簡素化とともに高温条件での温度サイクルによる回路基板の反りを低減し、接合部の接合信頼性,放熱性に優れた半導体モジュール用回路基板を提供することにある。
【解決手段】支持部材,接合層,絶縁基板,接合層,回路配線板の順に積層されている回路基板において、前記接合層は金属を含む焼結体であり、かつ前記絶縁基板は非酸化物系のセラミックスであり、該絶縁基板の両面には酸化物層が形成されていることを特徴とする回路基板。 (もっと読む)


【課題】電子部品にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板1と、絶縁基板1の下面に貫通孔を塞ぐように取着されている金属板3と、絶縁基板1の上面に取着されている金属回路板4と、少なくとも一部分が貫通孔内に配置されて金属板3に下端部が接合されている金属体5と、少なくとも金属体5の上端部の側面を囲むように内面が金属体5の側面に接合されている、金属体5よりも小さい熱膨張係数を有する枠体6とを備えており、金属体5と枠体6とが接合されてなる複合体の上面に電子部品20が搭載される搭載部を有している。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、電子部品20にクラックや割れが発生することを防止する。 (もっと読む)


【課題】発熱体を端子板に電気接続してなる半導体装置において、発熱体にかかる応力を緩和できるようにする。
【解決手段】導電性の端子板3と、該端子板3よりも薄い板状に形成されると共に、端子板3の厚さ方向に面する上面に接合される導電性の搭載板5と、該搭載板5に接合されることで搭載板5を介して端子板3に電気接続される発熱体6とを備え、搭載板5は、端子板3の上面に重ねて接合される積層板部51と、端子板3の上面の周縁から外側に延びる延出板部52とを有し、発熱体6は、延出板部52の厚さ方向に面する両端面のいずれか一方に接合されている半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子部品の冷却効率を十分に高めることが可能な電子部品用冷却装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属パイプ50と、金属パイプ50の外面上に配置された金属箔20と、金属パイプ50の外面と金属箔20とを接着する熱硬化した樹脂層10と、を有する電子部品用冷却装置100である。 (もっと読む)


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