【課題】本発明は、ヒートサイクル試験の温度変化条件がより厳しい条件に移行しても、ヒートサイクルの信頼性寿命を維持可能な絶縁基板を用いた電力半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる絶縁基板は、セラミック基材２０２と、セラミック基材２０２の裏面に形成された裏面パターン２０３ａと、裏面パターン２０３ａと、接合部材としてのはんだ５を介して接合されたヒートシンク３とを備え、裏面パターン２０３ａは、はんだ５と接する面において、ディンプル２０４を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発熱量が短時間で急激に増大した場合に、半導体素子が発した熱の潜熱蓄熱材への蓄熱を効率的に行うことが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ケース１０内のＥＨＤ流体からなる絶縁性流体５０には、半導体素子２０から受けた熱を相変化に伴う潜熱として蓄熱する潜熱蓄熱材を封入したマイクロカプセルが分散されている。そして、針状電極８１と環状電極８２との間への電圧印加による絶縁性流体５０の強制的な対流に伴って、半導体素子２０の上面２０ｂ近傍のマイクロカプセルを入れ替えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワー半導体モジュールと冷却器の熱抵抗を低減するとともに、より小型化した電力変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる電力変換装置は、第１の接合部材３を介して第１の冷却器５上の第１面に接合された、第１のパワー半導体モジュール１と、第２の接合部材４を介して第２の冷却器６上の第１面に接合された、第２のパワー半導体モジュール２とを備え、第１の冷却器５と第２の冷却器６とは、第１、第２のパワー半導体モジュール１、２が接合された面と反対の各第２面が、互いに対向して配置され、第１の冷却器５と第２の冷却器６とを通って、冷媒が直列に流れる。 （もっと読む）

【課題】ベースプレートと放熱器との間の向上された接触を可能にし、そしてさらに、強化された耐久性を提供する。
【解決手段】ベースプレート３４、特にパワーモジュールの為のベースプレート３４、に関係しており、金属、特にアルミニウム、で形成された母材３８を備えていて、ここにおいては少なくとも２つの補強材４２が母材３８中において互いに隣り合わせに設けられていて、そしてここにおいては、補強材４２が互いに離れているベースプレート３４とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で放熱性に優れた配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に電子部品を搭載した電子装置を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、第１主面に電子部品搭載領域を設けた配線基板であって、前記電子部品搭載領域に搭載される電子部品の発する熱を外部に放出する放熱板と、前記放熱板の第１の面を前記第１主面の前記電子部品搭載領域に露出するように、前記放熱板を被覆する封止樹脂と、前記電子部品の電極と電気的に接続される端子面を備えた内部接続端子と、配線を介して前記内部接続端子と電気的に接続すると共に、外部と信号の入出力を行う端子面を備えた外部接続端子と、を有し、前記封止樹脂は、前記配線の少なくとも前記第１主面側及びその反対面である第２主面側、前記端子面を除く前記内部接続端子、及び前記端子面を除く前記外部接続端子、を被覆し、前記放熱板の前記第１の面、前記内部接続端子の前記端子面、及び前記外部接続端子の前記端子面は、前記第１主面側の同一平面上に露出している。 （もっと読む）

【課題】櫛形タイプの冷却フィンを備えた熱交換器であっても、パワーモジュールに使用して、Ｘ線検査によりボイドを正確に検出すること。
【解決手段】パワーモジュール２の熱交換器１は、ケース３と、ケース３に収容された櫛形タイプの冷却フィン４と、ケース３の上面に接合剤１０により接合されたヒートスプレッダとを備える。ＩＧＢＴ６は、ヒートスプレッダの上面に接合剤１０により固定される。冷却フィン４は、平板状のベース部４ａの下面から複数のフィン部４ｄが互いに隙間９を置いて平行かつ斜めに突き出している。冷却フィン４は、複数のフィン部４ｄにつき、隣り合う一方のフィン部４ｄ１の先端４ｅと他方のフィン部４ｄ２の基端４ｆとが同じ幅Ｗ２を有すると共に、ベース部４ａの上面及び下面と直交する方向に重なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】金属ステージの熱抵抗を小さくし、放熱性を向上させ、半導体装置の温度上昇を抑制できるようにする。
【解決手段】電子装置を、金属ベース２１と、金属ベース２１の上方に設けられ、金属ステージ用開口部２０Ａを有し、配線層２３を含む配線基板２０と、金属ステージ用開口部２０Ａに設けられ、グランドラインとなる金属ステージ２７と、金属ステージ２７の上方に設けられた半導体装置４とを備えるものとし、金属ステージ２７を、半導体装置４側の端面よりも金属ベース２１側の端面の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールの冷却特性を改善した冷却装置を提供する。
【解決手段】ヒートシンク２１におけるヒートパイプ１５の埋設位置を半導体パワーチップ１１ａなどの搭載位置から外れた位置に設け、同様に、ヒートパイプ１７の埋設位置を半導体パワーチップ１１ｄなどの搭載位置から外れた位置に設け、さらに、ヒートパイプ１６の埋設位置を半導体パワーチップ１１ｂなどと、半導体パワーチップ１１ｃなどとのほぼ中間位置に設けたことにより、半導体パワーチップ１１ａ〜１１ｄなどの温度上昇値それぞれの差をより小さくすることができるとともに、これらの温度上昇値もより小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールは、その信頼性の向上が求められている。
【解決手段】 実施形態は、半導体素子１１と、半導体素子１１にはんだ１９を介して接合されるヒートスプレッダ１３と、ヒートスプレッダ１３にはんだ１９を介して接合されるバスバー１５と、半導体素子１１及びヒートスプレッダ１３間、及び、ヒートスプレッダ１３及びバスバー１５間にそれぞれ設けられた複数の突起を有する突起部１７と、を備え、半導体素子１１とヒートスプレッダ１３、及び、ヒートスプレッダ１３とバスバー１５は、互いに近接する方向に加圧された状態ではんだ１９により接合される構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧入等実装において外部応力に対応できる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、皿形状を有する放熱板と、放熱板の皿内部に配設された半導体素子と、半導体素子上に取り付けられたリードピンと、リードピンの一部と半導体素子を覆うように放熱板の皿内部に充填された保護樹脂とを備えた半導体装置において、リードピンは半導体素子上に電気的接続状態で取り付けられている取付部、取付部よりも径が小さい棒状のピン部、及び取付部とピン部との間を連結し取付部とピン部との中間径を有する中間部とで構成され、かつピン部の径と中間部の径との比率が１：１．５から１：２．０の範囲である。また、リードピンの中間部の長さと中間部を含んだピン部の長さとの比率が１：２から１：４の範囲である。 （もっと読む）

【課題】放熱特性が向上した放熱基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板３３０、銅基板３３０の一面に形成されたアルミナ層３２０、アルミナ層３２０に形成された第１回路層３４０からなる放熱基板を用い、アルミナ層３２０を貫くように開口部３９０を形成し、開口部３９０を通じてアルミナ層３２０から露出された銅基板３３０にソルダパッド６１０を付着した後、これに発熱素子６００を実装することにより、銅基板３３０の露出面に発熱素子６００が直接実装されるパッケージ７００を具現する。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、セラミックス基板２１の一方の面に接合された第一の金属板２２と、セラミックス基板２１の他方の面に接合された第二の金属板２３と、第二の金属板２３の他方の面側に接合されたヒートシンク１１と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板２２の一方の面が電子部品３が搭載される搭載面２２Ａとされており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成され、ヒートシンク１１は、耐力が１００Ｎ／ｍｍ^２以上の金属材料で構成され、その厚さが２ｍｍ以上とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱抵抗が低く、かつ信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置は、半導体チップと金属板の間に絶縁シートを有するモジュールと、該モジュールを冷却する冷却フィンとを有する。そして、該モジュールの該金属板と、該冷却フィンがはんだで接続され、該はんだの内部には該はんだの高さを均一化する金属網が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗を低減するための熱界面材料を提供すること。
【解決手段】第１の面（２０４）および対向する第２の面（２０６）を有する熱伝導性金属（２０２）と、熱伝導性金属の第１の面に結合された第１の拡散障壁板（２０８）と、熱伝導性金属の第２の面に結合された第２の拡散障壁板（２１０）と、第１の拡散障壁板に結合された第１の熱抵抗低減層（２１２）と、第２の拡散障壁板に結合された第２の熱抵抗低減層（２１４）とを含み、熱伝導性金属、第１の拡散障壁板、および第２の拡散障壁板が第１の熱抵抗低減層と第２の熱抵抗低減層との間に配置される熱界面材料（１２０）。 （もっと読む）

【課題】 ３次元的に熱伝導性が良く、従来に比べて放熱性を著しく向上させることの可能な放熱性基板を提供する。
【解決手段】 基板骨格面１１上に配置された複数のグラファイトシートのうちの少なくとも一部のグラファイトシート２ａは、複数のグラファイトシートの他のグラファイトシート２ｂ，２ｃ，２ｄよりも基板骨格面１１の法線方向Ｚに長さが長くなっており、基板骨格面１１上の複数のグラファイトシートが配置される側において、基板骨格面１１から前記少なくとも一部のグラファイトシート２ａの長さＺ１よりも短い距離にあって基板骨格面１１と該基板骨格面１１に平行な面とに挟まれた範囲に、金属材料３１が充填されて基板本体１０が形成され、前記少なくとも一部のグラファイトシート２ａにおいて、基板本体１０に埋設されていない部分がフィン部２５となっている。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により、半導体チップを有する電子部品に対して電磁ノイズの不要な影響を排除することができると共に、電子部品を基板に確実に実装することができる電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】電子部品１０のリード１６が基板２０のパッド部２４に接続されることに対応して、電子部品において無電位に設定された導体である支持体１４の露出面１４ａと基板のグラウンド層２２の上面２２ａとの間に画成された間隙部Ｇに、かかる間隙部の体積以下に設定された体積を有する半田層３０が設けられる。 （もっと読む）

【目的】Ｓｉ−半導体素子とＳｉＣ−半導体素子を有する半導体装置において、それぞれの半導体素子を動作可能温度で動作させることができて、冷媒の圧力損失を小さくできるフィン付ベースを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４同士をまとめ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５同士をまとめることで、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５下のフィン１ａ間隔を広くすることができる。その結果、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４は１７５℃まで動作させ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５は２５０℃まで動作させることができる。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４とＳｉＣ−Ｄｉチップ５に接続する配線バー５６，５７，５９を介しての相互の熱干渉６５，６６，６７を小さくするができる。その結果、全体のフィン１ａ間隔を広くすることができて圧力損失を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】接合工程での位置決め精度が高く、量産適用が可能な電子部品用積層体の製造手法を提供する。
【解決手段】接合工程では、リードフレーム２１となる金属板２１Ａと、パターン化金属箔２５Ｂを有する両面金属張積層体４０と、スペーサー３３となる金属板３３Ａとを、ろう接により形成した金属層を介して接合する。この際、金型１２１のピン１２１ａを、治具１１１及び両面金属張積層体４０に設けられた位置決め用の孔１１１ｃ及び４０ａに挿入し、治具１１１に固定されたリードフレーム２１となる金属板２１Ａと、両面金属張積層体４０のパターン化金属箔２５Ｂと、スペーサー３３となる金属板３３Ａとが上下に重なり合うように配置した状態で、加熱しながら当接させる。 （もっと読む）

【課題】製造及び放熱部材への取り付けが容易であり、放熱性に優れ、かつ高剛性の金属−セラミックス複合板材を提供する。
【解決手段】セラミックス粒子と結合材のシリカとからなる多孔体の気孔に、金属を浸透させてなり、放熱部材にネジ止めされる金属−セラミックス複合板材であって、前記金属−セラミックス複合板材は、４箇所以上のネジ止め用穴と、少なくとも前記ネジ止め用穴の周囲の放熱部材側の面に設けられた段付の凹部を有し、前記段付の凹部によって形成された鍔状部のネジ締結時の変形が１５μｍ以下であることを特徴とする金属ーセラミックス複合板材。 （もっと読む）