【課題】冷却性能の低下を抑えつつ，モジュール基板と冷却器との間の応力緩和を図る半導体モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１００は，半導体素子１０と，半導体素子１０を実装し，セラミック基板２３の両面に金属板２１，２２を有するモジュール基板２０と，半導体素子１０から発生する熱を放出する冷却部材３８とを備える。冷却部材３８は，金属板２２に接合される基板３５と，その基板３５から金属板２２とは反対側に突出し，ピン形状に成形された複数のピン３６とを有している。ピン３６は，筒状であり，先端部が閉口し，基板３５との付根部が開口している。そして，冷却部材３８の基板３５とモジュール基板２０の金属板２２とを接合し，ピン３６の開口箇所を金属板２２が塞ぐことによってピン３６の内部に中空部３７が形成される。 （もっと読む）

【課題】 バラツキを抑制し、放熱性能を向上させることができるパワー素子とヒートシンクの取付構造を提供すること。
【解決手段】 後面部３１に対して、上面部３２及び前面部３３により、一端を折り返す板形状を構成し、その内側となる支持部２１の面に３つのパワー素子１が接合される伝熱部３を備え、ヒートシンク２の支持部２１、上板部２２及び垂下部２３の内側の壁面に、伝熱部３のパワー素子１の接合部分及び折り返した部分となる後面部３１、上面部３２、及び前面部３３の外側面を接触させて固定する構造にした。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合し、ろうこぶの形成を抑制してセラミックス基板の破損を防止するとともに、ろうこぶの除去作業を削減して精密な加工を可能にする。
【解決手段】略矩形のセラミックス基板２２の表面にこのセラミックス基板２２より小さい略矩形の金属板２６を接合する接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、金属板２６とこの金属板２６よりも小さい略矩形のろう材２４とを、各第１角部２６ａ，２４ａを一致させて位置決めした状態で仮接合して接合体３０を形成し、金属板２６の第１角部２６ａの対角に位置する接合体３０の第２角部３０ａとセラミックス基板２２の１つの角部３０ａとを一致させて位置決めした状態で重ね、これらを加熱しながら厚さ方向に加圧することにより、ろう材２４を溶融させて金属板２６とセラミックス基板２２とをろう付けする。 （もっと読む）

【課題】溶接スパッタの半導体チップ表面への付着を防止する。
【解決手段】セラミックス４上に形成されたコレクタ銅箔５と、コレクタ銅箔５上に固着された半導体チップ７と、半導体チップ７上に固着された金属ブロック９と、金属ブロック９の溶接部１６を露出させて、半導体チップ７を被覆したカバー樹脂２６と、金属ブロック９の溶接部１６にレーザ溶接で接続されたエミッタ端子１１と、を有する半導体装置では、レーザ溶接により発生した溶接スパッタ２７の半導体チップ７の表面への付着がカバー樹脂２６により防止される。 （もっと読む）

【課題】高い冷却性能を有する積層モジュール構造を提供することを課題とする。
【解決手段】積層モジュール構造１は、半導体モジュール２と、半導体モジュール２を冷却する冷却器３と、を有するモジュールユニット６を複数積層してなり、半導体モジュール２は、両面放熱性のモジュールからなり、各モジュールユニット６における半導体モジュール２の一面側と冷却器３とは、ろう層４０により接合されるとともに、モジュールユニット６を積層するに際し、隣接するモジュールユニット６・６の一方のモジュールユニット６における半導体モジュール２の他面側と他方のモジュールユニット６における冷却器３との間にはグリス層４１が介在される。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ含有はんだ箔の製造方法及びＢｉ含有はんだ箔を提供すること。また、耐熱性が高く緻密に接合された接合体、及びパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のＢｉ含有はんだ箔の製造方法では、ビスマス（Ｂｉ）を含むはんだ材料の粉末を粉末圧延法によりシート化する。前記はんだ材料の粉末における長辺と短辺の比は、１．２以上３．０以下が好適であり、該粉末の平均粒径は５μｍ以上２００μｍ以下が好適である。前記粉末圧延法による圧延は、−２０℃以上２６９℃以下で行なわれることが好ましい。また、本発明の接合体およびパワー半導体モジュールでは、接合部に前記Ｂｉ含有はんだ箔が用いられる。 （もっと読む）

【課題】基板の熱を充分に放熱することができる電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】モジュール１は、ＩＣ１１と電極パッド５，５とを有する基板２と、電極パッド５に電気的に接続された端子８，８と本体１３とを有し基板２の表面２ａ側に重ねられるように配置されたインダクタＬとを備えている。また、モジュール１は、基板２とインダクタＬとの間において基板２の表面２ａ及び本体１３の裏面１３ｂに接触された放熱パターン１４を有している。従って、基板２の熱が、熱伝導率が高いインダクタＬへと放熱パターン１４によって積極的に伝播され、インダクタＬにて放熱される。ここで、表面２ａの法線に沿う方向から見て、放熱パターン１４の両端部１４ａがインダクタＬからはみ出していることから、放熱パターン１４によるインダクタＬへの熱伝播経路が拡がるため、かかる熱伝播が好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】発熱部品の発生熱を、電子基板を経由せずに放熱体となるベース部材に対して確実、安定的に伝熱することができる等の電子基板装置を得る。
【解決手段】この発明に係る電子基板装置は、ベース部材１０Ａは、ダイパッド４２Ａに第１の細隙Ｇ１を介して対面して貫通部３２Ａに収納された中央突起部１５Ａ、及びこの中央突起部１５Ａの周囲に設けられ中央突起部１５Ａよりも高さ寸法が小さく先端面が電子基板３０Ａの裏面部に当接して第２の細隙Ｇ２を形成する第１の隔離突起部１７ａ，１７ｂとを有し、第１の細隙Ｇ１、及びこの第１の細隙Ｇ１に連通した第２の細隙Ｇ２には、熱伝導性接着材である第１の伝熱ボンド１６Ａが塗布されている。 （もっと読む）

【課題】溶融した半田が飛散することを確実に阻止できる位置決め治具を提供する。
【解決手段】カーボン治具４ａは、底面が放熱ベース２の２次元平面の反り形状に沿った曲面形状になっている。半田付け前の組立工程において、このカーボン治具４ａを使用して絶縁基板１を放熱ベース２上で位置決めする。カーボン治具４ａの底面と放熱ベース２との間の隙間が殆どなくなって、半田飛散が抑止されるため、放熱ベース２の端部まで半田が飛散しない。 （もっと読む）

【課題】放熱性の向上及び耐ヒートサイクル性の両立を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１からの熱が伝導する半田接合可能面６ａを露出させた半導体モジュール３０と、上記半田接合可能面に対向して配置され接合用半田７にて上記半田接合可能面と半田接合される冷却部５０と、上記半導体モジュールと一体成型され、上記接合用半田の厚みを一定に形成する半田厚設定部１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】構造面からモールド樹脂の流動性の向上を図ることで、パッケージの薄型化を可能とした、半導体パッケージを提供する。
【解決手段】互いに対向する前記第１、第２リードフレーム１１ａ、１１ｂの内側であって、隣接する半導体チップＣ間に画成したモールド樹脂１６の流動路１５と、この流動路１５は、隣接する半導体チップＣ間における第１リードフレーム１１ａまたは第２リードフレーム１１ｂに、流動路１５の通路面積を拡張するための薄肉部１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を含む構造体をその支持体に一体に接合するに際し、熱抵抗の抑制や大型化の抑制はもとより、接合完了後にそれら構造体及び支持体に内在する応力についても、その好適な抑制を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反応温度と熱伝導率との相反する関係の中でロウ材２０の溶融を可能とする反応温度と熱伝導率の確保とを両立し得る特性に設定された反応性膜２１をロウ材２０によって挟持する態様で冷却器１３上にこれらロウ材２０及び反応性膜２１及びロウ材２０及び構造体を順に積層する。そしてこの状態で、反応性膜２１にその反応を誘起する反応条件を付与することによりロウ材２０を溶融せしめて冷却器１３に半導体素子１０を含む構造体を接合する。 （もっと読む）

【課題】 窒化アルミニウムと銅が積層された積層基板において、加熱・冷却の繰り返しの熱負荷が何回加えられても、絶縁層に亀裂が生じない技術を提供する。
【解決手段】 積層基板２は、窒化アルミニウムの絶縁層６と、絶縁層６上に形成されている銅の導電層４を備えている。導電層４は、厚肉部４ａと薄肉部４ｂを有している。厚肉部４ａの一部は、半導体装置を接合する接合領域を形成している。薄肉部４ｂは、接合領域外側に設けられているとともに接合領域よりも薄く形成されている。薄肉部４ｂは、導電層４の外周から少なくとも１．２ｍｍの範囲内で厚みが０．０５ｍｍ以下に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの上面の電極に接合された半田の端部に発生する応力を極力低減する。
【解決手段】本発明の半導体装置によれば、第１の金属板１３の上面における半田付け用電極の端部に対応する部位から金属ブロック１５の端部の内側に対応する部位まで凸部２２を設け、この凸部２２の上面と半導体チップ１２の下面との間の半田１６の膜厚を、第１の金属板１３の凸部２２以外の部分の上面と半導体チップ１２の下面との間の半田１６の膜厚よりも薄くするように構成したので、半導体チップ１２の上面の半田付け用電極に接合された半田１６の端部に発生する応力を極力低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品等から発生した熱を効率良く放散させることができるとともに、高い熱サイクル信頼性を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１の一方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が形成されたパワーモジュール用基板１０と、パワーモジュール用基板１０に接合されるヒートシンク３０と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、ヒートシンク３０は、絶縁基板１１の他方の面に接合される天板部３１を有しており、この天板部３１が、炭素質部材中にアルミニウム又はアルミニウム合金が充填されたアルミニウム基複合材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品等から発生した熱を効率良く放散させることができるとともに、高い熱サイクル信頼性を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１の一方の面に回路層１２が形成されたパワーモジュール用基板１０と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンク４と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、絶縁基板１１とヒートシンク４との間には、炭素質部材中にアルミニウム又はアルミニウム合金が充填されたアルミニウム基複合材料からなる緩衝層３０が設けられ、この緩衝層３０の熱膨張係数Ｋが、絶縁基板１１の熱膨張係数Ｋｃ及びヒートシンク４の熱膨張係数Ｋｔに対して、Ｋｃ＜Ｋ＜Ｋｔの関係とされており、緩衝層３０のうちヒートシンク４側には、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるスキン層３１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】両面放熱型の半導体装置において、放熱板の平面サイズを増加させることなく、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の表面側、裏面側にそれぞれ電気的および熱的に接合された放熱板２、３と、各放熱板２、３における半導体素子１とは反対側の面である放熱面２ｂ、３ｂに熱的に接合された冷却器９とを備える半導体装置１００において、それぞれの放熱板２、３のうち半導体素子１が投影された部位の放熱面２ｂ、３ｂは、当該放熱面２ｂ、３ｂに対向する冷却器９に向かって突出する凸部１０となっており、冷却器９のうち凸部１０に対向する部位は、凹部１１となっており、これら凸部１０と凹部１１とが嵌合しており、凸部１０と凹部１１との間には、これら両部１０、１１を電気的に絶縁する絶縁膜１２が設けられ、絶縁膜１２を介して凸部１０と凹部１１とが接触している。 （もっと読む）

【課題】絶縁信頼性の低下を抑制しつつ放熱性の向上が図られた半導体モジュールと、該半導体モジュールの製造方法を提供。
【解決手段】樹脂組成物が用いられてなる絶縁層１０が上面側に積層された金属シート２０と、上面側に半導体素子５０が搭載されているヒートスプレッダ３０とを有し、該ヒートスプレッダ３０の下面に前記絶縁層１０を介して前記金属シート２０が接着されており、該金属シート２０の下面を露出させ且つ上面側に前記半導体素子５０及び前記ヒートスプレッダ３０を覆う樹脂モールド９０が施されている半導体モジュール１であって、ヒートスプレッダ３０の下面よりも大面積な金属シート２０が用いられ、ヒートスプレッダ３０が接着されている箇所における絶縁層の厚みよりもその周囲の絶縁層の厚みの方が薄くなるように前記絶縁層１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体チップの放熱性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップボンディングにより実装される半導体チップ１と、それに供されるチップキャリアと、前記半導体チップ１の背面に熱的に接続される冷媒を有する冷媒路からなる半導体装置において、冷媒が、半導体チップ１背面に直接、あるいは金属薄膜８を介して接触しており、冷媒路の一部が、冷媒路部材５と半導体チップ１背面とで形成される空間からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子回路チップの発熱について、主回路基板側へ熱伝導を良好に行えて発熱密度の増大に対応でき、放熱を効率よく確実に行える電子回路装置を提供すること
【解決手段】 集積回路などの半導体素子からなる電子回路チップ１をベース基板２に搭載し、ベース基板２にはケース部材３を覆い被せて装着し、所定の機能性素子として働くモジュールに構成する。電子回路チップ１とケース部材３との間に熱伝導部材４を設け、ケース部材３を放熱体にする。ケース部材３は取り合いを調整し、ベース基板２を主回路基板５上に搭載した際に、その周縁端部を主回路基板５表面の導体パターン６と接触させ、主回路基板５側と熱伝導の連係を行う。そして、ケース部材３の周縁端に、はんだフィレット７を設けて熱伝導の連係を行う連係部材とする。電子回路チップ１の表裏両面について熱伝導の経路を形成でき、何れの経路でも発熱を主回路基板５へ伝導できる。 （もっと読む）